TPS735

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具有使能功能的 500mA、低 IQ、低压降稳压器

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Output options Adjustable Output, Fixed Output Iout (max) (A) 0.5 Vin (max) (V) 6.5 Vin (min) (V) 2.7 Vout (max) (V) 6 Vout (min) (V) 1.2 Fixed output options (V) 1.2, 1.5, 2.5, 2.7, 2.85, 3.3, 3.4 Noise (µVrms) 16.5 Iq (typ) (mA) 0.045 Thermal resistance θJA (°C/W) 52 Rating Catalog Load capacitance (min) (µF) 2.2 Regulated outputs (#) 1 Features Enable Accuracy (%) 2 PSRR at 100 KHz (dB) 28 Dropout voltage (Vdo) (typ) (mV) 280 Operating temperature range (°C) -40 to 125
Output options Adjustable Output, Fixed Output Iout (max) (A) 0.5 Vin (max) (V) 6.5 Vin (min) (V) 2.7 Vout (max) (V) 6 Vout (min) (V) 1.2 Fixed output options (V) 1.2, 1.5, 2.5, 2.7, 2.85, 3.3, 3.4 Noise (µVrms) 16.5 Iq (typ) (mA) 0.045 Thermal resistance θJA (°C/W) 52 Rating Catalog Load capacitance (min) (µF) 2.2 Regulated outputs (#) 1 Features Enable Accuracy (%) 2 PSRR at 100 KHz (dB) 28 Dropout voltage (Vdo) (typ) (mV) 280 Operating temperature range (°C) -40 to 125
VSON (DRB) 8 9 mm² 3 x 3 WSON (DRV) 6 4 mm² 2 x 2
  • 输入电压:2.7V 至 6.5V
  • 带 EN 引脚的 500mA 低压降稳压器
  • 低 IQ: 45µA
  • 提供了多个输出电压版本:
    • 1.2V 至 4.3V 固定输出
    • 1.25V 至 6V 可调输出
  • 高 PSRR:1kHz 频率下为 68dB
  • 低噪声:13.2µVRMS
  • 快速启动时间:45µs
  • 使用陶瓷 2.2µF 低 ESR 输出电容器实现稳定运行
  • 出色的负载和线路瞬态响应
  • 2% 的总体精度(负载、线路和温度,VOUT > 2.2V)
  • 极低的压降:500mA 电流下为 280mV
  • 2mm × 2mm WSON-6 和
    3mm × 3mm SON-8 封装
  • 输入电压:2.7V 至 6.5V
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  • 低 IQ: 45µA
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    • 1.25V 至 6V 可调输出
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  • 使用陶瓷 2.2µF 低 ESR 输出电容器实现稳定运行
  • 出色的负载和线路瞬态响应
  • 2% 的总体精度(负载、线路和温度,VOUT > 2.2V)
  • 极低的压降:500mA 电流下为 280mV
  • 2mm × 2mm WSON-6 和
    3mm × 3mm SON-8 封装

TPS735 低压降 (LDO)、低功耗线性稳压器可提供出色的交流性能以及极低的接地电流。可提供高电源抑制比 (PSRR)、低噪声、快速启动以及出色的线路和负载瞬态响应,同时消耗极低的 45µA(典型值)接地电流。

TPS735 器件与陶瓷电容器搭配使用时可保持稳定,并且该器件使用先进的 BiCMOS 制造工艺,能够在输出 500mA 电流时产生 280mV 的典型压降电压。TPS735 器件使用精密电压基准和反馈环路,可在全部负载、线路、过程和温度变化范围内实现 2% 的总体精度 (VOUT > 2.2V)。此器件的额定 TJ = –40°C 至 +125°C,采用薄型 3mm × 3mm SON-8 封装和 2mm × 2mm WSON-6 封装。

TPS735 低压降 (LDO)、低功耗线性稳压器可提供出色的交流性能以及极低的接地电流。可提供高电源抑制比 (PSRR)、低噪声、快速启动以及出色的线路和负载瞬态响应,同时消耗极低的 45µA(典型值)接地电流。

TPS735 器件与陶瓷电容器搭配使用时可保持稳定,并且该器件使用先进的 BiCMOS 制造工艺,能够在输出 500mA 电流时产生 280mV 的典型压降电压。TPS735 器件使用精密电压基准和反馈环路,可在全部负载、线路、过程和温度变化范围内实现 2% 的总体精度 (VOUT > 2.2V)。此器件的额定 TJ = –40°C 至 +125°C,采用薄型 3mm × 3mm SON-8 封装和 2mm × 2mm WSON-6 封装。

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