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고속 연산 증폭기(GBW ≥ 50MHz)

OPA2365

활성

5V, 50MHz, 정밀, 고 CMRR, 레일 간 연산 증폭기

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제품 상세 정보

Architecture FET / CMOS Input, Voltage FB Number of channels 2 Total supply voltage (+5 V = 5, ±5 V = 10) (min) (V) 2.2 Total supply voltage (+5 V = 5, ±5 V = 10) (max) (V) 5.5 GBW (typ) (MHz) 50 BW at Acl (MHz) 50 Acl, min spec gain (V/V) 1 Slew rate (typ) (V/µs) 25 Vn at flatband (typ) (nV√Hz) 4.5 Vn at 1 kHz (typ) (nV√Hz) 4.5 Iq per channel (typ) (mA) 4.6 Vos (offset voltage at 25°C) (max) (mV) 0.2 Rail-to-rail In, Out Features Zero Crossover Rating Catalog Operating temperature range (°C) -40 to 125 CMRR (typ) (dB) 120 Input bias current (max) (pA) 10 Offset drift (typ) (µV/°C) 1 Iout (typ) (mA) 65
Architecture FET / CMOS Input, Voltage FB Number of channels 2 Total supply voltage (+5 V = 5, ±5 V = 10) (min) (V) 2.2 Total supply voltage (+5 V = 5, ±5 V = 10) (max) (V) 5.5 GBW (typ) (MHz) 50 BW at Acl (MHz) 50 Acl, min spec gain (V/V) 1 Slew rate (typ) (V/µs) 25 Vn at flatband (typ) (nV√Hz) 4.5 Vn at 1 kHz (typ) (nV√Hz) 4.5 Iq per channel (typ) (mA) 4.6 Vos (offset voltage at 25°C) (max) (mV) 0.2 Rail-to-rail In, Out Features Zero Crossover Rating Catalog Operating temperature range (°C) -40 to 125 CMRR (typ) (dB) 120 Input bias current (max) (pA) 10 Offset drift (typ) (µV/°C) 1 Iout (typ) (mA) 65
SOIC (D) 8 29.4 mm² 4.9 x 6
  • Gain bandwidth: 50 MHz
  • Zerø-crossover distortion topology:
    • Excellent THD+N: 0.0004%
    • CMRR: 100 dB (minimum)
    • Rail-to-rail input and output
      • Input 100 mV beyond supply rail
  • Low noise: 4.5 nV/√ Hz at 100 kHz
  • Slew rate: 25 V/µs
  • Fast settling: 0.3 µs to 0.01%
  • Precision:
    • Low offset: 100 µV
    • Low input bias current: 0.2 pA
  • 2.2-V to 5.5-V operation
  • Gain bandwidth: 50 MHz
  • Zerø-crossover distortion topology:
    • Excellent THD+N: 0.0004%
    • CMRR: 100 dB (minimum)
    • Rail-to-rail input and output
      • Input 100 mV beyond supply rail
  • Low noise: 4.5 nV/√ Hz at 100 kHz
  • Slew rate: 25 V/µs
  • Fast settling: 0.3 µs to 0.01%
  • Precision:
    • Low offset: 100 µV
    • Low input bias current: 0.2 pA
  • 2.2-V to 5.5-V operation

The OPA365 and OPA2365 (OPAx365) zerø-crossover series, rail-to-rail, high-performance, CMOS operational amplifiers are optimized for very low voltage, single-supply applications. Rail-to-rail input or output, low-noise (4.5 nV/√ Hz), and high-speed operation (50-MHz gain bandwidth) make these devices an excellent choice for driving sampling analog-to-digital converters (ADCs). Applications include audio, signal conditioning, and sensor amplification.

Special features include an excellent common-mode rejection ratio (CMRR), no input stage crossover distortion, high input impedance, and rail-to-rail input and output swing. The input common-mode range includes both the negative and positive supplies. The output voltage swing is within 10 mV of the rails.

The OPA365 (single version) is available in the micro-size SOT23-5 (SOT-5) and SOIC-8 packages. The OPA2365 (dual version) is offered in the SOIC-8 package. All versions are specified for operation from −40°C to +125°C. Single and dual versions have identical specifications for maximum design flexibility.

The OPA365 and OPA2365 (OPAx365) zerø-crossover series, rail-to-rail, high-performance, CMOS operational amplifiers are optimized for very low voltage, single-supply applications. Rail-to-rail input or output, low-noise (4.5 nV/√ Hz), and high-speed operation (50-MHz gain bandwidth) make these devices an excellent choice for driving sampling analog-to-digital converters (ADCs). Applications include audio, signal conditioning, and sensor amplification.

Special features include an excellent common-mode rejection ratio (CMRR), no input stage crossover distortion, high input impedance, and rail-to-rail input and output swing. The input common-mode range includes both the negative and positive supplies. The output voltage swing is within 10 mV of the rails.

The OPA365 (single version) is available in the micro-size SOT23-5 (SOT-5) and SOIC-8 packages. The OPA2365 (dual version) is offered in the SOIC-8 package. All versions are specified for operation from −40°C to +125°C. Single and dual versions have identical specifications for maximum design flexibility.
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