홈 전력 관리 게이트 드라이버 절연 게이트 드라이버
홈
전력 관리
게이트 드라이버
절연 게이트 드라이버

UCC21220A

활성

Basic, 4A/6A dual-channel isolated gate driver w/ disable

지금 주문하기
데이터 시트
사용자 가이드

UCC21220A

활성
데이터 시트 지금 주문하기

제품 상세 정보

Number of channels 2 Isolation rating Basic Power switch IGBT, MOSFET Withstand isolation voltage (VISO) (Vrms) 3000 Working isolation voltage (VIOWM) (Vrms) 990 Transient isolation voltage (VIOTM) (VPK) 4242 Peak output current (A) 6 Peak output current (source) (typ) (A) 4 Peak output current (sink) (typ) (A) 6 Features Disable Output VCC/VDD (min) (V) 6 Output VCC/VDD (max) (V) 18 Input supply voltage (min) (V) 3 Input supply voltage (max) (V) 5.5 Propagation delay time (µs) 0.028 Input threshold CMOS, TTL Operating temperature range (°C) -40 to 125 Rating Catalog Rise time (ns) 5 Fall time (ns) 6 Undervoltage lockout (typ) (V) 5
Number of channels 2 Isolation rating Basic Power switch IGBT, MOSFET Withstand isolation voltage (VISO) (Vrms) 3000 Working isolation voltage (VIOWM) (Vrms) 990 Transient isolation voltage (VIOTM) (VPK) 4242 Peak output current (A) 6 Peak output current (source) (typ) (A) 4 Peak output current (sink) (typ) (A) 6 Features Disable Output VCC/VDD (min) (V) 6 Output VCC/VDD (max) (V) 18 Input supply voltage (min) (V) 3 Input supply voltage (max) (V) 5.5 Propagation delay time (µs) 0.028 Input threshold CMOS, TTL Operating temperature range (°C) -40 to 125 Rating Catalog Rise time (ns) 5 Fall time (ns) 6 Undervoltage lockout (typ) (V) 5
SOIC (D) 16 59.4 mm² (9.9 mm × 6 mm)
  • Universal: dual low-side, dual high-side or half-bridge driver
  • Supports basic and functional isolation
  • CMTI greater than 125V/ns
  • Up to 4A peak source, 6A peak sink output
  • Switching parameters:
    • 33ns typical propagation delay
    • 5ns maximum pulse-width distortion
    • 10µs maximum VDD power-up delay
  • Up to 25V VDD output drive supply
    • 5V and 8V VDD UVLO Options
  • Junction temperature range (Tj) –40°C to 150°C
  • Narrow body SOIC-16 (D) package
  • TTL and CMOS compatible inputs
  • Safety-related certifications:
    • 4242VPK isolation per DIN EN IEC 60747-17 (VDE 0884-17) (planned)
    • 3000VRMS isolation for 1 minute per UL 1577 (planned)
    • CQC certification per GB4943.1-2022 (planned)
  • Universal: dual low-side, dual high-side or half-bridge driver
  • Supports basic and functional isolation
  • CMTI greater than 125V/ns
  • Up to 4A peak source, 6A peak sink output
  • Switching parameters:
    • 33ns typical propagation delay
    • 5ns maximum pulse-width distortion
    • 10µs maximum VDD power-up delay
  • Up to 25V VDD output drive supply
    • 5V and 8V VDD UVLO Options
  • Junction temperature range (Tj) –40°C to 150°C
  • Narrow body SOIC-16 (D) package
  • TTL and CMOS compatible inputs
  • Safety-related certifications:
    • 4242VPK isolation per DIN EN IEC 60747-17 (VDE 0884-17) (planned)
    • 3000VRMS isolation for 1 minute per UL 1577 (planned)
    • CQC certification per GB4943.1-2022 (planned)

The UCC21220 and UCC21220A devices are basic and functional isolated dual-channel gate drivers with 4A peak-source and 6A peak-sink current. They are designed to drive power MOSFETs and GaNFETs in PFC, Isolated DC/DC, and synchronous rectification applications, with fast switching performance and robust ground bounce protection through greater than 125V/ns common-mode transient immunity (CMTI).

These devices can be configured as two low-side drivers, two high-side drivers, or half-bridge drivers. Two outputs can be paralleled to form a single driver which doubles the drive strength for heavy load conditions due to the best-in-class delay matching performance.

Protection features include the following: DIS pin shuts down both outputs simultaneously when it is set high, all supplies have undervoltage lockout (UVLO), and active pulldown protection clamps the output below 2V when unpowered or floated.

With these features, these devices enable high efficiency, high power density, and robustness in a wide variety of power applications.

The UCC21220 and UCC21220A devices are basic and functional isolated dual-channel gate drivers with 4A peak-source and 6A peak-sink current. They are designed to drive power MOSFETs and GaNFETs in PFC, Isolated DC/DC, and synchronous rectification applications, with fast switching performance and robust ground bounce protection through greater than 125V/ns common-mode transient immunity (CMTI).

These devices can be configured as two low-side drivers, two high-side drivers, or half-bridge drivers. Two outputs can be paralleled to form a single driver which doubles the drive strength for heavy load conditions due to the best-in-class delay matching performance.

Protection features include the following: DIS pin shuts down both outputs simultaneously when it is set high, all supplies have undervoltage lockout (UVLO), and active pulldown protection clamps the output below 2V when unpowered or floated.

With these features, these devices enable high efficiency, high power density, and robustness in a wide variety of power applications.
filter 기타 절연 게이트 드라이버 찾기
다운로드 스크립트와 함께 비디오 보기 비디오

관심 가지실만한 유사 제품

open-in-new 대안 비교
비교 대상 장치와 동일한 기능을 지원하는 핀 대 핀.
UCC21225A 활성 듀얼 입력, 5V UVLO를 지원하는 2.5kVrms, 4A/6A 듀얼 채널 절연 게이트 드라이버 Smaller package, supports 2.5-kVrms isolation voltage

기술 자료

검색된 결과가 없습니다. 검색어를 지우고 다시 시도하세요.
12개 모두 보기
상위 문서 유형 직함 형식 옵션 최신 영어 버전 다운로드 날짜
* 데이터 시트 UCC21220, UCC21220A 4A, 6A, Dual-Channel Basic and Functional Isolated Gate Drivers with High Noise Immunity datasheet (Rev. G) PDF | HTML 2024. 11. 8
* 사용 설명서 Gate Drive Voltage vs. Efficiency 2019. 4. 25
인증서 VDE Certificate for Basic Isolation for DIN EN IEC 60747-17 (Rev. AA) 2026. 6. 11
테스트 보고서 Peak Efficiency at 99%, 585-W High-Voltage Buck Reference Design 2020. 4. 24
Application brief External Gate Resistor Selection Guide (Rev. A) 2020. 2. 28
Application brief Understanding Peak IOH and IOL Currents (Rev. A) 2020. 2. 28
인증서 UL Certification E181974 Vol 4. Sec 9 (Rev. A) 2019. 7. 22
Application brief How to Drive High Voltage GaN FETs with UCC21220A 2019. 3. 6
백서 Impact of an isolated gate driver (Rev. A) 2019. 2. 20
애플리케이션 노트 Common Mode Transient Immunity (CMTI) for UCC2122x Isolated Gate Drivers 2018. 7. 19
애플리케이션 노트 Solar Inverter Layout Considerations for UCC21220 2018. 6. 6
백서 Demystifying high-voltage power electronics for solar inverters 2018. 6. 6

설계 및 개발

추가 조건 또는 필수 리소스는 사용 가능한 경우 아래 제목을 클릭하여 세부 정보 페이지를 확인하세요.

평가 보드

UCC21220EVM-009 — UCC21220 4A, 6A 3.0kVRMS 절연 듀얼 채널 게이트 드라이버 평가 모듈

UCC21220EVM-009는 4.0A 소스, 6.0A 싱크 피크 전류 기능을 지원하는 3.0kVRMS 절연 듀얼 채널 게이트 드라이버인 UCC21220을 평가하도록 설계되었습니다. 이 EVM은 데이터 시트를 기준으로 드라이버 IC를 평가하는 데 사용할 수 있습니다. EVM은 드라이버 IC 구성 요소 선택 가이드로 사용할 수도 있습니다. EVM을 사용하여 게이트 드라이버 성능에 대한 PCB 레이아웃의 영향을 확인할 수 있습니다.
사용 설명서: PDF
지원되는 제품 및 하드웨어
재고 있음
제한:
??asset.out-of-stock-ti_ko_KR??
이용할 수 없음
시뮬레이션 모델

UCC21220AD PSpice Transient Model

SLUM649.ZIP (58 KB) - PSpice 모델
지원되는 제품 및 하드웨어
시뮬레이션 모델

UCC21220AD Unencrypted PSpice Transient Model

SLUM650.ZIP (3 KB) - PSpice 모델
지원되는 제품 및 하드웨어
레퍼런스 디자인

PMP30446 — 표준 Si-MOSFET를 지원하는 99%의 피크 효율, 585W 고전압 벅 레퍼런스 설계

이 레퍼런스 설계는 450V~780V 범위의 DC 입력 소스를 1.5A에서 비절연 390V로 변환합니다. 실제 전력계는 표준 실리콘 부품만 사용하므로 이 설계는 SiC-FET 및 SiC 다이오드 벅 컨버터에 대한 대체 솔루션입니다. 600V 정격 장치를 사용하기 위해 입력 소스를 분할하여 두 동일한 벅 단계가 중심 포인트를 공유하도록 했습니다. 단일 커플 인덕터(1:1)는 중심 포인트의 균형을 자동으로 이룹니다. 2개의 소형 직렬 인덕터는 전압 불균형과 두 FET의 게이트 드라이브 지연 시간에 작은 변화가 발생할 경우 각 분기의 (...)
지원되는 제품 및 하드웨어
레퍼런스 디자인

PMP40500 — 54VDC 입력, 12V 42A 출력 하프 브리지 레퍼런스 설계

이 12V, 42A 출력 하프 브리지 레퍼런스 설계는 유선 네트워크 캠퍼스 및 브랜치 스위치에서 버스 컨버터를 위한 것입니다. 이 설계는 높은 효율 및 다양한 결함(과전류 및 단락) 보호 기능을 제공합니다. 이 설계는 3kVRMS 기본 및 기능 절연 게이트 드라이버 UCC21220D, UCC21220AD, UCC21222D 및 5.7kRMS 강화 절연 게이트 드라이버 UCC21540D, UCC21540DWK 및 UCC21541DW를 사용한 효율성 비교를 제공합니다.

지원되는 제품 및 하드웨어
패키지 핀 CAD 기호, 풋프린트 및 3D 모델
SOIC (D) 16 Ultra Librarian
TI의 평가 항목에 대한 표준 약관이 적용됩니다.

주문 및 품질

권장 제품에는 본 TI 제품과 관련된 매개 변수, 평가 모듈 또는 레퍼런스 디자인이 있을 수 있습니다.

지원 및 교육

TI 엔지니어의 기술 지원을 받을 수 있는 TI E2E™ 포럼

포럼 주제 모두 보기(영문)

콘텐츠는 TI 및 커뮤니티 기고자에 의해 "있는 그대로" 제공되며 TI의 사양으로 간주되지 않습니다. 사용 약관을 참조하십시오.

품질, 패키징, TI에서 주문하는 데 대한 질문이 있다면 TI 지원을 방문하세요. ​​​​​​​​​​​​​​

동영상