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可直接投入的替代產品,相較於所比較的裝置,具備升級功能
TPD4S010
- IEC 61000-4-2 Level 4 ESD Protection
- ±8-kV Contact Discharge
- IEC 61000-4-5 Surge Protection
- 2.5A (8/20µs)
- I/O Capacitance: 0.8 pF (Typical)
- Low Leakage Current: 10 nA (Typical)
- Supports High-Speed Differential Data Rates
(3-dB Bandwidth > 4 GHz) - Ultra-low Matching Capacitance Between
Differential Signal Pairs - Ioff Feature for the TPD4S009
- Industrial Temperature Range:
–40°C to 85°C - Easy Straight through Routing, Space-Saving
Package Options
The TPD4S009 and TPD4S010 are four-channel TVS diode arrays for electrostatic discharge (ESD) protection. TPD4S009 and TPD4S010 are rated to dissipate contact ESD strikes at the maximum level specified in the IEC 61000-4-2 international standard (Level 4), with ±8-kV contact discharge ESD protection. The low capacitance (0.8-pF) of these devices, coupled with the excellent matching between differential signal pairs (0.05-pF line-line capacitance for the TPD4S009DRY) enables this device to provide transient voltage suppression circuit protection for high-speed differential data rates (3-dB bandwidth > 4 GHz).
The TPD4S009 is offered in DBV, DCK, DGS, and DRY packages. The TPD4S009DRYR is the most space saving package option available for dual pair high-speed differential lines. The TPD4S010 is offered in the industry standard DQA package. The TPD4S009DGSR and TPD4S010DQAR offer flow-through board layout options to reduce signal glitches normally caused by routing mismatches between the D+ and D signal pair. See also TPD4E05U06DQAR which is P2P compatible with TPD4S010DQAR. This device offers higher IEC ESD protection, lower capacitance, lower RDYN, lower DC breakdown voltage, and lower clamping voltage.
技術文件
| 類型 | 標題 | 日期 | ||
|---|---|---|---|---|
| * | Data sheet | TPD4S009 4-Channel ESD Solution for High-Speed Differential Interface datasheet (Rev. G) | PDF | HTML | 2015年 6月 26日 |
| Selection guide | System-Level ESD Protection Guide (Rev. E) | 2025年 8月 5日 | ||
| User guide | Reading and Understanding an ESD Protection Data Sheet (Rev. A) | PDF | HTML | 2023年 9月 19日 | |
| Application note | ESD Protection Layout Guide (Rev. A) | PDF | HTML | 2022年 4月 7日 | |
| White paper | Designing USB for short-to-battery tolerance in automotive environments | 2016年 2月 10日 | ||
| Analog Design Journal | Design Considerations for System-Level ESD Circuit Protection | 2012年 9月 25日 |
設計與開發
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DRV8353RH-EVM — DRV8353RH 評估模組、三相無刷 DC 智慧型閘極驅動器
DRV8353RH-EVM 是基於 DRV8353RH 閘極驅動器和 CSD19532Q5B NexFET™ MOSFET 的 15A、3 相位無刷 DC 驅動級。
此模組具備獨立 DC 匯流排和相位電壓感測,以及獨立低壓側電流分流放大器,因此此評估模組最適合用於無感測器 BLDC 演算法。 模組透過整合式 0.35A 降壓穩壓器供應 MCU 3.3V 電源。 此驅動平台具備 IDRIVE 配置、故障接腳,並可透過由特定電阻值構成的簡易可配置硬體介面進行短路、過熱、擊穿和欠電壓保護。
DRV8353RS-EVM — DRV8353RS 評估模組、三相無刷 DC 智慧型閘極驅動器
DRV8353RS-EVM 是基於 DRV8353RS 閘極驅動器和 CSD19532Q5B NexFET™ MOSFET 的 15A、三相無刷直流驅動級。
此模組具備獨立 DC 匯流排和相位電壓感測,以及獨立低壓側電流分流放大器,因此此評估模組最適合用於無感測器 BLDC 演算法。 模組透過整合式 0.35A 降壓穩壓器供應 MCU 3.3V 電源。 驅動平台具備 IDRIVE 配置,故障接腳,並可透過可配置的 SPI 保護短路,過熱,直通與欠電壓情況。
ESDEVM — 適用於 ESD 二極體封裝的通用評估模組,包括 0402、0201等
| 封裝 | 針腳 | CAD 符號、佔位空間與 3D 模型 |
|---|---|---|
| USON (DQA) | 10 | Ultra Librarian |
訂購與品質
- RoHS
- REACH
- 產品標記
- 鉛塗層/球物料
- MSL 等級/回焊峰值
- MTBF/FIT 估算值
- 材料內容
- 認證摘要
- 進行中持續性的可靠性監測
- 晶圓廠位置
- 組裝地點
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