計算工具
LM5101
- Drives both a high side and low side N-Channel MOSFET
- Independent high and low driver logic inputs (TTL for LM5101 or CMOS for LM5100)
- Bootstrap supply voltage range up to 118V DC
- Fast propagation times (25 ns typical)
- Drives 1000 pF load with 15 ns rise and fall times
- Excellent propagation delay matching (3 ns typical)
- Supply rail under-voltage lockouts
- Low power consumption
- Pin compatible with HIP2100/HIP2101
The LM5100/LM5101 High Voltage Gate Drivers are designed to drive both the high side and the low side N-Channel MOSFETs in a synchronous buck or a half bridge configuration. The floating high-side driver is capable of operating with supply voltages up to 100V. The outputs are independently controlled with CMOS input thresholds (LM5100) or TTL input thresholds (LM5101). An integrated high voltage diode is provided to charge the high side gate drive bootstrap capacitor. A robust level shifter operates at high speed while consuming low power and providing clean level transitions from the control logic to the high side gate driver. Under-voltage lockout is provided on both the low side and the high side power rails. This device is available in the standard SOIC-8 pin and the LLP-10 pin packages.
技術文件
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檢視所有 9 | 類型 | 標題 | 日期 | ||
|---|---|---|---|---|
| * | Data sheet | LM5100/LM5101 High Voltage High Side and Low Side Gate Driver datasheet (Rev. C) | 2005年 3月 16日 | |
| Application note | Using Half-Bridge Gate Driver to Achieve 100% Duty Cycle for High Side FET | PDF | HTML | 2024年 3月 25日 | |
| Application note | Bootstrap Circuitry Selection for Half Bridge Configurations (Rev. A) | PDF | HTML | 2023年 9月 8日 | |
| Application note | Comparative Analysis of Two Different Methods for Gate-Drive Current Boosting (Rev. A) | PDF | HTML | 2022年 2月 17日 | |
| Application brief | External Gate Resistor Selection Guide (Rev. A) | 2020年 2月 28日 | ||
| Application brief | Understanding Peak IOH and IOL Currents (Rev. A) | 2020年 2月 28日 | ||
| More literature | Fundamentals of MOSFET and IGBT Gate Driver Circuits (Replaces SLUP169) (Rev. A) | 2018年 10月 29日 | ||
| Selection guide | Power Management Guide 2018 (Rev. R) | 2018年 6月 25日 | ||
| EVM User's guide | AN-1299 LM5041 Evaluation Board (Rev. A) | 2013年 5月 6日 |
設計與開發
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開發板
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UCC27288EVM 專為評估 UCC27288D 而設計，這是一款具備 2.5-A 峰值電流源和 3.5-A 峰值汲極電流能力的 100-V 半橋閘極驅動器。此 EVM 可做為驅動功率 MOSFET 的參考設計，驅動電壓高達 20-V。
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模擬工具
PSPICE-FOR-TI — PSpice® for TI 設計與模擬工具
PSpice® for TI 是有助於評估類比電路功能的設計和模擬環境。這款全功能設計和模擬套件使用 Cadence® 的類比分析引擎。PSpice for TI 包括業界最大的模型庫之一，涵蓋我們的類比和電源產品組合，以及特定類比行為模型，且使用無需支付費用。
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