一流的电阻和栅极电荷，可实现高频操作和更高的功率密度
采用低电压 N 沟道 MOSFET 进行设计。在 ≤30V 的器件中进行选择。
采用中电压 N 沟道 MOSFET 进行设计。在 40-100V 的器件中进行选择。
非常适合手机、平板电脑以及任何需要节省布板空间和延长电池寿命的其他应用。
特色 N 沟道 MOSFET
30V N 沟道 FemtoFET™ MOSFET
60V 1.3mΩ TO-220 NexFET™ 功率 MOSFET
100V 12.1mΩ SON 3.3 x 3.3mm NexFET™ 功率 MOSFET
NexFET™ MOSFET 视频
