TIDA-00120

太阳能 MPPT 充电控制器

TIDA-00120

设计文件

概述

此设计是一种 20A 最大功率点跟踪 (MPPT) 太阳能充电控制器,专为对应于 12V 和 24V 面板的太阳能面板输入而设计。此设计面向中小型功率太阳能充电器解决方案,能够通过 12V/24V 面板和 12V/24V 电池工作,输出电流高达 20A。此设计注重扩展性,通过将 MOSFET 改为 100V 额定部件可以轻松适应 48V 系统。用户还可以通过使用当前所用的 MOSFET 的 TO-220 封装版本将电流增加到 40A。这种太阳能 MPPT 充电控制器在设计时即考虑了现实因素,其中包括电池反向保护以及硬件中提供但未作配置的软件可编程警报和指示。此设计在 24V 系统中以全负载状态工作的效率高于 97%。对于 12V 系统,效率高于 96%,其中包括电池反向保护 MOSFET 中的损耗。

特性
  • 在 12V 和 24V 系统中以全负载状态工作的效率高于 96%
  • 支持宽输入电压范围:15VDC - 44VDC
  • 灵活设计,支持 12V 或 24V 太阳能面板
  • 输出电流:最大 20A
  • 小电路板外形:130 mm x 84 mm x 22 mm

我们开发的全面组装电路板仅用于测试和性能验证,不可用于销售。

设计文件和产品

设计文件

下载现成的系统文件,加快您的设计过程。

TIDU219.PDF (1411 K)

参考设计的测试结果,包括效率图表,测试前提条件等

TIDC273A.ZIP (1112 K)

设计布局和元件的详细原理图

TIDR393.PDF (54 K)

设计布局和元件的详细原理图

TIDR394.ZIP (28 K)

设计元件、引用标识符和制造商/器件型号的完整列表

产品

在设计中包括 TI 产品和可能的替代产品。

MSP430 微控制器

MSP430F5132具有 8KB 闪存、1KB SRAM、10 位 ADC、比较器、DMA 和 16 位高分辨率计时器的 25MHz MCU

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N 沟道 MOSFET

CSD18502Q5B采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、2.3mΩ、40V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET

数据表: PDF | HTML
N 沟道 MOSFET

CSD18532Q5B采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、3.2mΩ、60V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET

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半桥驱动器

SM72295具有集成电流感应放大器的 3A、100V 全桥栅极驱动器

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电流检测放大器模拟输出

INA271具有直列式滤波器功能 -16V 至 80V、分级电流感应放大器

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线性和低压降 (LDO) 稳压器

TLV704150-mA 24-V ultra-low-IQ low-dropout (LDO) voltage regulator

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隔离式 DC/DC 转换器

LM50197.5-100V 宽输入电压,100mA 恒定导通时间同步降压稳压器

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开始开发

软件

支持软件

TIDA-00120 Software (Rev. B) — TIDC274B.ZIP (8640 K)

技术文档

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类型 标题 下载最新的英文版本 日期
* 测试报告 TIDA-00120 Test Results 2014年 1月 29日
技术文章 Lighting up TI’s solar power delivery and charging solutions 2014年 11月 4日

支持与培训

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