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ISO7831

現行

High voltage, reinforced 3-channel, 2/1, digital isolator with 2000VRMS VIOWM and 14.5mm creepage

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產品規格表

ISO7831

現行
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產品詳細資料

Rating Catalog Integrated isolated power No Number of channels 3 Forward/reverse channels 2 forward / 1 reverse Data rate (max) (Mbps) 100 Protocols GPIO, General purpose, PWM, UART Propagation delay time (typ) (ns) 11 Propagation delay time (max) (ns) 16 Part-to-part output skew (max) (ns) 4.5 Channel-to-channel output skew (max) (ns) 2.5 Certifications CQC, CSA, DIN, TUV, UL Isolation rating Reinforced Withstand isolation voltage (VISO) (Vrms) 5700 Surge isolation voltage (VIOSM) (kVPK) 12.8 CMTI (min) (kV/µs) 85 Default output High, Low Creepage (min) (mm) 8, 14.5 Current consumption per channel (DC) (typ) (mA) 1.03 Current consumption per channel (1 Mbps) (typ) (mA) 1.67 Operating temperature range (°C) -55 to 125 Transient isolation voltage (VIOTM) (VPK) 8000 Clearance (min) (mm) 8, 14.5
Rating Catalog Integrated isolated power No Number of channels 3 Forward/reverse channels 2 forward / 1 reverse Data rate (max) (Mbps) 100 Protocols GPIO, General purpose, PWM, UART Propagation delay time (typ) (ns) 11 Propagation delay time (max) (ns) 16 Part-to-part output skew (max) (ns) 4.5 Channel-to-channel output skew (max) (ns) 2.5 Certifications CQC, CSA, DIN, TUV, UL Isolation rating Reinforced Withstand isolation voltage (VISO) (Vrms) 5700 Surge isolation voltage (VIOSM) (kVPK) 12.8 CMTI (min) (kV/µs) 85 Default output High, Low Creepage (min) (mm) 8, 14.5 Current consumption per channel (DC) (typ) (mA) 1.03 Current consumption per channel (1 Mbps) (typ) (mA) 1.67 Operating temperature range (°C) -55 to 125 Transient isolation voltage (VIOTM) (VPK) 8000 Clearance (min) (mm) 8, 14.5
SOIC (DW) 16 106.09 mm² (10.3 mm × 10.3 mm) SOIC (DWW) 16 177.675 mm² (10.3 mm × 17.25 mm)
  • Signaling Rate: Up to 100Mbps
  • Wide Supply Range: 2.25V to 5.5V
  • 2.25V to 5.5V Level Translation
  • Wide Temperature Range: –55°C to 125°C
  • Low Power Consumption, Typical 1.7mA per Channel at 1Mbps
  • Low Propagation Delay: 11ns Typical (5V Supplies)
  • Industry leading CMTI (min): ±100kV/µs
  • Robust Electromagnetic Compatibility (EMC)
  • System-Level ESD, EFT, and Surge Immunity
  • Low Emissions
  • Isolation Barrier Life: > 40 Years
  • SOIC-16 Wide Body (DW) and Extra-Wide Body (DWW) Package Options
  • Safety-Related Certifications:
    • 8000VPK Reinforced Isolation per DIN EN IEC 60747-17 (VDE 0884-17)
    • 5.7kVRMS Isolation for 1 Minute per UL 1577

    • IEC 61010-1, IEC 62368-1, IEC 60601-1, and GB 4943.1 certifications
  • Signaling Rate: Up to 100Mbps
  • Wide Supply Range: 2.25V to 5.5V
  • 2.25V to 5.5V Level Translation
  • Wide Temperature Range: –55°C to 125°C
  • Low Power Consumption, Typical 1.7mA per Channel at 1Mbps
  • Low Propagation Delay: 11ns Typical (5V Supplies)
  • Industry leading CMTI (min): ±100kV/µs
  • Robust Electromagnetic Compatibility (EMC)
  • System-Level ESD, EFT, and Surge Immunity
  • Low Emissions
  • Isolation Barrier Life: > 40 Years
  • SOIC-16 Wide Body (DW) and Extra-Wide Body (DWW) Package Options
  • Safety-Related Certifications:
    • 8000VPK Reinforced Isolation per DIN EN IEC 60747-17 (VDE 0884-17)
    • 5.7kVRMS Isolation for 1 Minute per UL 1577

    • IEC 61010-1, IEC 62368-1, IEC 60601-1, and GB 4943.1 certifications

The ISO7831x device is a high-performance, 3-channel digital isolator with 8000VPK isolation voltage. This device has reinforced isolation certifications according to VDE, CSA, TUV and CQC. The isolator provides high electromagnetic immunity and low emissions at low power consumption, while isolating CMOS or LVCMOS digital I/Os.

Each isolation channel has a logic input and output buffer separated by silicon dioxide (SiO2) insulation barrier. This device comes with enable pins which can be used to put the respective outputs in high impedance for multi-master driving applications and to reduce power consumption. The ISO7831x device has two forward and one reverse-direction channels. If the input power or signal is lost, the default output is high for the ISO7831 device and low for the ISO7831F device. See for further details.

Used in conjunction with isolated power supplies, this device helps prevent noise currents on a data bus or other circuits from entering the local ground and interfering with or damaging sensitive circuitry. Through remarkable chip design and layout techniques, electromagnetic compatibility of ISO7831x has been significantly enhanced to ease system-level ESD, EFT, surge, and emissions compliance. ISO7831x is available in a 16-pin SOIC wide-body (DW) and extra-wide body (DWW) packages.

The ISO7831x device is a high-performance, 3-channel digital isolator with 8000VPK isolation voltage. This device has reinforced isolation certifications according to VDE, CSA, TUV and CQC. The isolator provides high electromagnetic immunity and low emissions at low power consumption, while isolating CMOS or LVCMOS digital I/Os.

Each isolation channel has a logic input and output buffer separated by silicon dioxide (SiO2) insulation barrier. This device comes with enable pins which can be used to put the respective outputs in high impedance for multi-master driving applications and to reduce power consumption. The ISO7831x device has two forward and one reverse-direction channels. If the input power or signal is lost, the default output is high for the ISO7831 device and low for the ISO7831F device. See for further details.

Used in conjunction with isolated power supplies, this device helps prevent noise currents on a data bus or other circuits from entering the local ground and interfering with or damaging sensitive circuitry. Through remarkable chip design and layout techniques, electromagnetic compatibility of ISO7831x has been significantly enhanced to ease system-level ESD, EFT, surge, and emissions compliance. ISO7831x is available in a 16-pin SOIC wide-body (DW) and extra-wide body (DWW) packages.
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設計與開發

如需其他條款或必要資源，請按一下下方的任何標題以檢視詳細頁面 (如有)。

開發板

DIGI-ISO-EVM — 通用數位隔離器評估模組

DIGI-ISO-EVM 是一款評估模組 (EVM)，可評估任何 TI 單通道、雙通道、三通道、四通道或六通道數位隔離器裝置，並提供五種不同封裝 - 8 接腳窄體 SOIC (D)、8 接腳寬體 SOIC (DWV)、16 接腳寬體 SOIC (DWW)、16 接腳超寬體 SOIC (DWW) 和 16 接腳 (DBQ) 封裝。EVM 具備足夠 Berg 接腳選項，可用於評估具最少外部零組件的裝置。

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支援產品和硬體
有庫存
限制：
??asset.out-of-stock-ti_zh_TW??
無法提供
開發板

ISO7842-EVM — 高抗擾度、5.7kVRMS 強化四通道 2/2 數位隔離器評估模組

ISO7842 可提供符合 UL 標準且高達 5700 VRMS 的電氣隔離能力（持續 1 分鐘），以及符合 VDE 標準的 8000 VPK 電氣隔離能力。此裝置具有四個隔離通道，每個通道皆由邏輯輸入與輸出緩衝器組成，兩者之間以二氧化矽 (SiO2) 絕緣隔離層加以隔離。與隔離電源結合使用時，此這些裝置可防止資料匯流排或其他電路上的雜訊進入本地接地並干擾或損壞敏感電路。

ISO7842-EVM 可協助設計人員評估裝置性能，支援快速開發與分析隔離式系統。EVM 支援評估採用 16 針腳 SOIC 封裝的任何 TI 四通道數位隔離器變體。

使用指南: PDF
支援產品和硬體
有庫存
限制：
??asset.out-of-stock-ti_zh_TW??
無法提供
子卡

LMG3410-HB-EVM — LMG3410R070 600V 70mΩ GaN 半橋子板

LMG34XX-BB-EVM 是一款易於使用的分接板，可當作同步降壓轉換器配置任何 LMG34XX 半橋電路板，例如 LMG3410-HB-EVM。  透過提供功率級、偏壓電源和邏輯電路，此 EVM 可快速測量 GaN 裝置切換。  此 EVM 能夠提供最高 8 A 的輸出電流，運用適當的溫度管理 (強制空氣、低頻率運作等)，確保不超過最高運作溫度。  EVM 屬於開迴路電路板，不適合執行瞬態量測。
只需要單脈衝寬度調變輸入，具有互補脈衝寬度調變訊號，和板上產生的對應失效時間。  使用具有短接地彈簧的示波器探針，提供探針點來測量主要邏輯和功率級波形。
 
LMG3410-HB-EVM (...)
使用指南: PDF
支援產品和硬體
有庫存
限制：
??asset.out-of-stock-ti_zh_TW??
無法提供
模擬型號

ISO7831 IBIS Model (Rev. B)

SLLM286B.ZIP (104 KB) - IBIS 模型
支援產品和硬體
模擬型號

ISO7831F IBIS Model

SLLM288.IBS (243 KB) - IBIS 模型
支援產品和硬體
參考設計

PMP20873 — 效率高達 99% 且基於 GaN 的 1kW CCM 圖騰柱功率因數校正 (PFC) 轉換器參考設計

連續導通模式 (CCM) 圖騰柱功率因數校正 (PFC) 是一款簡單但有效率的電源轉換器。  若要達到 99% 效率，必須考量許多設計細節。  PMP20873 參考設計採用 TI 的 600VGaN 功率級 LMG3410，以及 TI 的 UCD3138 數位控制器。  設計概覽提供關於 CCM 圖騰柱拓撲結構運作的更多細節，說明電路的詳細設計考量，以及磁性元件與韌體控制的設計考量。此轉換器設計的運作頻率為 100KHz。在 AC 線路交越時採用緩啟動可將電流突波最小化，並降低 THD。  PFC 韌體會即時量測 AC 電流與 PFC (...)
支援產品和硬體
參考設計

TIDM-02008 — 使用 C2000™ MCU 的雙向高密度 GaN CCM 圖騰柱 PFC

此參考設計為 3kW 雙向交錯式連續傳導模式 (CCM) 圖騰柱 (TTPL) 免橋接功率因數校正 (PFC) 功率級，使用 C2000™ 即時控制器和 LMG3410R070 氮化鎵 (GaN)，並具備整合式驅動器和防護功能。  此電源拓撲結構可進行雙向電源流動 (PFC 與併網型逆變器)，並使用 LMG341x GaN 裝置，可提升電源供應器的效率並縮小尺寸。此設計支援切相和適應性失效時間，以提升效率、在輕負載情況下提供改善功率因數的輸入電容方案，以及在 PFC 模式瞬態下降低電壓突波的非線性電壓迴路。此參考設計提供的軟硬體可加快上市時間。

 

支援產品和硬體
參考設計

TIDM-1007 — 高效率 GaN CCM 圖騰柱免橋接功率因數校正 (PFC) 參考設計

交錯式連續傳導模式 (CCM) 圖騰柱 (TTPL) 免橋接功率因數校正 (PFC) 是一種具吸引力的電源拓撲，採用高能隙 GaN 裝置，因其電源供應器效率高且體積小。此設計展示使用 C2000™ MCU 和 LMG3410 GaN FET 模組控制此功率級的方法。實作適應性死區時間與切相方法以提升效率。  非線性電壓補償器的設計目的在於減少瞬態期間的過衝和欠衝。選擇軟體相位鎖定迴路 (SPLL) 架構來準確驅動圖騰柱橋接器。採用此設計的軟硬體能夠加快上市時間。
支援產品和硬體
封裝 針腳 CAD 符號、佔位空間與 3D 模型
SOIC (DW) 16 Ultra Librarian
SOIC (DWW) 16 Ultra Librarian
適用 TI 的評估品項標準條款與條件。

訂購與品質

建議產品可能具有與此 TI 產品相關的參數、評估模組或參考設計。

支援與培訓

內含 TI 工程師技術支援的 TI E2E™ 論壇

以英文檢視所有論壇主題

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