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Produktdetails

Bootstrap supply voltage (max) (V) 120 Power switch MOSFET Input supply voltage (min) (V) 8 Input supply voltage (max) (V) 17 Operating temperature range (°C) -40 to 140 Undervoltage lockout (typ) (V) 8 Rating Catalog Propagation delay time (µs) 0.02 Rise time (ns) 8 Fall time (ns) 7 Iq (mA) 0.001 Input threshold Pseudo-CMOS, TTL Channel input logic CMOS Switch node voltage (V) -12 Features Integrated bootstrap diode, Negative Voltage Handling on Input Driver configuration CMOS compatible, Dual, Noninverting
Bootstrap supply voltage (max) (V) 120 Power switch MOSFET Input supply voltage (min) (V) 8 Input supply voltage (max) (V) 17 Operating temperature range (°C) -40 to 140 Undervoltage lockout (typ) (V) 8 Rating Catalog Propagation delay time (µs) 0.02 Rise time (ns) 8 Fall time (ns) 7 Iq (mA) 0.001 Input threshold Pseudo-CMOS, TTL Channel input logic CMOS Switch node voltage (V) -12 Features Integrated bootstrap diode, Negative Voltage Handling on Input Driver configuration CMOS compatible, Dual, Noninverting
SOIC (D) 8 29.4 mm² (4.9 mm × 6 mm) WSON (DPR) 10 16 mm² (4 mm × 4 mm) VSON (DRM) 8 16 mm² (4 mm × 4 mm) HSOIC (DDA) 8 29.4 mm² (4.9 mm × 6 mm)
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