主页 电源管理 栅极驱动器 隔离式栅极驱动器
主页
电源管理
栅极驱动器
隔离式栅极驱动器

UCC21732-Q1

正在供货

适用于 IGBT/SiC FET 且具有 2 级关断功能的汽车类 5.7kVrms ±10A 单通道隔离式栅极驱动器

立即订购
数据表

UCC21732-Q1

正在供货
数据表 立即订购

产品详情

Number of channels 1 Withstand isolation voltage (VISO) (Vrms) 5700 Power switch IGBT, SiCFET Peak output current (A) 10 Features Active miller clamp, Fault reporting, Integrated analog to PWM sensor, Short circuit protection, Soft turnoff, Two-level turnoff Output VCC/VDD (max) (V) 33 Output VCC/VDD (min) (V) 13 Input VCC (min) (V) 3 Input VCC (max) (V) 5.5 TI functional safety category Functional Safety Quality-Managed Propagation delay time (µs) 0.09 Input threshold CMOS Operating temperature range (°C) -40 to 125 Rating Automotive Bus voltage (max) (V) 2121 Fall time (ns) 24 Undervoltage lockout (typ) (V) 12
Number of channels 1 Withstand isolation voltage (VISO) (Vrms) 5700 Power switch IGBT, SiCFET Peak output current (A) 10 Features Active miller clamp, Fault reporting, Integrated analog to PWM sensor, Short circuit protection, Soft turnoff, Two-level turnoff Output VCC/VDD (max) (V) 33 Output VCC/VDD (min) (V) 13 Input VCC (min) (V) 3 Input VCC (max) (V) 5.5 TI functional safety category Functional Safety Quality-Managed Propagation delay time (µs) 0.09 Input threshold CMOS Operating temperature range (°C) -40 to 125 Rating Automotive Bus voltage (max) (V) 2121 Fall time (ns) 24 Undervoltage lockout (typ) (V) 12
SOIC (DW) 16 106.09 mm² 10.3 x 10.3
  • 单通道 SiC/IGBT 隔离式栅极驱动器
  • 符合面向汽车应用的 AEC-Q100 应用 （计划的认证）
  • 高达 1700V 的 SiC MOSFET 和 IGBT
  • 33V 最大输出驱动电压 (VDD-COM)
  • 高峰值驱动电流和高 CMTI
  • 有源米勒钳位
  • RDY 上的 UVLO（具有电源正常指示功能）
  • 小传播延迟和脉冲/器件间偏移
  • 工作温度范围为 –40°C 至 125°C
  • 安全相关认证（计划）：
    • 符合 DIN V VDE V 0884-11 (VDE V 0884-11):2017-01 标准的 8000VPK VIOTM 和 2121VPK VIORM 增强型隔离
    • 符合 UL1577 标准、长达 1 分钟的 5700VRMS 隔离
  • 单通道 SiC/IGBT 隔离式栅极驱动器
  • 符合面向汽车应用的 AEC-Q100 应用 （计划的认证）
  • 高达 1700V 的 SiC MOSFET 和 IGBT
  • 33V 最大输出驱动电压 (VDD-COM)
  • 高峰值驱动电流和高 CMTI
  • 有源米勒钳位
  • RDY 上的 UVLO（具有电源正常指示功能）
  • 小传播延迟和脉冲/器件间偏移
  • 工作温度范围为 –40°C 至 125°C
  • 安全相关认证（计划）：
    • 符合 DIN V VDE V 0884-11 (VDE V 0884-11):2017-01 标准的 8000VPK VIOTM 和 2121VPK VIORM 增强型隔离
    • 符合 UL1577 标准、长达 1 分钟的 5700VRMS 隔离

UCC21732-Q1 它是一款电隔离单通道栅极驱动器，设计用于高达 1700V 的 SiC MOSFET 和 IGBT，具有先进的保护 功能、一流的动态性能和稳健性。

输入侧通过 SiO2 电容隔离技术与输出侧相隔离，支持高达 1.5kVRMS 的工作电压、12.8kVPK 的浪涌抗扰度，隔离层寿命超过 40 年，并提供较低的器件间偏移和高 CMTI。

UCC21732-Q1 它是一款电隔离单通道栅极驱动器，设计用于高达 1700V 的 SiC MOSFET 和 IGBT，具有先进的保护 功能、一流的动态性能和稳健性。

输入侧通过 SiO2 电容隔离技术与输出侧相隔离，支持高达 1.5kVRMS 的工作电压、12.8kVPK 的浪涌抗扰度，隔离层寿命超过 40 年，并提供较低的器件间偏移和高 CMTI。
open-in-new 查找其他 隔离式栅极驱动器
下载 观看带字幕的视频 视频
Information

申请更多信息

可提供 UCC21732-Q1 安全手册和安全时基故障率报告。立即申请

您可能感兴趣的相似产品

open-in-new 比较产品
功能与比较器件相同但引脚有所不同。
UCC21759-Q1 正在供货 适用于 IGBT/SiC MOSFET 且具有 DESAT 和内部钳位的汽车类 3.0kVrms、±10A 单通道隔离式栅极驱动器 Basic isolation, internal Miller clamp, only soft turn-off, and DESAT protection

技术文档

star =有关此产品的 TI 精选热门文档
未找到结果。请清除搜索，并重试。
查看全部 15
类型 项目标题 下载最新的英语版本 日期
* 数据表 适用于 SiC/IGBT 且具有高级保护功能和高 CMTI 的 UCC21732-Q1 单通道隔离式栅极驱动器 数据表 PDF | HTML 2018年 10月 31日
应用手册 栅极驱动电路中铁氧体磁珠的使用和优势 PDF | HTML 下载英文版本 PDF | HTML 2022年 11月 14日
应用手册 使用隔离式 IGBT 和 SiC 栅极驱动器的 HEV/EV 牵引逆变器设计指南 (Rev. B) PDF | HTML 下载英文版本 (Rev.B) PDF | HTML 2022年 11月 7日
证书 VDE Certificate for Reinforced Isolation for DIN EN IEC 60747-17 (Rev. R) 2022年 7月 12日
应用手册 Understanding the Short Circuit Protection for Silicon Carbide MOSFETs (Rev. B) 2020年 5月 13日
电子书 电子书：工业机器人设计工程师指南 下载英文版本 2020年 3月 25日
电子书 E-book: An engineer’s guide to industrial robot designs.. 2020年 3月 25日
设计指南 具有热敏二极管和感应 FET 的 SiC/IGBT 隔离式栅极驱动器参考设计 下载英文版本 2020年 1月 17日
应用手册 Performance of the Analog PWM Channel in Smart Gate Drivers 2020年 1月 16日
用户指南 UCC21732QDWEVM-025 (Rev. B) 2019年 9月 9日
技术文章 Eight questions about monitoring and protection in hybrid and electric vehicles 2019年 5月 22日
应用手册 Why is high UVLO important for safe IGBT & SiC MOSFET power switch operation 2019年 1月 30日
技术文章 How to achieve higher system robustness in DC drives, part 3: minimum input pulse 2018年 9月 19日
技术文章 How to achieve higher system robustness in DC drives, part 2: interlock and deadtime 2018年 5月 30日
技术文章 Boosting efficiency for your solar inverter designs 2018年 5月 24日

设计和开发

如需其他信息或资源，请查看下方列表，点击标题即可进入详情页面。

评估板

UCC21732QDWEVM-025 — 适用于 SiC/IGBT 的 UCC21732-Q1 汽车单通道隔离式栅极驱动器评估模块

UCC21732QDWEVM-025 是一个紧凑的单通道隔离式栅极驱动器板，可提供采用 150 x 62 x 17mm 和 106 x 62 x 30mm 封装的 SiC MOSFET 和 Si IGBT 电源模块所需的驱动电压、偏置电压、保护和诊断功能。此 TI EVM 以 5.7kVrms 增强型隔离驱动器 UCC21732 为基础，后者采用 SOIC-16DW 封装，具有 8.0mm 爬电距离和间隙。该 EVM 包含基于 SN6505B 的隔离式直流/直流变压器偏置电源。

用户指南: PDF
TI.com 上无现货
仿真模型

UCC21732 PSpice Transient Model

SLUM663.ZIP (65 KB) - PSpice Model
下载
仿真模型

UCC21732 Unencrypted PSPICE Transient Model

SLUM717.ZIP (6 KB) - PSpice Model
下载
计算工具

UCC217xx XL Calculator Tool

SLUC695.ZIP (1108 KB)
下载
模拟工具

PSPICE-FOR-TI — 适用于 TI 设计和模拟工具的 PSpice®

PSpice® for TI 可提供帮助评估模拟电路功能的设计和仿真环境。此功能齐全的设计和仿真套件使用 Cadence® 的模拟分析引擎。PSpice for TI 可免费使用，包括业内超大的模型库之一，涵盖我们的模拟和电源产品系列以及精选的模拟行为模型。

借助 PSpice for TI 的设计和仿真环境及其内置的模型库，您可对复杂的混合信号设计进行仿真。创建完整的终端设备设计和原型解决方案，然后再进行布局和制造，可缩短产品上市时间并降低开发成本。

在 PSpice for TI 设计和仿真工具中，您可以搜索 TI (...)
发送申请
参考设计

PMP23223 — 具有辅助电源的智能隔离式栅极驱动器参考设计

此参考设计展示了 UCC21732 栅极驱动器与 UCC14xxx 系列辅助电源的组合。此设计可用于驱动各种功率管，包括直接连接到 Wolfspeed 碳化硅 (SiC) 场效应晶体管 (FET) 模块。此参考设计可用作高侧或低侧驱动器，也可使用容性模拟负载进行测试。

UCC14240-Q1、UCC14141-Q1 和 UCC14341-Q1 都是集成辅助电源的直接替代产品，每个产品都具有不同的目标输入电压和输出功率。

UCC14xxx-Q1 信息：

  • UCC14240-Q1
    • 隔离：基本型
    • 输入电压 (V)：24（21 至 27）
    • 输出电压 (V)：25（18 至 25）
    • 功率输出 (W)：2
  • (...)
测试报告: PDF
参考设计

TIDA-020030 — 具有热敏二极管和感应 FET 的 SiC/IGBT 隔离式栅极驱动器参考设计

此参考设计是一款具有高级保护功能、驱动 IGBT 模块的 IGBT 或 SiC 隔离式栅极驱动器功率级。该设计包含牵引逆变器的单相功率级，可提供高级安全功能。IGBT 模块具有用于温度监测的集成式热敏二极管和用于过流保护的感应 FET，可快速提供精确保护。它包含偏置电源及其输出电压监控、冗余电路上的隔离式直流总线感应、高低侧驱动器温度感应、PWM 栅极信号监控和故障信号注入诊断。该电源可接受 4.5V 至 65V 直流的宽输入范围，可提供高达 180mA 的输出电流。该隔离式栅极驱动器具有高达 ±10A 的驱动强度，还包含一个用于温度和电压感应的模拟至 PWM 转换器。
设计指南: PDF
原理图: PDF
封装 引脚数 下载
SOIC (DW) 16 了解详情

订购和质量

包含信息：
  • RoHS
  • REACH
  • 器件标识
  • 引脚镀层/焊球材料
  • MSL 等级/回流焊峰值温度
  • MTBF/时基故障估算
  • 材料成分
  • 认证摘要
  • 持续可靠性监测

推荐产品可能包含与 TI 此产品相关的参数、评估模块或参考设计。

支持与培训

视频