TPS7H6005-SEP
- Radiation performance:
- Radiation-hardness-assurance (RHA) up to total ionizing dose (TID) of 100krad(Si)
- Single-event transient (SET), single-event burnout (SEB), and single-event gate rupture (SEGR) immune to linear energy transfer (LET) = 75MeV-cm2/mg
- Single-event transient (SET) and single-event functional interrupt (SEFI) characterized up to LET = 75MeV-cm2/mg
- 1.3A peak source, 2.5A peak sink current
- Two operational modes:
- Single PWM input with adjustable dead time
- Two independent inputs
- Selectable input interlock protection in independent input mode
- Split outputs for adjustable turn-on and turn-off times
- 30ns typical propagation delay in independent input mode
- 5.5ns typical delay matching
- Plastic packages outgas tested per ASTM E595
- Available in military temperature range (–55°C to 125°C)
The TPS7H60x5 series of radiation-hardness-assured (RHA) gallium nitride (GaN) field effect transistor (FET) gate drivers is designed for high frequency, high efficiency, and high current applications. The series consists of the TPS7H6005 (200V rating), the TPS7H6015 (60V rating), and the TPS7H6025 (22V rating). Each of these devices has a 56-pin HTSSOP plastic package and availability in both the QMLP and Space Enhanced Plastic (SEP) grades. The drivers feature adjustable dead time capability, small 30ns propagation delay, and 5.5ns high-side and low-side matching. These parts also include internal high-side and low-side LDOs, which ensure a drive voltage of 5V regardless of supply voltage. The TPS7H60x5 drivers all have split-gate outputs, providing flexibility to adjust the turn-on and turn-off strength of the outputs independently.
The TPS7H60x5 drivers feature two control input modes: independent input mode (IIM) and PWM mode. In IIM each of the outputs is controlled by a dedicated input. In PWM mode, two complementary outputs signals are generated from a single input and the user can adjust the dead time for each edge.
The gate drivers also offer user configurable input interlock in independent input mode as anti-shoot through protection. Input interlock disallows turn-on of both outputs when both inputs are on simultaneously. The user has the option to enable or disable this protection in independent input mode, which allows the driver to be used in a number of different converter configurations. The drivers can also be utilized for both half-bridge and dual-low side converter applications.
기술 자료
| 상위 문서 | 유형 | 직함 | 형식 옵션 | 최신 영어 버전 다운로드 | 날짜 |
|---|---|---|---|---|---|
| * | 데이터 시트 | TPS7H60x5-SP and TPS7H60x5-SEP Radiation-Hardness-Assured Half Bridge GaN FET Gate Drivers datasheet (Rev. C) | PDF | HTML | 2025. 4. 11 | |
| * | 방사능 및 안정성 보고서 | TPS7H6005-SP/-SEP, TPS7H6015-SP/-SEP, TPS7H6025-SP/-SEP Neutron Displacement Damage Characterization Report (Rev. B) | 2025. 12. 5 | ||
| * | 방사능 및 안정성 보고서 | TPS7H6005-SEP Production Flow and Reliability Report (Rev. A) | PDF | HTML | 2025. 2. 24 | |
| * | 방사능 및 안정성 보고서 | TPS7H6005-SEP Total Ionizing Dose (TID) Report | PDF | HTML | 2024. 12. 10 | |
| * | 방사능 및 안정성 보고서 | TPS7H60X5-SEP Single-Event Effects (SEE) Report | PDF | HTML | 2024. 11. 14 | |
| * | VID | TPS7H6005-SEP VID TPS7H6005-SEP V62-24632 | 2025. 4. 8 | ||
| 선택 가이드 | TI Space Products (Rev. L) | 2026. 3. 27 | |||
| 기술 문서 | 전력 시스템으로 차세대 위성의 SWaP를 최적화하는 방법 (Rev. A) | PDF | HTML | Download English Version (Rev.A) | 2025. 3. 20 | |
| 애플리케이션 노트 | Reduce the Risk in Low-Earth Orbit Missions with Space Enhanced Plastic Products (Rev. A) | PDF | HTML | 2022. 9. 15 | ||
| e북 | Radiation Handbook for Electronics (Rev. A) | 2019. 5. 21 |
설계 및 개발
추가 조건 또는 필수 리소스는 사용 가능한 경우 아래 제목을 클릭하여 세부 정보 페이지를 확인하세요.
TPS7H6005EVM — TPS7H6005-SEP 평가 모듈
TPS7H6005 평가 모듈은 TPS7H6005-SEP 게이트 드라이버의 작동을 보여줍니다. 기본적으로 평가 모듈은 하나의 스위칭 신호 입력을 수용하고 내부적으로 보완전 신호를 생성하는 TPS7H60XX-SP의 PWM 모드로 실행되도록 설정되어 있습니다. 이 모드는 두 출력이 서로 독립적으로 작동하는 장치의 IIM 모드로 변경할 수 있습니다.
PMP23552 — 우주항공 업무를 위한 50VIN~150VIN, 28V, 12A 동기 벅 컨버터 레퍼런스 설계
PMP23598 — 우주 애플리케이션을 위한 75W 동기 포워드 컨버터 참조 설계
이 레퍼런스 설계는 방사능 내성 TPS7H5020-SEP PWM 컨트롤러와 방사선 내성 TPS7H6005-SEP 200V GaN 하프브리지 게이트 드라이버를 사용하여 고효율 동기 포워드 토폴로지를 구현합니다. 출력 전압을 정확하게 직접 감지하고 높은 루프 대역폭을 달성하기 위해 PWM 컨트롤러는 2차 측에 배치됩니다. 하프브리지 게이트 드라이버 내의 커패시티브 절연 TX 및 RX 레벨 시프터는 전기적 절연을 유지하면서 PWM 파형을 2차 측에서 1차 측으로 전달합니다.
PMP23661 — 전류 더블러 컨버터를 지원하는 500W, 12V 출력, ZVS 풀 브리지 레퍼런스 설계
이 레퍼런스 설계는 4개의 TPS7H6005-SEP 하프 브리지 게이트 드라이버를 제어하는, 2차 접지에서 참조된 하나의 TPS7H5005-SEP로 구성된 풀 브리지 토폴로지입니다. 1차측으로 참조되는 2개의 드라이버는 PWM 모드로 작동하여 설계가 더 높은 부하 조건에서 ZVS(제로 전압 스위칭)를 달성할 수 있도록 합니다. 2차측에서는 다른 드라이버가 전류 더블러 구성에서 2차 정류기 쌍을 제어하여 변환 효율을 더욱 향상시킵니다. 이 설계에서 컨트롤러, 하프 브리지 드라이버 및 GaN FET(전계 효과 트랜지스터)는 (...)
| 패키지 | 핀 | CAD 기호, 풋프린트 및 3D 모델 |
|---|---|---|
| HTSSOP (DCA) | 56 | Ultra Librarian |
주문 및 품질
권장 제품에는 본 TI 제품과 관련된 매개 변수, 평가 모듈 또는 레퍼런스 디자인이 있을 수 있습니다.