LMG3425R030

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具有集成驱动器、保护和温度报告功能以及理想二极管模式的 600V 30mΩ GaN FET

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VDS (max) (V) 600 RDS(on) (mΩ) 30 ID (max) (A) 55 Features Bottom-side cooled, Cycle-by-cycle overcurrent protection, Ideal diode mode, Latched overcurrent protection, Overtemperature protection, PWM temperature reporting Rating Catalog Operating temperature range (°C) -40 to 150
VDS (max) (V) 600 RDS(on) (mΩ) 30 ID (max) (A) 55 Features Bottom-side cooled, Cycle-by-cycle overcurrent protection, Ideal diode mode, Latched overcurrent protection, Overtemperature protection, PWM temperature reporting Rating Catalog Operating temperature range (°C) -40 to 150
VQFN (RQZ) 54 144 mm² 12 x 12
  • Qualified for JEDEC JEP180 for hard-switching topologies
  • 600V GaN-on-Si FET with integrated gate driver
    • Integrated high precision gate bias voltage
    • 200V/ns FET hold-off
    • 2.2MHz switching frequency
    • 20V/ns to 150V/ns slew rate for optimization of switching performance and EMI mitigation
    • Operates from 7.5V to 18V supply
  • Robust protection
    • Cycle-by-cycle overcurrent and latched short-circuit protection with < 100ns response
    • Withstands 720V surge while hard-switching
    • Self-protection from internal overtemperature and UVLO monitoring
  • Advanced power management
    • Digital temperature PWM output
    • Ideal diode mode reduces third-quadrant losses
  • Qualified for JEDEC JEP180 for hard-switching topologies
  • 600V GaN-on-Si FET with integrated gate driver
    • Integrated high precision gate bias voltage
    • 200V/ns FET hold-off
    • 2.2MHz switching frequency
    • 20V/ns to 150V/ns slew rate for optimization of switching performance and EMI mitigation
    • Operates from 7.5V to 18V supply
  • Robust protection
    • Cycle-by-cycle overcurrent and latched short-circuit protection with < 100ns response
    • Withstands 720V surge while hard-switching
    • Self-protection from internal overtemperature and UVLO monitoring
  • Advanced power management
    • Digital temperature PWM output
    • Ideal diode mode reduces third-quadrant losses

The LMG3425R030 GaN FET with integrated driver and protection is targeted at switch-mode power converters and enables designers to achieve new levels of power density and efficiency.

The LMG3425R030 integrates a silicon driver that enables switching speed up to 150V/ns. TI’s integrated precision gate bias results in higher switching SOA compared to discrete silicon gate drivers. This integration, combined with TI’s low-inductance package, delivers clean switching and minimal ringing in hard-switching power supply topologies. Adjustable gate drive strength allows control of the slew rate from 20V/ns to 150V/ns, which can be used to actively control EMI and optimize switching performance.

Advanced power management features include digital temperature reporting, fault detection, and ideal diode mode. The temperature of the GaN FET is reported through a variable duty cycle PWM output, which simplifies managing device loading. Faults reported include overcurrent, short-circuit, overtemperature, VDD UVLO, and high-impedance RDRV pin. Ideal diode mode reduces third-quadrant losses by enabling dead-time control.

The LMG3425R030 GaN FET with integrated driver and protection is targeted at switch-mode power converters and enables designers to achieve new levels of power density and efficiency.

The LMG3425R030 integrates a silicon driver that enables switching speed up to 150V/ns. TI’s integrated precision gate bias results in higher switching SOA compared to discrete silicon gate drivers. This integration, combined with TI’s low-inductance package, delivers clean switching and minimal ringing in hard-switching power supply topologies. Adjustable gate drive strength allows control of the slew rate from 20V/ns to 150V/ns, which can be used to actively control EMI and optimize switching performance.

Advanced power management features include digital temperature reporting, fault detection, and ideal diode mode. The temperature of the GaN FET is reported through a variable duty cycle PWM output, which simplifies managing device loading. Faults reported include overcurrent, short-circuit, overtemperature, VDD UVLO, and high-impedance RDRV pin. Ideal diode mode reduces third-quadrant losses by enabling dead-time control.

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更多文献资料 A Generalized Approach to Determine the Switching Lifetime of a GaN FET 2020年 10月 20日

设计和开发

如需其他信息或资源,请点击以下任一标题进入详情页面查看(如有)。

评估板

LMG342X-BB-EVM — 适用于 LMG342x 系列的 LMG342x GaN 系统级评估主板

LMG342X-BB-EVM 是易于使用的输出板,可将 LMG3422EVM-043 等各种 LMG342xR0x0 半桥板配置为同步降压转换器。通过提供功率级、偏置电源和逻辑电路,该 EVM 可用于快速测量 GaN 器件的开关速度。该 EVM 能够在提供充分热管理(强制通风、低频运行等)的同时提供高达 12A 的输出电流,从而确保不超出最大工作温度。该 EVM 不适合用于瞬态测量,因为该板是开环板。

仅需要一个脉宽调制输入,即可在电路板上生成互补的脉宽调制信号和相应的死区时间。提供了探测点,从而可使用具有短接地弹簧的示波器探针测量关键逻辑和功率级波形。
用户指南: PDF | HTML
英语版 (Rev.B): PDF | HTML
TI.com 上无现货
子卡

LMG3425EVM-043 — 具有理想二极管模式的 LMG3425R030 600V 30mΩ 半桥子卡

LMG3425EVM-043 可将两个 LMG3425R030 GaN FET 配置到具有锁存过流保护功能和所有必要辅助外围电路的半桥中。  该 EVM 需要与大型系统配合使用。
用户指南: PDF | HTML
英语版 (Rev.B): PDF | HTML
仿真模型

LMG3422R030 PSpice Model

SNOM767.ZIP (270 KB) - PSpice Model
计算工具

LMGXX-GAN-LLC-CALC GaN LLC resonant converter device loss calculator

Device Loss Calculator can be used to evaluate different devices for different topologies of the LLC Resonant Converter
lock = 需要出口许可(1 分钟)
支持的产品和硬件

支持的产品和硬件

产品
氮化镓 (GaN) IC
LMG2100R044 100-V 4.4-mΩ half-bridge GaN FET with integrated driver and protection LMG2610 具有集成驱动器、保护和电流检测功能且适用于 ACF 的 650V 170/248mΩ GaN 半桥 LMG3410R050 具有集成驱动器和保护功能的 600V 50mΩ GaN LMG3410R070 具有集成驱动器和保护功能的 600V 70mΩ GaN LMG3410R150 具有集成驱动器和过流保护功能的 600V 150mΩ GaN LMG3411R050 具有集成驱动器和逐周期过流保护功能的 600V 50mΩ GaN LMG3411R070 具有集成驱动器和逐周期过流保护功能的 600V 70mΩ GaN LMG3411R150 具有集成驱动器和逐周期过流保护功能的 600V 150mΩ GaN LMG3422R030 具有集成驱动器、保护和温度报告功能的 600V 30mΩ GaN FET LMG3422R050 具有集成驱动器、保护和温度报告功能的 600V 50mΩ GaN FET LMG3425R030 具有集成驱动器、保护和温度报告功能以及理想二极管模式的 600V 30mΩ GaN FET LMG3425R050 具有集成驱动器、保护和温度报告功能以及理想二极管模式的 600V 50mΩ GaN FET LMG3522R030 具有集成驱动器、保护和温度报告功能的 650V 30mΩ GaN FET LMG3522R030-Q1 具有集成驱动器、保护和温度报告功能的汽车类 650V 30mΩ GaN FET LMG3526R030 具有集成驱动器、保护和零电压检测功能的 650V 30mΩ GaN FET LMG5200 80V GaN 半桥功率级
模拟工具

PSPICE-FOR-TI — 适用于 TI 设计和模拟工具的 PSpice®

PSpice® for TI 可提供帮助评估模拟电路功能的设计和仿真环境。此功能齐全的设计和仿真套件使用 Cadence® 的模拟分析引擎。PSpice for TI 可免费使用,包括业内超大的模型库之一,涵盖我们的模拟和电源产品系列以及精选的模拟行为模型。

借助 PSpice for TI 的设计和仿真环境及其内置的模型库,您可对复杂的混合信号设计进行仿真。创建完整的终端设备设计和原型解决方案,然后再进行布局和制造,可缩短产品上市时间并降低开发成本。

在 PSpice for TI 设计和仿真工具中,您可以搜索 TI (...)
封装 引脚 下载
VQFN (RQZ) 54 查看选项

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  • MSL 等级/回流焊峰值温度
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  • 鉴定摘要
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包含信息:
  • 制造厂地点
  • 封装厂地点

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