通用：双路低侧、双路高侧或半桥驱动器
宽体 SOIC-14 (DWK) 封装
驱动器通道之间具有 3.3mm 的间距
开关参数：
- 19ns 典型传播延迟
- 10ns 最小脉冲宽度
- 5ns 最大延迟匹配度
- 6ns 最大脉宽失真度
共模瞬态抗扰度 (CMTI) 大于 100V/ns
浪涌抗扰度高达 12.8kV_PK
隔离栅寿命 > 40 年
4A 峰值拉电流，6A 峰值灌电流输出
TTL 和 CMOS 兼容输入
输入 VCCI 范围为 3V 至 18V
高达 25V 的 VDD 输出驱动电源
可编程的重叠和死区时间
抑制短于 5ns 的输入脉冲和噪声瞬态
工作温度范围：–40 至 +125°C
安全相关认证：
- 符合 DIN V VDE V 0884-11:2017-01 标准的 8000V_PK 隔离（计划）
- 符合 UL 1577 标准且长达 1 分钟的 5.7kV_RMS 隔离
- 获得 CSA 认证，符合 IEC 60950-1、IEC 62368-1、IEC 61010-1 和 IEC 60601-1 终端设备标准（计划）
- 符合 GB4943.1-2011 标准的 CQC 认证（计划）
具有符合 AEC-Q100 标准的下列特性：
- 器件温度 1 级
- 器件 HBM ESD 分类等级 H2
- 器件 CDM ESD 分类等级 C6

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描述

UCC21530-Q1 是一款隔离式双通道栅极驱动器，具有 4A 峰值拉电流和 6A 峰值灌电流。该驱动器可驱动高达 5MHz 的 IGBT 和 SiC MOSFET，具有一流的传播延迟和脉宽失真度。

输入侧通过一个 5.7kV_RMS 增强型隔离层与两个输出驱动器隔离，共模瞬态抗扰度 (CMTI) 的最小值为 100V/ns。两个次级侧驱动器之间的内部功能隔离支持高达 1850V 的工作电压。

该驱动器可配置为两个低侧驱动器、两个高侧驱动器或一个死区时间 (DT) 可编程的半桥驱动器。EN 引脚拉低时会同时关闭两个输出，悬空或拉高时可使器件恢复正常运行。作为一种失效防护机制，初级侧逻辑故障会强制两个输出为低电平。

此器件接受高达 25V 的 VDD 电源电压。3V 到 18V 的宽输入电压 VCCI 范围使得该驱动器适用于连接数字和模拟控制器。所有电源电压引脚都具有欠压锁定 (UVLO) 保护功能。

凭借上述所有高级功能，UCC21530-Q1 可以在各种电源应用中实现高效率、高功率密度和稳健性。

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	类型	标题	下载最新的英文版本	日期
*	数据表	具有 3.3mm 通道到通道间距的 UCC21530-Q1 4A、6A、5.7kVRMS 隔离式双通道栅极驱动器数据表 (Rev. C)	下载英文版本 (Rev.C)	2019年 11月 14日
	更多文献资料	VDE certificate for reinforced isolation for DIN VDE V 0884-11:2017-01 (Rev. N)		2019年 11月 13日
	更多文献资料	CSA Product Certificate (Rev. A)		2019年 8月 15日
	更多文献资料	UCC21520 UL Certification (Rev. B)		2019年 7月 22日
	技术文章	Searching for the newest innovations in power? Find them at APEC		2019年 2月 9日
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设计与开发

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硬件开发

评估板下载

UCC21530 隔离式双通道驱动器评估模块

UCC21530EVM-286

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用户指南

说明

UCC21530EVM-286 适用于评估 UCC21530DWK，后者是一种可实现 4A 峰值拉电流和 6A 峰值灌电流、12V UVLO、使能（高电平有效）功能和 3.3mm 通道间爬电间隙的隔离式双通道栅极驱动器。此 EVM 可用作在电源系统中驱动 IGBT 和 SiC MOSFET 的参考设计。

特性

通用：双路低侧、双路高侧或半桥驱动器
共模瞬态抗扰度 (CMTI) 大于 100V/ns
可编程的重叠和死区时间
5.7kVrms 增强型隔离
宽体 SOIC-14 (DWK) 封装，次级侧通道之间具有 3.3mm 间隙

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设计工具和仿真

仿真模型下载

UCC21530 PSpice Transient Model

SLUM655.ZIP (23 KB) - PSpice Model

下载

查看详细信息

仿真工具下载

PSPICE® for TI design and simulation tool

PSPICE-FOR-TI — PSpice® for TI 可提供帮助评估模拟电路功能的设计和仿真环境。此功能齐全的设计和仿真套件使用 Cadence® 的模拟分析引擎。PSpice for TI 可免费使用，包括业内超大的模型库之一，涵盖我们的模拟和电源产品系列以及精选的模拟行为模型。

借助 PSpice for TI 的设计和仿真环境及其内置的模型库，您可对复杂的混合信号设计进行仿真。创建完整的终端设备设计和原型解决方案，然后再进行布局和制造，可缩短产品上市时间并降低开发成本。

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除了一个完整的预加载模型库之外，您还可以在 PSPICE-FOR-TI 工具中轻松访问 TI 器件的全新技术资料。在您确认找到适合您应用的器件后，可访问 TI store 购买产品。

借助 PSpice for TI，您可使用合适的工具来满足您在整个设计周期（从电路探索到设计开发和验证）的仿真需求。免费获取、轻松入门。立即下载 PSpice 设计和仿真套件，开始您的设计。

入门

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特性

利用 Cadence PSpice 技术
带有一套数字模型的预装库可在最坏情形下进行时序分析
动态更新确保您可以使用全新的器件型号
针对仿真速度进行了优化，且不会降低精度
支持对多个产品进行同步分析
基于 OrCAD Capture 框架，提供对业界广泛使用的原理图捕获和仿真环境的访问权限
可离线使用
在各种工作条件和器件容许范围内验证设计，包括
- 自动测量和后处理
- Monte Carlo 分析
- 最坏情形分析
- 热分析

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参考设计

参考设计下载

针对 HEV/EV 车载充电器的双向 CLLLC 谐振、双有源电桥 (DAB) 参考设计

TIDM-02002 — 具有双向电源流功能和软开关特性的 CLLLC 谐振 DAB 是混合动力电动汽车/电动汽车 (HEV/EV) 车载充电器和能源存储应用的一种理想候选方案。此设计演示了在闭合电压和闭合电流环路模式中使用 C2000™ MCU 控制此电源拓扑。可供此设计使用的硬件和软件可帮助您
缩短产品上市时间。

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原理图

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用户指南

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