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UCC5880QEVM-057
UCC5880-Q1 – Evaluierungsmodul
UCC5880QEVM-057
Überblick
Das Evaluierungsmodul UCC5880-Q1 ist zur Evaluierung des isolierten Einkanal-Gate-Treibers UCC5880-Q1 mit 20 A, einstellbarer Gate-Treiberstärke und erweiterten Schutzfunktionen konzipiert. Dieser Gate-Treiber ist zum Antrieb von Hochleistungs-SiC-MOSFETs und IGBTs in Elektrofahrzeug- und Hybridfahrzeug-Anwendungen vorgesehen. Die Treiberstufe UCC5880-Q1 umfasst einen zweifachen Treiber mit geteiltem Ausgang, um höchste Flexibilität bei der Gate-Treiberstärke für verschiedene Anwendungsbedingungen zu ermöglichen. Schutzfunktionen wie aktive Miller-Clamp-, DESAT- oder Shunt-Strommessung, weiches Ausschalten oder zweistufige weiche Abschaltung, VCE-Schutz gegen Überspannung gemäß, UVLO und OVLO von Gate-Treiber-Stromversorgungen, Temperaturüberwachung und thermische Abschaltung sowie Gate-Überwachung sind enthalten, um Systeme zu unterstützen, die hohe Zuverlässigkeit erfordern. Dieser Treiber verfügt über ausgefeilte Diagnose-, Schutz- und Überwachungsfunktionen über eine serielle Peripherieschnittstelle (SPI). Stärke und erweiterte Schutzfunktionen. Dieser Gate-Treiber ist zum Antrieb von Hochleistungs-SiC-MOSFETs und IGBTs in Elektrofahrzeug- und Hybridfahrzeug-Anwendungen vorgesehen. Die Treiberstufe UCC5880-Q1 umfasst einen zweifachen Treiber mit geteiltem Ausgang, um höchste Flexibilität bei der Gate-Treiberstärke für verschiedene Anwendungsbedingungen zu ermöglichen. Schutzfunktionen wie aktive Miller-Clamp-, DESAT- oder Shunt-Strommessung, weiches Ausschalten oder 2-stufige weiche Abschaltung, VCE-Überspannungsschutz, UVLO und OVLO von Gate-Treiber-Stromversorgungen, Temperaturüberwachung und thermische Abschaltung sowie Gate-Überwachung sind enthalten, um Systeme zu unterstützen, die hohe Zuverlässigkeit erfordern. Dieser Treiber verfügt über ausgefeilte Diagnose-, Schutz- und Überwachungsfunktionen über eine serielle Peripherieschnittstelle (SPI).
Merkmale
- Dual-Treiber mit geteilten Ausgängen: Quell- und Sinkpfad für 15 A Spitzenleistung und Quell- und Sinkpfad für 5 A Spitzenleistung
- Unterstützung für aktiven Kurzschluss (ASC) auf der primären und sekundären Seite
- Schutz von Leistungstransistoren: DESAT, OC/SC, programmierbare Softabschaltung (STO) und zweistufige Softabschaltung (2STO) bei Störungen des Leistungstransistors
- SPI-basierte Neukonfiguration, Verifizierung, Überwachung und Diagnose von Bausteinen
- GUI zur Verwendung mit optionaler TMDSCNCD280039C-Evaluierungsmodul controlCARD verfügbar (nicht im Lieferumfang enthalten)
Isolierte Gate-Treiber
Isolierte Stromversorgungsmodule (integrierter Transformator)
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Evaluierungsplatine
UCC5880QEVM-057 — Evaluierungsmodul UCC5880-Q1
UCC5880QEVM-057 — Evaluierungsmodul UCC5880-Q1
Technische Dokumentation
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| Typ | Titel | Neueste englische Version herunterladen | Datum | ||
|---|---|---|---|---|---|
| Zertifikat | UCC5880QEVM-057 EU RoHS Declaration of Conformity (DoC) | 11.11.2022 |
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