UCC21710QDWEVM-025

适用于 SiC 和 IGBT 晶体管及电源模块的驱动和保护评估板

UCC21710QDWEVM-025

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概述

UCC21710QDWEVM-025 是一个紧凑的单通道隔离式栅极驱动器板,可提供采用 150 x 62 x 17mm 和 106 x 62 x 30mm 封装的 SiC MOSFET 和 Si IGBT 电源模块所需的驱动电压、偏置电压、保护和诊断功能。此 TI EVM 以 5.7kVrms 增强型隔离驱动器 UCC21710 为基础,后者采用 SOIC-16DW 封装,具有 8.0mm 爬电距离和间隙。该 EVM 包含基于 SN6505B 的隔离式直流/直流变压器偏置电源。

特性
  • 10A 峰值分离输出驱动电流及可编程驱动电压
  • 两个 5.7kVrms 增强型隔离式通道,可支持高达 1700V 的输入轨
  • 带软关断的短路保护和带内部 FET 的米勒钳位
  • CMTI > 100V/ns 的强大抗噪解决方案

  • Power modules not included

隔离式栅极驱动器
UCC21710 适用于 IGBT/SiC MOSFET、具有 OC 检测和内部钳位的 5.7kVrms ±10A 单通道隔离式栅极驱动器 UCC21710-Q1 适用于 IGBT/SiC MOSFET 且具有过流保护的汽车类 5.7kVrms 10A 单通道隔离式栅极驱动器 UCC21717-Q1 适用于 SiC/IGBT 且具有有源保护功能的汽车类 10A 拉电流/灌电流单通道隔离式栅极驱动器

 

变压器驱动器
SN6505B 适用于隔离电源的低噪声、1A、420kHz 变压器驱动器

 

监控器和复位 IC
TPS3700-Q1 用于过压和欠压监测的汽车类高电压 (18V) 窗口电压检测器

 

线性和低压降 (LDO) 稳压器
TPS709 具有反向电流保护和使能功能的 150mA、30V、超低 IQ、低压降稳压器
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UCC21710QDWEVM-025 — 适用于 SiC 和 IGBT 晶体管及电源模块的驱动和保护评估板

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发布日期: 26 七月 2020
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产品
隔离式栅极驱动器
UCC21710 适用于 IGBT/SiC MOSFET、具有 OC 检测和内部钳位的 5.7kVrms ±10A 单通道隔离式栅极驱动器
硬件开发
评估板
UCC21710QDWEVM-025 适用于 SiC 和 IGBT 晶体管及电源模块的驱动和保护评估板 UCC21732QDWEVM-025 适用于 SiC/IGBT 的 UCC21732-Q1 汽车单通道隔离式栅极驱动器评估模块 UCC21750QDWEVM-025 适用于 SiC 和 IGBT 晶体管及电源模块的驱动和保护评估板

发布信息

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* 用户指南 UCC217xx Family Driving and Protecting SiC and IGBT Power Modules and Transistor (Rev. B) 2019年 9月 9日
证书 UCC21710QDWEVM-025 EU Declaration of Conformity (DoC) 2024年 1月 24日

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