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UCC21732-Q1

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Automotive ±10-A 5.7kV RMS single channel isolated gate driver for SiC/IGBT

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Automotive ±10-A 5.7kV RMS single channel isolated gate driver for SiC/IGBT

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产品详细信息

参数

Number of channels (#) 1 Isolation rating (Vrms) 5700 Power switch IGBT, SiCFET Peak output current (A) 10 DIN V VDE V 0884-10 transient overvoltage rating (Vpk) 8400 DIN V VDE V 0884-10 working voltage (Vpk) 2121 Output VCC/VDD (Max) (V) 33 Output VCC/VDD (Min) (V) 13 Input VCC (Min) (V) 3 Input VCC (Max) (V) 5.5 Prop delay (ns) 90 Operating temperature range (C) -40 to 125 Undervoltage lockout (Typ) 12 open-in-new 查找其它 隔离栅极驱动器

封装|引脚|尺寸

SOIC (DW) 16 77 mm² 10.3 x 7.5 open-in-new 查找其它 隔离栅极驱动器

特性

  • 单通道 SiC/IGBT 隔离式栅极驱动器
  • 符合面向汽车应用的 AEC-Q100 应用 （计划的认证）
  • 高达 1700V 的 SiC MOSFET 和 IGBT
  • 33V 最大输出驱动电压 (VDD-COM)
  • 高峰值驱动电流和高 CMTI
  • 有源米勒钳位
  • RDY 上的 UVLO（具有电源正常指示功能）
  • 小传播延迟和脉冲/器件间偏移
  • 工作温度范围为 –40°C 至 125°C
  • 安全相关认证（计划）：
    • 符合 DIN V VDE V 0884-11 (VDE V 0884-11):2017-01 标准的 8000VPK VIOTM 和 2121VPK VIORM 增强型隔离
    • 符合 UL1577 标准、长达 1 分钟的 5700VRMS 隔离

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描述

UCC21732-Q1 它是一款电隔离单通道栅极驱动器，设计用于高达 1700V 的 SiC MOSFET 和 IGBT，具有先进的保护 功能、一流的动态性能和稳健性。

输入侧通过 SiO2 电容隔离技术与输出侧相隔离，支持高达 1.5kVRMS 的工作电压、12.8kVPK 的浪涌抗扰度，隔离层寿命超过 40 年，并提供较低的器件间偏移和高 CMTI。

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信息

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技术文档

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类型 标题 下载最新的英文版本 日期
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设计与开发

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硬件开发

评估板 下载
document-generic 用户指南
199
说明

UCC21732QDWEVM-025 是一个紧凑的单通道隔离式栅极驱动器板，可提供采用 150 x 62 x 17mm 和 106 x 62 x 30mm 封装的 SiC MOSFET 和 Si IGBT 电源模块所需的驱动电压、偏置电压、保护和诊断功能。此 TI EVM 以 5.7kVrms 增强型隔离驱动器 UCC21732 为基础，后者采用 SOIC-16DW 封装，具有 8.0mm 爬电距离和间隙。该 EVM 包含基于 SN6505B 的隔离式直流/直流变压器偏置电源。

特性
  • 10A 峰值分离输出驱动电流及可编程驱动电压
  • 5.7kVrms 增强型隔离式通道，可支持高达 1700V 的输入轨
  • CMTI > 100V/ns 的强大抗噪解决方案
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软件开发

支持软件 下载
SLUC695.ZIP (1108 KB)

设计工具和仿真

仿真模型 下载
SLUM663.ZIP (65 KB) - PSpice Model
仿真模型 下载
SLUM717.ZIP (6 KB) - PSpice Model
仿真工具 下载
PSPICE® for TI design and simulation tool
PSPICE-FOR-TI — PSpice® for TI 可提供帮助评估模拟电路功能的设计和仿真环境。此功能齐全的设计和仿真套件使用 Cadence® 的模拟分析引擎。PSpice for TI 可免费使用，包括业内超大的模型库之一，涵盖我们的模拟和电源产品系列以及精选的模拟行为模型。

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入门

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特性
  • 利用 Cadence PSpice 技术
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    • 自动测量和后处理
    • Monte Carlo 分析
    • 最坏情形分析
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参考设计

参考设计 下载
SiC/IGBT isolated gate driver reference design with thermal diode and sensing FET
TIDA-020030 — 此参考设计是一款具有高级保护功能、驱动 IGBT 模块的 IGBT 或 SiC 隔离式栅极驱动器功率级。该设计包含牵引逆变器的单相功率级，可提供高级安全功能。IGBT 模块具有用于温度监测的集成式热敏二极管和用于过流保护的感应 FET，可快速提供精确保护。它包含偏置电源及其输出电压监控、冗余电路上的隔离式直流总线感应、高低侧驱动器温度感应、PWM 栅极信号监控和故障信号注入诊断。该电源可接受 4.5V 至 65V 直流的宽输入范围，可提供高达 180mA 的输出电流。该隔离式栅极驱动器具有高达 ±10A 的驱动强度，还包含一个用于温度和电压感应的模拟至 PWM 转换器。
document-generic 原理图 document-generic 用户指南 document-generic 下载英文版本

CAD/CAE 符号

封装 引脚 下载
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订购与质量

包含信息：
  • RoHS
  • REACH
  • 器件标识
  • 引脚镀层/焊球材料
  • MSL 等级/回流焊峰值温度
  • MTBF/FIT 估算
  • 材料成分
  • 认证摘要
  • 持续可靠性监测

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