UCC27200A

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具有 8V UVLO、负电压处理能力和 CMOS 输入的 3A、120V 半桥栅极驱动器

产品详情

Operating temperature range (°C) -40 to 140 Rating Catalog Input supply voltage (max) (V) 17 Input supply voltage (min) (V) 8
Operating temperature range (°C) -40 to 140 Rating Catalog Input supply voltage (max) (V) 17 Input supply voltage (min) (V) 8
HSOIC (DDA) 8 29.4 mm² 4.9 x 6 SOIC (D) 8 29.4 mm² 4.9 x 6 VSON (DRC) 9 9 mm² 3 x 3 VSON (DRM) 8 16 mm² 4 x 4
  • 可驱动两个采用高侧和低侧配置的 N 沟道金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET)
  • HS 引脚具备 -18V 的负电压处理能力
  • 最大启动电压:120V
  • 最大 VDD 电压:20V
  • 片载0.65V VF, 0.6Ω RD 自举二极管
  • 工作频率高于 1MHz
  • 20ns 传播延迟时间
  • 3A 吸收,3A 供电输出电流
  • 8ns 上升 / 7ns 下降时间 (采用 1000pF 负载时)
  • 1ns 延迟匹配
  • 用于高侧和低侧驱动器的欠压锁定功能
  • 提供 8 引脚小外形尺寸集成电路 (SOIC) (D)、 PowerPADSOIC-8 (DDA)、SON-8 (DRM)、SON-9 (DRC) 和 SON-10 (DPR) 五种封装
  • –40°C 至 140°C 的额定温度范围

应用

  • 针对电信、数据通信和商业的电源
  • 半桥 应用 和全桥转换器
  • 隔离式总线架构
  • 两开关正激式转换器
  • 有源箝位正激式转换器
  • 高电压同步降压转换器
  • D 类音频放大器

All trademarks are the property of their respective owners.

  • 可驱动两个采用高侧和低侧配置的 N 沟道金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET)
  • HS 引脚具备 -18V 的负电压处理能力
  • 最大启动电压:120V
  • 最大 VDD 电压:20V
  • 片载0.65V VF, 0.6Ω RD 自举二极管
  • 工作频率高于 1MHz
  • 20ns 传播延迟时间
  • 3A 吸收,3A 供电输出电流
  • 8ns 上升 / 7ns 下降时间 (采用 1000pF 负载时)
  • 1ns 延迟匹配
  • 用于高侧和低侧驱动器的欠压锁定功能
  • 提供 8 引脚小外形尺寸集成电路 (SOIC) (D)、 PowerPADSOIC-8 (DDA)、SON-8 (DRM)、SON-9 (DRC) 和 SON-10 (DPR) 五种封装
  • –40°C 至 140°C 的额定温度范围

应用

  • 针对电信、数据通信和商业的电源
  • 半桥 应用 和全桥转换器
  • 隔离式总线架构
  • 两开关正激式转换器
  • 有源箝位正激式转换器
  • 高电压同步降压转换器
  • D 类音频放大器

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UCC2720xA 系列高频 N 沟道 MOSFET 驱动器由 120V 自举二极管和高侧/低侧驱动器组成,其中高侧/低侧驱动器配有独立输入,可最大限度提高控制灵活性。这可在半桥转换器、全桥转换器、双开关正激转换器和有源钳位正激转换器中实现 N 沟道 MOSFET 控制。低侧和高侧栅极驱动器是独立控制的,并在彼此的接通和关断之间实现了 1ns 的延迟匹配。UCC2720xA 基于常见的 UCC27200/1 驱动器,但提供了一些增强功能。UCC2720xA 具有增强型 ESD 输入结构并且其 HS 引脚最高能够承受 -18V 电压,这使得其在嘈杂电源环境下的性能得到了改善。

由于在芯片上集成了一个自举二极管,因此无需采用外部分立式二极管。为高端和低端驱动器提供了欠压闭锁功能,如果驱动电压低于规定的门限,则强制输出为低电平。

UCC27200A 提供了两种版本。UCC27200A 具有高抗扰度 CMOS 输入阈值,而 UCC27201A 则具有兼容晶体管-晶体管逻辑电路 (TTL) 的阈值。

两款器件均提供 8 引脚 SOIC (D)、PowerPad SOIC-8 (DDA)、SON-8 (DRM)、9 引脚 SON-9 (DRC) 和 10 引脚 SON-10 (DPR) 五种封装。

UCC2720xA 系列高频 N 沟道 MOSFET 驱动器由 120V 自举二极管和高侧/低侧驱动器组成,其中高侧/低侧驱动器配有独立输入,可最大限度提高控制灵活性。这可在半桥转换器、全桥转换器、双开关正激转换器和有源钳位正激转换器中实现 N 沟道 MOSFET 控制。低侧和高侧栅极驱动器是独立控制的,并在彼此的接通和关断之间实现了 1ns 的延迟匹配。UCC2720xA 基于常见的 UCC27200/1 驱动器,但提供了一些增强功能。UCC2720xA 具有增强型 ESD 输入结构并且其 HS 引脚最高能够承受 -18V 电压,这使得其在嘈杂电源环境下的性能得到了改善。

由于在芯片上集成了一个自举二极管,因此无需采用外部分立式二极管。为高端和低端驱动器提供了欠压闭锁功能,如果驱动电压低于规定的门限,则强制输出为低电平。

UCC27200A 提供了两种版本。UCC27200A 具有高抗扰度 CMOS 输入阈值,而 UCC27201A 则具有兼容晶体管-晶体管逻辑电路 (TTL) 的阈值。

两款器件均提供 8 引脚 SOIC (D)、PowerPad SOIC-8 (DDA)、SON-8 (DRM)、9 引脚 SON-9 (DRC) 和 10 引脚 SON-10 (DPR) 五种封装。

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设计和开发

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仿真模型

UCC27200 and UCC27200A PSpice Transient Model

SLUM095.ZIP (40 KB) - PSpice Model
仿真模型

UCC27200 and UCC27200A TINA-TI Transient Reference Design

SLUM112.TSC (138 KB) - TINA-TI Reference Design
仿真模型

UCC27200 and UCC27200A TINA-TI Transient Spice Model

SLUM111.ZIP (9 KB) - TINA-TI Spice Model
仿真模型

UCC27200 and UCC27200A Unencrypted PSpice Transient Model

SLUM523.ZIP (2 KB) - PSpice Model
计算工具

SLURB12 UCC272xx Schematic Review Template

支持的产品和硬件

支持的产品和硬件

产品
半桥驱动器
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AC/DC & DC/DC controllers (external FET)
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参考设计

PMP7246 — 采用 PSFB ZTE 和 HSHB 的 36-60V 输入、350W 慢漏极调制功率转换器参考设计

这是一种 350W 高速全桥相移 ZVT 同步整流直流/直流参考设计。此设计适用于电信应用,用于提供射频功率放大器级。此设计采用 UCC28950 电压模式正向和平均电流限制反向转换器(二象限转换器)。此设计可在 200us 内调制 20V 至 32V 输出电压(最高 200uF 的电容负载),因此称为:慢漏调制。该转换器还具有满载步进功能。这是一种适用于高度精密型电信应用的极小设计。这套系统还可用于所有其他二象限应用。输 入电压范围:36VDC-60VDC;输出电压:20VDC…32VDC(可调);输出电流:12A(18A 峰值)。
测试报告: PDF
原理图: PDF
封装 引脚 下载
HSOIC (DDA) 8 查看选项
SOIC (D) 8 查看选项
VSON (DRC) 9 查看选项
VSON (DRM) 8 查看选项

订购和质量

包含信息:
  • RoHS
  • REACH
  • 器件标识
  • 引脚镀层/焊球材料
  • MSL 等级/回流焊峰值温度
  • MTBF/时基故障估算
  • 材料成分
  • 鉴定摘要
  • 持续可靠性监测
包含信息:
  • 制造厂地点
  • 封装厂地点

支持和培训

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