电源管理

N 沟道 MOSFET 晶体管

出色的电阻和栅极电荷，可实现高频操作和更高的功率密度

TI 的 N 沟道 MOSFET 晶体管可针对各种电源设计需求（包括高开关频率）改进电压和电流控制。我们的 N 沟道 MOSFET 可实现更小巧的外形，从而帮助您有效提高功率密度并将 PCB 占用空间减少 50% 以上。

≤30V

≤30V

采用低电压 N 沟道 MOSFET 进行设计。在 ≤30V 的器件中进行选择。

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40V 至 100 V

40V 至 100 V

采用中电压 N 沟道 MOSFET 进行设计。在 40V 至 100V 器件中进行选择。

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FemtoFET™

FemtoFET™ MOSFET

非常适合手机、平板电脑以及任何需要节省布板空间和延长电池寿命的其他应用。

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特色 N 沟道 MOSFET

CSD17484F4

30V N 沟道 FemtoFET™ MOSFET

CSD18536KCS

60V、1.3mΩ、TO-220 NexFET™ 功率 MOSFET

CSD19537Q3

100V、12.1mΩ、SON、3.3mm x 3.3mm NexFET™ 功率 MOSFET

NexFET™ MOSFET 视频