產品詳細資料

Number of channels 2 Vrwm (V) 3.6 Bi-/uni-directional Uni-Directional Package name SOT-9X3 Peak pulse power (8/20 μs) (max) (W) 45 IO capacitance (typ) (pF) 0.7 IEC 61000-4-2 contact (±V) 8000 IEC 61000-4-5 (A) 5 Clamping voltage (V) 8 Dynamic resistance (typ) 0.6 Interface type Ethernet, LVDS, USB 2.0, USB 3.0 Breakdown voltage (min) (V) 4.5 IO leakage current (max) (nA) 100 Rating Catalog Operating temperature range (°C) -40 to 85
Number of channels 2 Vrwm (V) 3.6 Bi-/uni-directional Uni-Directional Package name SOT-9X3 Peak pulse power (8/20 μs) (max) (W) 45 IO capacitance (typ) (pF) 0.7 IEC 61000-4-2 contact (±V) 8000 IEC 61000-4-5 (A) 5 Clamping voltage (V) 8 Dynamic resistance (typ) 0.6 Interface type Ethernet, LVDS, USB 2.0, USB 3.0 Breakdown voltage (min) (V) 4.5 IO leakage current (max) (nA) 100 Rating Catalog Operating temperature range (°C) -40 to 85
SOT-9X3 (DRT) 3 1 mm² 1 x 1
  • Supports USB 3.0 data rates (5 Gbps)
  • IEC 61000-4-2 ESD protection (level 4 contact)
  • IEC 61000-4-5 surge protection
    • 5 A (8/20 µs)
  • Low capacitance
    • DRT: 0.7 pF (typical)
    • DQA: 0.8 pF (typical)
  • Dynamic resistance: 0.6 Ω (typical)
  • Space-saving DRT, DQA packages
  • Flow-through pin mapping
  • Supports USB 3.0 data rates (5 Gbps)
  • IEC 61000-4-2 ESD protection (level 4 contact)
  • IEC 61000-4-5 surge protection
    • 5 A (8/20 µs)
  • Low capacitance
    • DRT: 0.7 pF (typical)
    • DQA: 0.8 pF (typical)
  • Dynamic resistance: 0.6 Ω (typical)
  • Space-saving DRT, DQA packages
  • Flow-through pin mapping

The TPD2EUSB30, TPD2EUSB30A, and TPD4EUSB30 are 2 and 4 channel Transient Voltage Suppressor (TVS) based Electrostatic Discharge (ESD) protection diode arrays. The TPDxEUSB30/A devices are rated to dissipate ESD strikes at the maximum level specified in the IEC 61000-4-2 international standard (Contact). These devices also offer 5 A (8/20 µs) peak pulse current ratings per IEC 61000-4-5 (Surge) specification.

The TPD2EUSB30A offers low 4.5-V DC break-down voltage. The low capacitance, low break-down voltage, and low dynamic resistance make the TPD2EUSB30A a superior protection device for high-speed differential IOs.

The TPD2EUSB30 and TPD2EUSB30A are offered in space saving DRT (1 mm × 1 mm) package. The TPD4EUSB30 is offered in space saving DQA (2.5 mm × 1.0 mm) package.

The TPD2EUSB30, TPD2EUSB30A, and TPD4EUSB30 are 2 and 4 channel Transient Voltage Suppressor (TVS) based Electrostatic Discharge (ESD) protection diode arrays. The TPDxEUSB30/A devices are rated to dissipate ESD strikes at the maximum level specified in the IEC 61000-4-2 international standard (Contact). These devices also offer 5 A (8/20 µs) peak pulse current ratings per IEC 61000-4-5 (Surge) specification.

The TPD2EUSB30A offers low 4.5-V DC break-down voltage. The low capacitance, low break-down voltage, and low dynamic resistance make the TPD2EUSB30A a superior protection device for high-speed differential IOs.

The TPD2EUSB30 and TPD2EUSB30A are offered in space saving DRT (1 mm × 1 mm) package. The TPD4EUSB30 is offered in space saving DQA (2.5 mm × 1.0 mm) package.

下載 觀看有字幕稿的影片 影片

查看 TI.com 庫存中的類似產品

規格相似的產品依可用的 TI.com 庫存排序。

立即檢視

技術文件

star =TI 所選的此產品重要文件
找不到結果。請清除您的搜尋條件,然後再試一次。
檢視所有 4
類型 標題 日期
* Data sheet TPDxEUSB30 2-, 4-Channel ESD Protection for Super-Speed USB 3.0 Interface datasheet (Rev. G) PDF | HTML 2021年 6月 1日
User guide Reading and Understanding an ESD Protection Data Sheet (Rev. A) PDF | HTML 2023年 9月 19日
Application note ESD Packaging and Layout Guide (Rev. B) PDF | HTML 2022年 8月 18日
Analog Design Journal Design Considerations for System-Level ESD Circuit Protection 2012年 9月 25日

設計與開發

如需其他條款或必要資源,請按一下下方的任何標題以檢視詳細頁面 (如有)。

開發板

ESDEVM — 適用於 ESD 二極體封裝的通用評估模組,包括 0402、0201等

靜電敏感裝置 (ESD) 評估模組 (EVM) 是我們大多數 ESD 產品組合的開發平台。此電路板配備所有傳統 ESD 元件封裝,可測試任意數量的裝置。裝置可以焊接到其相應的元件封裝上,然後進行測試。對於一般高速 ESD 二極體,會實作阻抗控制的配置以取得 S 參數並取消內嵌電路板軌跡。對於非高速 ESD 二極體,其元件封裝會包含連接至測試點的軌跡,讓您輕鬆執行 DC 測試,例如崩潰電壓、保持電壓、洩漏等。電路板配置也可以透過將訊號針腳短路到訊號所在的任何地方,讓任何裝置針腳都能輕鬆地連接到電源 (VCC) 或接地。
使用指南: PDF | HTML
TI.com 無法提供
模擬型號

TPD2EUSB30A IBIS Model

SLVM401.ZIP (2 KB) - IBIS Model
參考設計

TIDEP0076 — 基於 AM572x 處理器並採用 DLP® 結構光的 3D 機器視覺參考設計

TIDEP0076 3D 機器視覺設計方案採用結構光原理,實現嵌入式 3D 掃描器。本系統結合數位相機與 Sitara™ AM57xx 處理器系統單晶片(SoC),用於擷取 DLP4500 投影器反射的光學圖案。後續的圖案處理、物體 3D 點雲計算與 3D 視覺化,皆在 AM57xx 處理器 SoC 內完成。此設計提供嵌入式解決方案,相較於基於主機 PC 的實現方式,在功耗、簡易性、成本與尺寸方面更具優勢。
Design guide: PDF
電路圖: PDF
參考設計

PMP40496 — 具有 5V USB 的 2 芯升壓充電系統參考設計

此 5V USB、2 芯電池升壓充電器參考設計包含充電系統和內建電量計的 2 芯電池座,可透過纜線連接或獨立運作。充電器系統的主要元件包括 BQ25883 升壓充電器、TUSB320LAI Type-C CC 邏輯、MSP430FR2433 微控制器 (MCU)、OLED 顯示器,以及 USB Type-C 和 Micro B 接頭。電池電量計採用 BQ28Z610,搭配 BQ25883 的內部 ADC,可顯示充電與電池參數。此設計可透過訊號接頭 J5 連接至您的系統,實現隨插即用的完整解決方案。此設計適用於可攜式電子產品應用,例如 POS、Bluetooth® 喇叭及可攜式印表機。
Test report: PDF
電路圖: PDF
參考設計

TIDEP0046 — 基於 AM57x 使用 OpenCL 進行 DSP 加速的 Monte-Carlo 模擬參考設計

TI’s high performance ARM® Cortex®-A15 based AM57x processors also integrate C66x DSPs. These DSPs were designed to handle high signal and data processing tasks that are often required by industrial, automotive and financial applications. The AM57x OpenCL implementation makes it easy (...)
Design guide: PDF
電路圖: PDF
參考設計

TIDEP0047 — 採用 TI AM57x 處理器參考設計的電源和熱能設計考量

This is a reference design based on the AM57x processor and companion TPS659037 power management integrated circuit (PMIC).  This design specifically highlights important power and thermal design considerations and techniques for systems designed with AM57x and TPS659037.  It includes (...)
Design guide: PDF
電路圖: PDF
封裝 針腳 CAD 符號、佔位空間與 3D 模型
SOT-9X3 (DRT) 3 Ultra Librarian

訂購與品質

內含資訊:
  • RoHS
  • REACH
  • 產品標記
  • 鉛塗層/球物料
  • MSL 等級/回焊峰值
  • MTBF/FIT 估算值
  • 材料內容
  • 認證摘要
  • 進行中持續性的可靠性監測
內含資訊:
  • 晶圓廠位置
  • 組裝地點

建議產品可能具有與此 TI 產品相關的參數、評估模組或參考設計。

支援與培訓

內含 TI 工程師技術支援的 TI E2E™ 論壇

內容係由 TI 和社群貢獻者依「現狀」提供,且不構成 TI 規範。檢視使用條款

若有關於品質、封裝或訂購 TI 產品的問題,請參閱 TI 支援。​​​​​​​​​​​​​​

影片