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LM7480-Q1

활성

역병렬 NFET를 구동하는 3V~65V, 오토모티브 이상적 다이오드 컨트롤러

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LM7480-Q1

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제품 상세 정보

Vin (max) (V) 65 Vin (min) (V) 3 FET External back-to-back FET Device type Ideal diode controller Number of channels 2 Rating Automotive Features Automotive load dump compatibility, Inrush current control, Linear control, Overvoltage protection, Reverse current blocking, Reverse polarity protection Imax (A) 300 Iq (typ) (mA) 0.412 Iq (max) (mA) 0.495 TI functional safety category Functional Safety-Capable IGate source (typ) (µA) 20000 IGate sink (typ) (mA) 2670 IGate pulsed (typ) (A) 2.6 Operating temperature range (°C) -40 to 125 VSense reverse (typ) (mV) -4.5 Design support EVM, Simulation Model VGS (max) (V) 15 Shutdown current (ISD) (mA) (A) 0.003 Product type Ideal diode controller
Vin (max) (V) 65 Vin (min) (V) 3 FET External back-to-back FET Device type Ideal diode controller Number of channels 2 Rating Automotive Features Automotive load dump compatibility, Inrush current control, Linear control, Overvoltage protection, Reverse current blocking, Reverse polarity protection Imax (A) 300 Iq (typ) (mA) 0.412 Iq (max) (mA) 0.495 TI functional safety category Functional Safety-Capable IGate source (typ) (µA) 20000 IGate sink (typ) (mA) 2670 IGate pulsed (typ) (A) 2.6 Operating temperature range (°C) -40 to 125 VSense reverse (typ) (mV) -4.5 Design support EVM, Simulation Model VGS (max) (V) 15 Shutdown current (ISD) (mA) (A) 0.003 Product type Ideal diode controller
WSON (DRR) 12 9 mm² (3 mm × 3 mm)
  • AEC-Q100 qualified for automotive applications
    • Device temperature grade 1: –40°C to +125°C ambient operating temperature range
    • Device HBM ESD classification level 2
    • Device CDM ESD classification level C4B
  • 3-V to 65-V input range
  • Reverse input protection down to –65 V
  • Drives external back-to-back N-Channel MOSFETs in common drain and common source configurations
  • Ideal diode operation with 10.5-mV A to C forward voltage drop regulation (LM74800-Q1)
  • Low reverse detection threshold (–4.5 mV) with fast response (0.5 µs)
  • 20-mA peak gate (DGATE) turnon current
  • 2.6-A peak DGATE turnoff current
  • Adjustable overvoltage protection
  • Low 2.87-µA shutdown current (EN/UVLO=Low)
  • Meets automotive ISO7637 transient requirements with a suitable TVS diode
  • Available in space saving 12-Pin WSON package
  • AEC-Q100 qualified for automotive applications
    • Device temperature grade 1: –40°C to +125°C ambient operating temperature range
    • Device HBM ESD classification level 2
    • Device CDM ESD classification level C4B
  • 3-V to 65-V input range
  • Reverse input protection down to –65 V
  • Drives external back-to-back N-Channel MOSFETs in common drain and common source configurations
  • Ideal diode operation with 10.5-mV A to C forward voltage drop regulation (LM74800-Q1)
  • Low reverse detection threshold (–4.5 mV) with fast response (0.5 µs)
  • 20-mA peak gate (DGATE) turnon current
  • 2.6-A peak DGATE turnoff current
  • Adjustable overvoltage protection
  • Low 2.87-µA shutdown current (EN/UVLO=Low)
  • Meets automotive ISO7637 transient requirements with a suitable TVS diode
  • Available in space saving 12-Pin WSON package

The LM7480x-Q1 ideal diode controller drives and controls external back to back N-Channel MOSFETs to emulate an ideal diode rectifier with power path ON/OFF control and overvoltage protection. The wide input supply of 3 V to 65 V allows protection and control of 12-V and 24-V automotive battery powered ECUs. The device can withstand and protect the loads from negative supply voltages down to –65 V. An integrated ideal diode controller (DGATE) drives the first MOSFET to replace a Schottky diode for reverse input protection and output voltage holdup. With a second MOSFET in the power path the device allows load disconnect (ON/OFF control) and overvoltage protection using HGATE control. The device features an adjustable overvoltage cut-off protection feature. LM7480-Q1 has two variants, LM74800-Q1 and LM74801-Q1. LM74800-Q1 employs reverse current blocking using linear regulation and comparator scheme vs. LM74801-Q1 which supports comparator based scheme. With Common Drain configuration of the power MOSFETs, the mid-point can be utilized for OR-ing designs using an another ideal diode. The LM7480x-Q1 has a maximum voltage rating of 65 V. The loads can be protected from extended overvoltage transients like 200-V Unsuppressed Load Dumps in 24-V Battery systems by configuring the device with external MOSFETs in Common Source topology.

The LM7480x-Q1 ideal diode controller drives and controls external back to back N-Channel MOSFETs to emulate an ideal diode rectifier with power path ON/OFF control and overvoltage protection. The wide input supply of 3 V to 65 V allows protection and control of 12-V and 24-V automotive battery powered ECUs. The device can withstand and protect the loads from negative supply voltages down to –65 V. An integrated ideal diode controller (DGATE) drives the first MOSFET to replace a Schottky diode for reverse input protection and output voltage holdup. With a second MOSFET in the power path the device allows load disconnect (ON/OFF control) and overvoltage protection using HGATE control. The device features an adjustable overvoltage cut-off protection feature. LM7480-Q1 has two variants, LM74800-Q1 and LM74801-Q1. LM74800-Q1 employs reverse current blocking using linear regulation and comparator scheme vs. LM74801-Q1 which supports comparator based scheme. With Common Drain configuration of the power MOSFETs, the mid-point can be utilized for OR-ing designs using an another ideal diode. The LM7480x-Q1 has a maximum voltage rating of 65 V. The loads can be protected from extended overvoltage transients like 200-V Unsuppressed Load Dumps in 24-V Battery systems by configuring the device with external MOSFETs in Common Source topology.
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기술 자료

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* 데이터 시트 LM7480-Q1 Ideal Diode Controller with Load Dump Protection datasheet (Rev. C) PDF | HTML 2020. 12. 8
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설계 및 개발

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평가 보드

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사용 설명서: PDF | HTML
지원되는 제품 및 하드웨어
재고 있음
제한:
??asset.out-of-stock-ti_ko_KR??
이용할 수 없음
평가 보드

LM74800EVM-CS — LM7480-Q1 이상적인 다이오드 컨트롤러 평가 모듈

TI 평가 모듈 LM74800EVM-CD를 사용하면 설계자가 역방향 배터리 보호 애플리케이션에서 LM7480-Q1 이상적인 다이오드 컨트롤러(LM74800QDRR 및 LM74801QDRR)의 작동 및 성능을 평가할 수 있습니다. 이 평가 모듈은 LM7480-Q1이 스위칭 출력 및 전력 경로 차단을 위해 이상적인 다이오드 MOSFET을 먼저 연결한 다음 두 번째 MOSFET을 연결하여 두 개의 백-백 N 채널 전력 MOSFET을 제어하는 방법을 보여줍니다.

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??asset.out-of-stock-ti_ko_KR??
이용할 수 없음
시뮬레이션 모델

LM74800-Q1 PSPICE Transient Model

SLVMDB8.ZIP (145 KB) - PSpice 모델
지원되는 제품 및 하드웨어
시뮬레이션 모델

LM74800-Q1 TINA-TI Common Drain Transient Model

SLVMDD0.TSC (407 KB) - Tina-TI Spice 모델
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주문 및 품질

권장 제품에는 본 TI 제품과 관련된 매개 변수, 평가 모듈 또는 레퍼런스 디자인이 있을 수 있습니다.

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