LM74721-Q1
- AEC-Q100 qualified with the following results
- Device temperature grade 1: –40°C to +125°C ambient operating temperature range
- Device HBM ESD classification level 2
- Device CDM ESD classification level C4B
- 3-V to 65-V input range
- Reverse input protection down to –33 V
- Integrated VDS clamp for Input TVS less operation for ISO7637 pulse suppression
- Low quiescent current 35 µA (max) in operation
- Low 3.3-µA (max) shutdown current (EN = Low)
- Ideal diode operation with 17-mV A to C forward voltage drop regulation
- Drives external back-to-back N-Channel MOSFETs
- Integrated 30-mA boost regulator
- Fast response to reverse current blocking: 0.5 µs
- Active rectification up to 100 kHz
- Adjustable overvoltage protection
- Available in space saving 12-pin WSON package
- Pin-to-pin compatible with LM74720-Q1
The LM74721-Q1 ideal diode controller drives and controls external back to back N-Channel MOSFETs to emulate an ideal diode rectifier with power path ON and OFF control and overvoltage protection. The wide input supply of 3 V to 65 V allows protection and control of 12-V automotive battery powered ECUs. The device can withstand and protect the loads from negative supply voltages down to –33-V DC. An integrated ideal diode controller (GATE) drives the first MOSFET to replace a Schottky diode for reverse input protection and output voltage holdup. Integrated VDS clamp feature enables input TVS less system designs for automotive ISO7637 pulse suppression. A strong boost regulator with fast turn ON and OFF comparators ensures robust and efficient MOSFET switching performance during automotive testing such as ISO16750 or LV124, where an ECU is subjected to input short interruptions and AC superimpose input signals up to 100-kHz frequency. Low Quiescent Current 35 µA (maximum) in operation enables always ON system designs. With a second MOSFET in the power path, the device allows load disconnect control using EN pin. Quiescent current reduces to 3.3 µA (maximum) with EN low. The device features an adjustable overvoltage cutoff protection feature for load dump protection.
기술 자료
| 상위 문서 | 유형 | 직함 | 형식 옵션 | 최신 영어 버전 다운로드 | 날짜 |
|---|---|---|---|---|---|
| * | 데이터 시트 | LM74721-Q1 TVS Less Low IQ Automotive Reverse Battery Protection Ideal Diode Controller with Active Rectification datasheet (Rev. B) | PDF | HTML | 2022. 7. 7 | |
| 인증서 | LM74721EVM EU RoHS Declaration of Conformity (DoC) | 2022. 5. 27 | |||
| 아날로그 디자인 학술지 | Going TVS-less in Automotive Reverse Battery Protection Designs | PDF | HTML | 2021. 11. 18 | ||
| 기술 문서 | 3 ways to design a low quiescent-current (Iq) automotive reverse battery protectio | PDF | HTML | 2021. 11. 18 | ||
| 애플리케이션 노트 | Basics of Ideal Diodes (Rev. B) | PDF | HTML | 2021. 10. 5 | ||
| Application brief | Active Rectification and its Advantages in Automotive ECU Designs | PDF | HTML | 2021. 9. 29 | ||
| 아날로그 디자인 학술지 | Automotive EMC-compliant reverse-battery protection with ideal-diode controllers | 2020. 9. 22 |
설계 및 개발
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LM74721EVM — LM74721-Q1 이상적인 다이오드 컨트롤러를 위한 평가 모듈
설계자는 LM74721EVM EVM(평가 모듈)을 이용해 이 역방향 배터리 보호 애플리케이션에서 LM74721-Q1 이상적인 다이오드의 작동 및 성능을 평가할 수 있습니다. 이 평가 모듈은 낮은 IQ, 빠른 과도 응답을 위한 통합 부스트 레귤레이터와 입력 TVS를 위한 VDS 클램프를 갖춘 LM74721-Q1이 어떻게 더 적은 작동으로 이상적인 다이오드 MOSFET을 먼저 연결한 두 개의 백-백 N-채널 전원 MOSFET을 제어하는지, 스위치 출력 및 전원 경로 차단에 두 번째 MOSFET을 제어하는지 보여줍니다.
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