SMV512K32-CVAL

SMV512K32-SP 输出评估板

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宇航级耐辐射 HARDSIL™ 技术

512K 字 x 32 位异步 16Mb SRAM

20ns 读取、13.8ns 写入（最大存取时间）

200μA（典型值）超低待机电流 (ISB)

检错与纠错 (EDAC)

用于自主校正的消除引擎（消除频率和延迟时间为用户自定义）

辐射性能

TID = 300kRad(Si)

SER < 5e‐17 翻转/位‐天

质子翻转饱和截面 < 3e‐16cm2/位

抗闩锁效应 > LET = 110MeV‐cm2/mg (T=125°C)

直接与模式生成和捕捉硬件相连以便进行分析

SMV512K32-CVAL 电路板支持设计人员将德州仪器 (TI) SMV512K32-SP 16Mbit 异步 SRAM 存储器装入 ENPLAS OTQ-132-0.635-01 插槽。该输出板可用于串连模式生成和捕捉硬件，演示 16Mbit 异步 SRAM 内存的功能特性。

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