产品详细信息

RDS (on) (Milliohm) 30 VDS (Max) (V) 600 ID (Max) (A) 55 Rating Catalog
RDS (on) (Milliohm) 30 VDS (Max) (V) 600 ID (Max) (A) 55 Rating Catalog
  • Qualified for JEDEC JEP180 for hard-switching topologies
  • 600-V GaN-on-Si FET with Integrated gate driver
    • Integrated high precision gate bias voltage
    • 200-V/ns CMTI
    • 2.2-MHz switching frequency
    • 30-V/ns to 150-V/ns slew rate for optimization of switching performance and EMI mitigation
    • Operates from +12-V unregulated supply
  • Robust protection
    • Cycle-by-cycle overcurrent and latched short-circuit protection with < 100-ns response
    • Withstands 720-V surge while hard-switching
    • Self-protection from internal overtemperature and UVLO monitoring
  • Advanced power management
    • Digital temperature PWM output
    • Ideal diode mode reduces third-quadrant losses in LMG3425R030
  • Qualified for JEDEC JEP180 for hard-switching topologies
  • 600-V GaN-on-Si FET with Integrated gate driver
    • Integrated high precision gate bias voltage
    • 200-V/ns CMTI
    • 2.2-MHz switching frequency
    • 30-V/ns to 150-V/ns slew rate for optimization of switching performance and EMI mitigation
    • Operates from +12-V unregulated supply
  • Robust protection
    • Cycle-by-cycle overcurrent and latched short-circuit protection with < 100-ns response
    • Withstands 720-V surge while hard-switching
    • Self-protection from internal overtemperature and UVLO monitoring
  • Advanced power management
    • Digital temperature PWM output
    • Ideal diode mode reduces third-quadrant losses in LMG3425R030

The LMG342xR030 GaN FET with integrated driver and protection enables designers to achieve new levels of power density and efficiency in power electronics systems.

The LMG342xR030 integrates a silicon driver that enables switching speed up to 150 V/ns. TI’s integrated precision gate bias results in higher switching SOA compared to discrete silicon gate drivers. This integration, combined with our low-inductance package, delivers clean switching and minimal ringing in hard-switching power supply topologies. Other features, including adjustable gate drive strength for EMI control, overtemperature, and robust overcurrent protection with fault indication, provide optimized BOM cost, board size, and footprint.

Advanced power management features include digital temperature reporting and TI’s ideal diode mode. The temperature of the GaN FET is reported through a variable duty cycle PWM output, which enables the system to optimally manage loading. Ideal diode mode maximizes efficiency by reducing third-quadrant losses by enabling adaptive dead-time control.

The LMG342xR030 GaN FET with integrated driver and protection enables designers to achieve new levels of power density and efficiency in power electronics systems.

The LMG342xR030 integrates a silicon driver that enables switching speed up to 150 V/ns. TI’s integrated precision gate bias results in higher switching SOA compared to discrete silicon gate drivers. This integration, combined with our low-inductance package, delivers clean switching and minimal ringing in hard-switching power supply topologies. Other features, including adjustable gate drive strength for EMI control, overtemperature, and robust overcurrent protection with fault indication, provide optimized BOM cost, board size, and footprint.

Advanced power management features include digital temperature reporting and TI’s ideal diode mode. The temperature of the GaN FET is reported through a variable duty cycle PWM output, which enables the system to optimally manage loading. Ideal diode mode maximizes efficiency by reducing third-quadrant losses by enabling adaptive dead-time control.

下载

您可能感兴趣的类似产品

open-in-new 产品比较
功能与比较器件相同且具有相同引脚。
LMG3422R030 预发布 具有集成驱动器、保护和温度报告功能的 600V 30mΩ GaN FET Same on-resistance without ideal diode mode functionality
功能与比较器件相同但引脚有所不同。
LMG3525R030-Q1 预发布 具有集成驱动器、保护和温度报告功能以及理想二极管模 式的汽车类 650V、30mΩ GaN FET Automotive grade, same on-resistance, with top-side cooling
功能与比较器件相似。
LMG3425R050 预发布 具有集成驱动器、保护和温度报告功能以及理想二极管模式的 600V 50mΩ GaN FET Functionally equivalent, with different on-resistance
LMG3522R030-Q1 预发布 具有集成驱动器、保护和温度报告功能的汽车类 650V 30mΩ GaN FET Automotive grade, same on-resistance, with top-side cooling and without ideal diode mode functionality

技术文档

star = TI 精选相关文档
未找到结果。请清除搜索,并重试。
显示全部 14 项
类型 标题 下载最新的英文版本 日期
* 数据表 LMG342xR030 600-V 30-mΩ GaN FET with Integrated Driver, Protection, and Temperature Reporting 数据表 (Rev. B) 2021年 3月 16日
白皮书 Achieving GaN Products with Lifetime Reliability 2021年 6月 2日
白皮书 Four key design considerations when adding energy storage to solar power grids.. 2021年 5月 5日
白皮书 向光伏系统添加储能的四大设计注意事项 下载英文版本 2021年 5月 5日
应用手册 适用于 600V GaN 功率级的 QFN12x12 封装的热性能 (Rev. A) 下载英文版本 (Rev.A) 2021年 4月 12日
白皮书 Achieve Power-Dense and Efficient Digital Power Systems by Combining TI GaN FETK 2021年 3月 18日
白皮书 Achieve Power-Dense and Efficient Digital Power Systems by Combining TI GaN FETN 2021年 3月 18日
白皮书 通过结合 TI GaN FET 实现功率密集和高效的数字电源系统 下载英文版本 2021年 1月 5日
技术文章 Get more from your GaN-based digital power designs with a C2000 real-time MCU 2020年 12月 17日
应用手册 宽带隙半导体:GaN 与 SiC 的性能和优势对比 下载英文版本 2020年 12月 2日
技术文章 How GaN FETs with integrated drivers and self-protection will enable the next generation of industrial power designs 2020年 11月 17日
应用手册 Ice Build Up Detection Using TI’s Capacitive Sensing Technology 2020年 10月 30日
用户指南 Using the LMG342XEVM-04X Half-Bridge EVM 2020年 10月 26日
更多文献资料 A Generalized Approach to Determine the Switching Lifetime of a GaN FET 2020年 10月 20日

设计与开发

有关其他条款或所需资源,请点击下面的任何链接来查看详情页面。

评估板

LMG342X-BB-EVM — 适用于 LMG342x 系列的 LMG342x GaN 系统级评估主板

LMG342X-BB-EVM 是易于使用的输出板,可将 LMG3422EVM-043 等各种 LMG342xR0x0 半桥板配置为同步降压转换器。通过提供功率级、偏置电源和逻辑电路,该 EVM 可用于快速测量 GaN 器件的开关速度。该 EVM 能够在提供充分热管理(强制通风、低频运行等)的同时提供高达 12A 的输出电流,从而确保不超出最大工作温度。该 EVM 不适合用于瞬态测量,因为该板是开环板。

仅需要单脉冲宽度调制输入,即可在板上生成互补脉冲宽度调制信号和相应的死区时间。提供了探测点,从而可使用具有短接地弹簧的示波器探针测量关键逻辑和功率级波形。
现货
数量限制: 5
子卡

LMG3425EVM-043 — 具有理想二极管模式的 LMG3425R030 600V 30mΩ 半桥子卡

LMG3425EVM-043 可将两个 LMG3425R030 GaN FET 配置到具有锁存过流保护功能和所有必要辅助外围电路的半桥中。  该 EVM 需要与大型系统配合使用。
现货
数量限制: 5
仿真工具

PSPICE-FOR-TI — PSPICE® for TI design and simulation tool

PSpice® for TI 可提供帮助评估模拟电路功能的设计和仿真环境。此功能齐全的设计和仿真套件使用 Cadence® 的模拟分析引擎。PSpice for TI 可免费使用,包括业内超大的模型库之一,涵盖我们的模拟和电源产品系列以及精选的模拟行为模型。

借助 PSpice for TI 的设计和仿真环境及其内置的模型库,您可对复杂的混合信号设计进行仿真。创建完整的终端设备设计和原型解决方案,然后再进行布局和制造,可缩短产品上市时间并降低开发成本。 

在 PSpice for TI 设计和仿真工具中,您可以搜索 TI 器件、了解产品系列、打开测试台并对您的设计进行仿真,从而进一步分析选定的器件。您还可对多个 TI 器件进行联合仿真,以更好地展现您的系统。

除了一个完整的预加载模型库之外,您还可以在 PSPICE-FOR-TI 工具中轻松访问 TI 器件的全新技术资料。在您确认找到适合您应用的器件后,可访问 TI store 购买产品。 

借助 PSpice for TI,您可使用合适的工具来满足您在整个设计周期(从电路探索到设计开发和验证)的仿真需求。免费获取、轻松入门。立即下载 PSpice 设计和仿真套件,开始您的设计。

入门

  1. 申请使用 PSPICE-FOR-TI 仿真器
  2. 下载并安装
  3. 观看有关仿真入门的培训
封装 引脚 下载
(RQZ) 54 了解详情

订购与质量

包含信息:
  • RoHS
  • REACH
  • 器件标识
  • 引脚镀层/焊球材料
  • MSL 等级/回流焊峰值温度
  • MTBF/FIT 估算
  • 材料成分
  • 认证摘要
  • 持续可靠性监测

推荐产品的参数、评估模块或参考设计可能与此 TI 产品相关

支持与培训

视频