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Treiber für Gleichstrom-Bürstenmotoren

DRV8706-Q1

AKTIV

Intelligenter 40 V-H-Brücken-Gate-Treiber mit Offline-Diagnose und Inline-Strommessverstärker für

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DRV8706-Q1

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Produktdetails

Number of full bridges 1 Vs (min) (V) 4.5 Vs ABS (max) (V) 40 Sleep current (µA) 2.5 Control mode Independent 1/2-Bridge, PH/EN, PWM Control interface Hardware (GPIO), SPI Features Inline Current sense Amplifier, Smart Gate Drive Topology External FET Rating Automotive TI functional safety category Functional Safety-Capable Operating temperature range (°C) -40 to 125
Number of full bridges 1 Vs (min) (V) 4.5 Vs ABS (max) (V) 40 Sleep current (µA) 2.5 Control mode Independent 1/2-Bridge, PH/EN, PWM Control interface Hardware (GPIO), SPI Features Inline Current sense Amplifier, Smart Gate Drive Topology External FET Rating Automotive TI functional safety category Functional Safety-Capable Operating temperature range (°C) -40 to 125
VQFN (RHB) 32 25 mm² 5 x 5
  • AEC-Q100 qualified for automotive applications:
    • Temperature grade 1: –40°C to +125°C, TA
  • Functional Safety-Capable
  • H-bridge smart gate driver
    • 4.9-V to 37-V (40-V abs. max) operating range
    • Doubler charge pump for 100% PWM
    • Half-bridge and H-bridge control modes
  • Pin to pin gate driver variants
  • Smart gate drive architecture
    • Adjustable slew rate control
    • 0.5-mA to 62-mA peak source current output
    • 0.5-mA to 62-mA peak sink current output
    • Integrated dead-time handshaking
  • Wide common mode current shunt amplifier
    • Supports inline, high-side, or low-side
    • Adjustable gain settings (10, 20, 40, 80 V/V)
    • Integrated feedback resistors
    • Adjustable PWM blanking scheme
  • Multiple interface options available
    • SPI: Detailed configuration and diagnostics
    • H/W: Simplified control and less MCU pins
  • Spread spectrum clocking for EMI reduction
  • Compact VQFN package with wettable flanks
  • Integrated protection features
    • Dedicated driver disable pin (DRVOFF)
    • Supply and regulator voltage monitors
    • MOSFET VDS overcurrent monitors
    • MOSFET VGS gate fault monitors
    • Charge pump for reverse polarity MOSFET
    • Offline open load and short circuit diagnostics
    • Device thermal warning and shutdown
    • Fault condition interrupt pin (nFAULT)
  • AEC-Q100 qualified for automotive applications:
    • Temperature grade 1: –40°C to +125°C, TA
  • Functional Safety-Capable
  • H-bridge smart gate driver
    • 4.9-V to 37-V (40-V abs. max) operating range
    • Doubler charge pump for 100% PWM
    • Half-bridge and H-bridge control modes
  • Pin to pin gate driver variants
  • Smart gate drive architecture
    • Adjustable slew rate control
    • 0.5-mA to 62-mA peak source current output
    • 0.5-mA to 62-mA peak sink current output
    • Integrated dead-time handshaking
  • Wide common mode current shunt amplifier
    • Supports inline, high-side, or low-side
    • Adjustable gain settings (10, 20, 40, 80 V/V)
    • Integrated feedback resistors
    • Adjustable PWM blanking scheme
  • Multiple interface options available
    • SPI: Detailed configuration and diagnostics
    • H/W: Simplified control and less MCU pins
  • Spread spectrum clocking for EMI reduction
  • Compact VQFN package with wettable flanks
  • Integrated protection features
    • Dedicated driver disable pin (DRVOFF)
    • Supply and regulator voltage monitors
    • MOSFET VDS overcurrent monitors
    • MOSFET VGS gate fault monitors
    • Charge pump for reverse polarity MOSFET
    • Offline open load and short circuit diagnostics
    • Device thermal warning and shutdown
    • Fault condition interrupt pin (nFAULT)

The DRV8706-Q1 is a highly integrated H-bridge gate driver, capable of driving high-side and low-side N-channel power MOSFETs. It generates the proper gate drive voltages using an integrated doubler charge pump for the high-side and a linear regulator for the low-side.

The device uses a smart gate drive architecture to reduce system cost and improve reliability. The gate driver optimizes dead time to avoid shoot-through conditions, provides control to decreasing electromagnetic interference (EMI) through adjustable gate drive current, and protects against drain to source and gate short conditions with VDS and VGS monitors.

A wide common mode shunt amplifier provides inline current sensing to continuously measure motor current even during recirculating windows. The amplifier can be used in low-side or high-side sense configurations if inline sensing is not required.

The DRV8706-Q1 provide an array of protection features to ensure robust system operation. These include under and overvoltage monitors for the power supply and charge pump, VDS overcurrent and VGS gate fault monitors for the external MOSFETs, offline open load and short circuit diagnostics, and internal thermal warning and shutdown protection.

The DRV8706-Q1 is a highly integrated H-bridge gate driver, capable of driving high-side and low-side N-channel power MOSFETs. It generates the proper gate drive voltages using an integrated doubler charge pump for the high-side and a linear regulator for the low-side.

The device uses a smart gate drive architecture to reduce system cost and improve reliability. The gate driver optimizes dead time to avoid shoot-through conditions, provides control to decreasing electromagnetic interference (EMI) through adjustable gate drive current, and protects against drain to source and gate short conditions with VDS and VGS monitors.

A wide common mode shunt amplifier provides inline current sensing to continuously measure motor current even during recirculating windows. The amplifier can be used in low-side or high-side sense configurations if inline sensing is not required.

The DRV8706-Q1 provide an array of protection features to ensure robust system operation. These include under and overvoltage monitors for the power supply and charge pump, VDS overcurrent and VGS gate fault monitors for the external MOSFETs, offline open load and short circuit diagnostics, and internal thermal warning and shutdown protection.
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Technische Dokumentation

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Typ Titel Datum
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Design und Entwicklung

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Evaluierungsplatine

DRV8706H-Q1EVM — Halbbrücken-Smart-Gate-Treiber für den Automobilbereich mit Strommessverstärker mit großem Gleichtak

Das DRV8706H-Q1EVM wurde entwickelt, um den DRV8706H-Q1 zu evaluieren, einen integrierten Treiber für bürstenbehaftete Gleichstrommotoren, der für den Automobilbereich qualifiziert ist.  Der DRV8706H-Q1 ist ein hochintegrierter H-Brücken-Gate-Treiber. Er kann sowohl Highside- als auch (...)

Benutzerhandbuch: PDF
Nicht verfügbar auf TI.com
Evaluierungsplatine

DRV8706S-Q1EVM — EVM für H-Brücken-Smart-Gate-Treiber für den Automobilbereich mit Strommessverstärker mit breitem

Das DRV8706S-Q1EVM wurde entwickelt, um den DRV8706S-Q1 zu evaluieren, einen integrierten Treiber für bürstenbehaftete Gleichstrommotoren, der für den Automobilbereich qualifiziert ist. Der DRV8706S-Q1 ist ein hochintegrierter H-Brücken-Gate-Treiber. Er kann sowohl Highside- als auch (...)

Benutzerhandbuch: PDF
Nicht verfügbar auf TI.com
Erste Schritte

MSP-MOTOR-CONTROL — MSPM0 Firmware solutions for motor control applications

MSP Motor Control is a collection of software, tools and examples to spin motors in 30 minutes or less with MSPM0 Arm® Cortex® M0+ MCUs and popular motor driver solutions.

MSP Motor Control provides examples for supported hardware kits to spin brushed, stepper, and three-phase motors with sensored (...)

Unterstützte Produkte und Hardware

Unterstützte Produkte und Hardware

Produkte
Treiber für Gleichstrom-Bürstenmotoren
  • DRV8706-Q1 — Intelligenter 40 V-H-Brücken-Gate-Treiber mit Offline-Diagnose und Inline-Strommessverstärker für
General-purpose MCUs
  • MSPM0G1105 — 80 MHz Arm® Cortex®-M0+ MCU mit 32 KB Flash, 16 KB SRAM, 2x12 Bit 4 Msps ADC, Operationsverstärke
  • MSPM0G1106 — 80 MHz Arm® Cortex®-M0+ MCU mit 64 KB Flash, 32 KB SRAM, 2x12 Bit 4 Msps ADC, Operationsverstärker
  • MSPM0G1107 — 80 MHz Arm® Cortex®-M0+ MCU mit 128 KB Flash, 32 KB SRAM, 2x12 Bit 4 Msps ADC, Operationsverstärk
  • MSPM0G1505 — 80 MHz Arm® Cortex®-M0+ MCU mit 32 KB Flash 16 KB SRAM 2x4 Msps ADC, 12 Bit DAC, 3xCOMP, 2xOPA, MATH
  • MSPM0G1506 — 80 MHz Arm® Cortex®-M0+ MCU mit 64 KB Flash 32 KB SRAM 2x4 Msps ADC, 12 Bit DAC, 3xCOMP, 2xOPA, MATH
  • MSPM0G1507 — 80 MHz Arm® Cortex®-M0+ MCU mit 128 KB Flash 32 KB SRAM 2x4 Msps ADC, 12 Bit DAC, 3xCOMP, 2xOPA, MAT
  • MSPM0G1518 — 80 MHz ARM® Cortex®-M0+ MCU mit Dual-Bank 256 kB Flash, 128 kB SRAM, 2xADC-DAC, 3xCOMP
  • MSPM0G1519 — 80 MHz ARM® Cortex®-M0+ MCU mit Dual-Bank 512 kB Flash, 128 kB SRAM, 2xADC-DAC, 3xCOMP
  • MSPM0G3105 — 80 MHz Arm® Cortex®-M0+ MCU mit 32 KB Flash, 16 KB SRAM, 2x12 Bit 4 Msps ADC, Operationsverstärker C
  • MSPM0G3106 — 80 MHz Arm® Cortex®-M0+ MCU mit 64 KB Flash, 32 KB SRAM, 2x12 Bit 4 Msps ADC, Operationsverstärker C
  • MSPM0G3107 — 80 MHz Arm® Cortex®-M0+ MCU mit 128 KB Flash, 32 KB SRAM, 2x12 Bit 4 Msps ADC, Operationsverstärker
  • MSPM0G3505 — 80 MHz Arm® Cortex®-M0+ MCU mit 32 KB Flash, 16 KB SRAM, 2x4 Msps ADC, DAC, 3xCOMP, 2xOPA, CAN-FD
  • MSPM0G3506 — 80 MHz Arm® Cortex®-M0+ MCU mit 64 KB Flash, 32 KB SRAM, 2x4 Msps ADC, DAC, 3xCOMP, 2xOPA, CAN-FD, M
  • MSPM0G3507 — 80 MHz Arm® Cortex®-M0+ MCU mit 128 KB Flash, 32 KB SRAM, 2x4 Msps ADC, DAC, 3xCOMP, 2xOPA, CAN-FD,
  • MSPM0G3518 — 80 MHz ARM® Cortex®-M0+ MCU mit Dual-Bank 256 kB Flash, 128 kB SRAM, 2xCAN-FD, 2xADC, DAC, COMP
  • MSPM0G3519 — 80 MHz ARM® Cortex®-M0+ MCU mit Dual-Bank 512 kB Flash, 128 kB SRAM, 2xCAN-FD, 2xADC, DAC, COMP
Low-power MCUs
  • MSPM0L1303 — 32-MHz-Arm® Cortex®-M0+-MCU mit 8 KB Flash, 2 KB SRAM, 12-Bit-ADC, Komparator, OPA
  • MSPM0L1304 — 32-MHz-Arm® Cortex®-M0+-MCU mit 16 KB Flash, 2 KB SRAM, 12-Bit-ADC, Komparator, OPA
  • MSPM0L1305 — 32-MHz-Arm® Cortex®-M0+-MCU mit 32 KB Flash, 4 KB SRAM, 12-Bit-ADC, Komparator, OPA
  • MSPM0L1306 — 32-MHz-Arm® Cortex®-M0+-MCU mit 64 KB Flash, 4 KB SRAM, 12-Bit-ADC, Komparator, OPA
  • MSPM0L1343 — 32-MHz-Arm® Cortex®-M0+-MCU mit 8 KB Flash, 2 KB SRAM, 12-Bit-ADC, Komparator, TIA
  • MSPM0L1344 — 32-MHz-Arm® Cortex®-M0+-MCU mit 16 KB Flash, 2 KB SRAM, 12-Bit-ADC, Komparator, TIA
  • MSPM0L1345 — 32-MHz-Arm® Cortex®-M0+-MCU mit 32 KB Flash, 4 KB SRAM, 12-Bit-ADC, Komparator, TIA
  • MSPM0L1346 — 32-MHz-Arm® Cortex®-M0+-MCU mit 64 KB Flash, 4 KB SRAM, 12-Bit-ADC, Komparator, TIA
Automotive body & lighting MCUs
  • MSPM0G3105-Q1 — 80 MHz Arm® Cortex®-M0+ MCU für die Automobilindustrie mit 32 KB Flash, 16 KB SRAM, 2x12 Bit 4 Msps
  • MSPM0G3106-Q1 — 80 MHz Arm® Cortex®-M0+ MCU für die Automobilindustrie mit 64 KB Flash, 32 KB SRAM, 2x12 Bit 4 Msps
  • MSPM0G3107-Q1 — 80 MHz Arm® Cortex®-M0+ MCU für die Automobilindustrie mit 128 KB Flash, 32 KB SRAM, 2x12 Bit 4 Msps
  • MSPM0G3505-Q1 — 80 MHz Arm® Cortex®-M0+ MCU für die Automobilindustrie mit 32KB Flash, 16KB SRAM, ADC, DAC, COMP, OP
  • MSPM0G3506-Q1 — 80 MHz Arm® Cortex®-M0+ MCU für die Automobilindustrie mit 64KB Flash, 32KB SRAM, ADC, DAC, COMP, OP
  • MSPM0G3507-Q1 — 80 MHz Arm® Cortex®-M0+ MCU für die Automobilindustrie mit 128KB Flash, 32KB SRAM, ADC, DAC, COMP, O
  • MSPM0G3518-Q1 — ARM® Cortex®-M0+ MCU für die Automobilindustrie, 80 MHz, 256 kB Flash, 128 kB SRAM, 2 CAN, 2 ADC, DA
  • MSPM0G3519-Q1 — ARM® Cortex®-M0+ MCU für die Automobilindustrie, 80 MHz, 512 kB Flash, 128 kB SRAM, 2 CAN, 2 ADC, DA
  • MSPM0L1304-Q1 — 32-MHz-Arm® Cortex®-M0+ für die Automobilindustrie mit 16 KB Flash, 2 KB RAM, 12-Bit-ADC, OPA, LIN
  • MSPM0L1305-Q1 — 32-MHz-Arm® Cortex-M0®+ für die Automobilindustrie, mit 32 KB Flash, 4 KB RAM, 12-Bit-ADC, OPA, LIN
  • MSPM0L1306-Q1 — 32-MHz-Arm® Cortex-M0®+ für die Automobilindustrie, mit 64 KB Flash, 4 KB RAM, 12-Bit-ADC, OPA, LIN
Hardware-Entwicklung
Evaluierungsplatine
  • BOOSTXL-DRV8323RH — DRV8323RH – dreiphasiger intelligenter Gate-Treiber mit Buck, Shunt-Verstärkern (SPI-Schnittstelle)
  • BOOSTXL-DRV8323RS — DRV8323RS – dreiphasiger intelligenter Gate-Treiber mit Buck, Shunt-Verstärkern (SPI-Schnittstell
  • DRV8300DIPW-EVM — DRV8300DIPW-Evaluierungsmodul für dreiphasige BLDC
  • DRV8300DRGE-EVM — DRV8300DRGE Dreiphasen-BLDC – Evaluierungsmodul
  • DRV8311HEVM — DRV8311H Evaluierungsmodul für dreiphasigen PWM-Motortreiber
  • DRV8316REVM — DRV8316R Evaluierungsmodul für dreiphasigen PWM-Motortreiber
  • DRV8317HEVM — Evaluierungsmodul DRV8317 für dreiphasigen bürstenlosen DC (BLDC)-Gate-Treiber
  • DRV8328AEVM — DRV8328A Evaluierungsmodul für dreiphasigen PWM-Motortreiber
  • DRV8329AEVM — DRV8329A Evaluierungsmodul für dreiphasigen BLDC-Gate-Treiber
  • DRV8353RH-EVM — DRV8353RH-Evaluierungsmodul, dreiphasiger bürstenloser DC-Smart-Gate-Treiber
  • DRV8353RS-EVM — DRV8353RS Evaluierungsmodul, dreiphasiger bürstenloser DC-Smart-Gate-Treiber 
  • DRV8411AEVM — Evaluierungsmodul DRV8411A für Dual H-Brücken-Motortreiber mit Stromregelung
  • DRV8706S-Q1EVM — EVM für H-Brücken-Smart-Gate-Treiber für den Automobilbereich mit Strommessverstärker mit breitem
  • DRV8889-Q1EVM — DRV8889-Q1 Evaluierungsmodul für einen Schrittmotortreiber für die Automobilindustrie mit 1/256-Mikr
  • LP-MSPM0G3507 — MSPM0G3507 LaunchPad™-Entwicklungskit für 80-MHz-Arm® Cortex®-M0+ MCU
  • LP-MSPM0G3519 — LP-MSPM0G3519 – Evaluierungsmodul
  • LP-MSPM0L1306 — MSPM0L1306 LaunchPad™-Entwicklungskit für 32-MHz-Arm® Cortex®-M0+ MCU
Software
Software-Entwicklungskit (SDK)
  • MSPM0-SDK — MSPM0 Software-Entwicklungskit (SDK)
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Designtool

DRV8X06-Q1EVM-DRV8705-Q1EVM — DRV8X06-Q1EVM_DRV8705-Q1EVM

Unterstützte Produkte und Hardware

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Produkte
Treiber für Gleichstrom-Bürstenmotoren
  • DRV8706-Q1 — Intelligenter 40 V-H-Brücken-Gate-Treiber mit Offline-Diagnose und Inline-Strommessverstärker für
MOSFETs
  • CSD18512Q5B — 40-V-N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 1,6 mOhm
Low-power MCUs
  • MSP430F2617 — 16-MHz-MCU mit 92 KB Flash-Speicher, 8 KB SRAM, 12-Bit-ADC, Dual-12-Bit DAC, I2C/SPI/UART, HW-Multip
Anfordern
Gehäuse Pins CAD-Symbole, Footprints und 3D-Modelle
VQFN (RHB) 32 Ultra Librarian
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  • Kontinuierliches Zuverlässigkeitsmonitoring
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