UCC21732QDWEVM-025
适用于 SiC/IGBT 的 UCC21732-Q1 汽车单通道隔离式栅极驱动器评估模块
UCC21732QDWEVM-025
概述
UCC21732QDWEVM-025 是一个紧凑的单通道隔离式栅极驱动器板，可提供采用 150 x 62 x 17mm 和 106 x 62 x 30mm 封装的 SiC MOSFET 和 Si IGBT 电源模块所需的驱动电压、偏置电压、保护和诊断功能。此 TI EVM 以 5.7kVrms 增强型隔离驱动器 UCC21732 为基础，后者采用 SOIC-16DW 封装，具有 8.0mm 爬电距离和间隙。该 EVM 包含基于 SN6505B 的隔离式直流/直流变压器偏置电源。
特性
- 10A 峰值分离输出驱动电流及可编程驱动电压
- 5.7kVrms 增强型隔离式通道，可支持高达 1700V 的输入轨
- CMTI > 100V/ns 的强大抗噪解决方案
- Power modules not included
隔离式栅极驱动器
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评估板
UCC21732QDWEVM-025 — 适用于 SiC/IGBT 的 UCC21732-Q1 汽车单通道隔离式栅极驱动器评估模块
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| 类型 | 标题 | 下载最新的英文版本 | 日期 | |||
|---|---|---|---|---|---|---|
| * | 用户指南 | UCC21732QDWEVM-025 (Rev. B) | 2019年 9月 9日 | |||
| 数据表 | UCC21732-Q1 10-A Source/Sink Reinforced Isolated Single Channel Gate Driver for SiC/IGBT with Active Protection, Isolated Analog Sensing and High-CMTI 数据表 (Rev. B) | PDF | HTML | 2019年 9月 3日 | |||
| 数据表 | 适用于 SiC/IGBT 且具有高级保护功能和高 CMTI 的 UCC21732-Q1 单通道隔离式栅极驱动器 数据表 | PDF | HTML | 2018年 10月 31日 |