TPD4E1U06DBVEVM 的特性
- 为低压 IO 接口提供系统级的 ESD 保护
- IEC 61000-4-2 级别 4:
- ±15kV（接触放电）
- ±15kV（空气间隙放电）
- IO 电容值 0.8pF（典型值）
- 直流击穿电压 6.5V（最小值）
- 超低泄漏电流 10nA（最大值）
- 低 ESD 钳位电压
- 工业温度范围：-40°C 至 125°C
- 小型且易于布线的 DCK、DBV 和 DGS 封装
TPD4E1U06DBVEVM 的说明
TPD4E1U06DBVEVM 在设计上允许通过 100Ω TMDS 线路或差分对进行 4 端口分析。电路板材料为 Rogers Board RO4350，介电常数 εr 为 3.48 +/- 0.05，损耗正切 δ 为 0.0031（2.5GHz 下）。端口连接器为表面贴装的 SMP 50Ω 高速连接器。
EVM 有两个部分：CALIBRATION 和 TPD4E1U06DBV。CALIBRATION 部分上的线迹与 TPD4E1U06DCK 部分上的线迹一致，在测试时不必对该器件进行切割即可排除电路板的影响而只评估所测试的器件的性能。