PMP31333
适用于 SiC 和 GaN 驱动电源的增强型隔离 LLC 转换器参考设计
PMP31333
概述
预计次级侧（如宽带隙开关）具有极高的 dV/dT 时，该小型电源可为隔离式碳化硅 (SiC) 或氮化镓 (GaN) MOSFET 栅极驱动器提供偏置电源。此电路板接受 24V 输入，可提供 12V、200mA 电流。通过将谐振电感器-电感器-电容器 (LLC) 拓扑与低电平初级到次级绕组电容结合，该转换器可作为低噪声和高共模瞬态抗扰度 (CMTI) 应用的一个选项，同时还可减少通过变压器的共模电流注入。尽管这款隔离式 LLC 转换器在开环模式下工作，但输出电压仍可持续跟踪 VIN，并且与负载电流相比变化非常小。
特性
- 增强绝缘
- 极低电平的初级-次级绕组电容
- 稳压 24VIN 至 12VOUT
- 使用 30µF 开关输出电容进行测试（高侧 GaN 或 SiC-FET 首次激活）
- 谐振（次级侧）LLC 拓扑
| 输出电压选项 | PMP31333.1 |
|---|---|
| 输入电压（最小值）(V) | 22 |
| 输入电压（最大值）(V) | 26 |
| 输出电压（标称值）(V) | 12 |
| Iout（最大值）(A) | .2 |
| 输出功率 (W) | 2.4 |
| 隔离/非隔离 | Isolated |
| 输入类型 | DC |
| 拓扑 | Half Bridge- Resonant |
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| 顶层文档 | 类型 | 标题 | 格式选项 | 下载最新的英语版本 | 日期 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
| * | 测试报告 | Reinforced-Isolation LLC Converter Reference Design for SiC and GaN Driving Supply | PDF | HTML | 2025-2-25 |