N 沟道 MOSFET

出色的电阻和栅极电荷,可实现高频操作和更高的功率密度。

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我们的 N 沟道 MOSFET 可针对各种电源设计需求(包括高开关频率)改进电压和电流控制。我们的 N 沟道 MOSFET 还可以实现更小巧的外形,从而帮助您有效提高功率密度并将 PCB 占用空间减少 50% 以上。

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≤30V 最大 BVDSS

采用低电压 N 沟道 MOSFET 和精选 ≤30V 器件进行设计。

40V 至 100V 最大 BVDSS

采用中电压 N 沟道 MOSFET 和精选 40V 至 100V 器件进行设计。

FemtoFET™ MOSFET

使用 FemtoFET™ N 沟道 MOSFET 进行设计非常适合手机、平板电脑和任何其他需要节省布板空间和延长电池寿命的应用。

特色 N 沟道 MOSFET

技术资源

应用手册
应用手册
Power Loss Calculation With CSI Consideration for Synchronous Buck Converters (Rev. A)
该文档介绍了我们的 NexFET™ 电源块,该电源块使用先进的器件和封装技术来更大程度地减小共源电感 (CSI),从而降低系统功率损耗。 
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应用手册
应用手册
关于减小 NexFET 功率 MOSFET 震荡的方法
该应用手册讨论了开关节点振铃的来源、准确表征该振铃的测量技术以及在保持出色系统性能的同时更大程度地减小影响的方法。
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技术文章
技术文章
功率 MOSFET 数据表第 1 部分中没有的内容:温度相关性
了解 MOSFET 数据表包含的内容及其不包含的内容(更重要)。

设计和开发资源

Calculation tool
适用于同步降压转换器应用的 MOSFET 功率损耗计算器
快速权衡大小、成本和性能,根据应用条件选择合适的 MOSFET。
Calculation tool
MOSFET power loss calculator for motor drive applications
这是一款面向无刷直流电机驱动应用、基于 Excel 的 MOSFET 功率损耗计算器。
Calculation tool
适用于负载开关应用的 MOSFET 功率损耗计算器
快速权衡大小、成本和性能,根据应用条件选择合适的 MOSFET。

与N 沟道 MOSFET相关的参考设计

使用我们的参考设计选择工具,找到最适合您应用和参数的设计。