主页 电源管理 门驱动器

电源管理

GaN FET 栅极驱动器

高速 GaN 栅极驱动器可实现高功率密度并简化设计,适用于各种电源拓扑

我们的驱动器整合了快速时序规格、无引线封装和窄脉宽响应,可实现 FET 快速切换。增加了栅极电压调节、可编程死区时间和内部低功耗等特性,可确保高频开关提供尽可能高的效率。 

 

特色低侧 GaN FET 驱动器 

LMG1020

专为短脉宽应用而设计且具有 60MHz、1ns 速度的 5V、7A 低侧 GaN 驱动器。

UCC27611

5V、4A/6A 低侧 GaN 驱动器。立即开始创建短脉宽应用。

特色半桥 GaN FET 驱动器 

LMG1205

适用于增强模式 GaN FET 的 100V、1.2A、5A 半桥栅极驱动器有助于最大限度地提高功率密度。

LMG1210

专为确保功率密度和可调死区时间而设计的 200V、1.5A、3A 半桥 GaN 驱动器。

LM5113-Q1

专为增强模式 GaN FET 而设计且具有合适功率密度的汽车类 100V 1.2A/5A 半桥栅极驱动器

特色参考设计和 EVM 板

适用于激光雷达的纳秒级激光驱动器参考设计

适用于高分辨率激光雷达应用的 1ns GaN 激光驱动器功率级。

适用于高速直流/直流转换器的数兆赫兹 GaN 功率级参考设计

灵活的 GaN 功率级,适用于高达 50MHz 高效设计。

LMG1205 GaN 功率级评估模块

具有外部 PWM 信号的小巧易用型功率级。支持评估各种不同的直流/直流转换器拓扑。

精选视频

精选文献

《GaN 和 SiC 可提高电源能效》

深入了解宽带隙材料与 TI 的高电压产品系列会给电源带来哪些优势。

《汽车激光雷达简介》

了解旨在提高汽车安全性(每次单脉冲)的技术。

《优化高兆赫 GaN 驱动器设计》

了解为何栅极驱动器的选择对于实现 GaN 的全部功能至关重要。

技术资源

在 TI 的 E2E™ 社区中提问、分享知识并与同行工程师共同解决问题。