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RDS (on) (Milliohm) 50 VDS (Max) (V) 600 ID (Max) (A) 12 Rating Catalog
RDS (on) (Milliohm) 50 VDS (Max) (V) 600 ID (Max) (A) 12 Rating Catalog
VQFN (RWH) 32
  • TI GaN 工艺通过了实际应用硬开关任务剖面可靠性加速测试
  • 支持高密度电源转换设计
    • 与共源共栅或独立 GaN FET 相比具有卓越的系统性能
    • 低电感 8mm x 8mm QFN 封装简化了设计和布局
    • 可调节驱动强度确保开关性能和 EMI 控制
    • 数字故障状态输出信号
    • 仅需 +12V 非稳压电源
  • 集成栅极驱动器
    • 零共源电感
    • 20ns 传播延迟,确保 MHz 级工作频率
    • 工艺经过调整的栅极偏置电压,确保可靠性
    • 25V/ns 至 100V/ns 的用户可调节压摆率
  • 强大的保护
    • 无需外部保护组件
    • 过流保护,响应时间低于 100ns
    • 压摆率抗扰性高于 150V/ns
    • 瞬态过压抗扰度
    • 过热保护
    • 针对所有电源轨的 UVLO 保护
  • 强大的保护
    • LMG3410R050:锁存过流保护
    • LMG3411R050:逐周期过流保护
    • TI GaN 工艺通过了实际应用硬开关任务剖面可靠性加速测试
    • 支持高密度电源转换设计
      • 与共源共栅或独立 GaN FET 相比具有卓越的系统性能
      • 低电感 8mm x 8mm QFN 封装简化了设计和布局
      • 可调节驱动强度确保开关性能和 EMI 控制
      • 数字故障状态输出信号
      • 仅需 +12V 非稳压电源
    • 集成栅极驱动器
      • 零共源电感
      • 20ns 传播延迟,确保 MHz 级工作频率
      • 工艺经过调整的栅极偏置电压,确保可靠性
      • 25V/ns 至 100V/ns 的用户可调节压摆率
    • 强大的保护
      • 无需外部保护组件
      • 过流保护,响应时间低于 100ns
      • 压摆率抗扰性高于 150V/ns
      • 瞬态过压抗扰度
      • 过热保护
      • 针对所有电源轨的 UVLO 保护
    • 强大的保护
      • LMG3410R050:锁存过流保护
      • LMG3411R050:逐周期过流保护

      LMG341xR050 GaN 功率级具有集成驱动器和保护功能,可让设计人员在电力电子系统中实现更高水平的功率密度和效率。LMG341x 的固有优势超越硅 MOSFET,包括超低输入和输出电容值、可将开关损耗降低 80% 的零反向恢复以及可降低 EMI 的低开关节点振铃。这些优势支持诸如图腾柱 PFC 之类的密集高效拓扑。

      LMG341xR050 通过集成一系列独一无二的 特性 提供了传统共源共栅 GaN 和独立 GaN FET 的智能替代产品,以简化设计、最大限度地提高可靠性并优化任何电源的性能。集成式栅极驱动器支持 100V/ns 开关(Vds 振铃几乎为零),低于 100ns 的限流可自行防止意外击穿事件,过热关断可防止热逃逸,而且系统接口信号可提供自监控功能。

      LMG341xR050 GaN 功率级具有集成驱动器和保护功能,可让设计人员在电力电子系统中实现更高水平的功率密度和效率。LMG341x 的固有优势超越硅 MOSFET,包括超低输入和输出电容值、可将开关损耗降低 80% 的零反向恢复以及可降低 EMI 的低开关节点振铃。这些优势支持诸如图腾柱 PFC 之类的密集高效拓扑。

      LMG341xR050 通过集成一系列独一无二的 特性 提供了传统共源共栅 GaN 和独立 GaN FET 的智能替代产品,以简化设计、最大限度地提高可靠性并优化任何电源的性能。集成式栅极驱动器支持 100V/ns 开关(Vds 振铃几乎为零),低于 100ns 的限流可自行防止意外击穿事件,过热关断可防止热逃逸,而且系统接口信号可提供自监控功能。

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      类型 标题 下载最新的英文版本 日期
      * 数据表 具有过流保护功能的 LMG341xR050 600V 50mΩ 集成式 GaN 功率级 数据表 (Rev. A) 下载最新的英文版本 (Rev.B) 2019年 6月 24日
      技术文章 3 quiescent-current (Iq) specifications you need to understand 2021年 11月 12日
      白皮书 实现 GaN 产品的寿命可靠性 下载英文版本 2021年 10月 11日
      白皮书 Achieve Power-Dense and Efficient Digital Power Systems by Combining TI GaN FETK 2021年 3月 18日
      白皮书 Achieve Power-Dense and Efficient Digital Power Systems by Combining TI GaN FETN 2021年 3月 18日
      白皮书 通过结合 TI GaN FET 实现功率密集和高效的数字电源系统 下载英文版本 2021年 1月 5日
      白皮书 在电动汽车动力总成子系统中实现高效率并实现集成 下载英文版本 2020年 12月 22日
      模拟设计期刊 宽带隙半导体:GaN 与 SiC 的性能和优势对比 下载英文版本 2020年 12月 2日
      更多文献资料 A Generalized Approach to Determine the Switching Lifetime of a GaN FET 2020年 10月 20日
      应用手册 GaN 功率级设计的散热注意事项 (Rev. B) 下载英文版本 (Rev.B) 2020年 9月 16日
      更多文献资料 GaN FET Reliability to Power-line Surges Under Use-conditions 2019年 3月 25日
      用户指南 Using the LMG3410EVM-018 Half-Bridge and LMG34XX-BB--EVM Breakout Board EVM (Rev. A) 2019年 3月 8日
      技术文章 20 million GaN reliability hours and counting 2019年 2月 28日
      应用手册 Third quadrant operation of GaN 2019年 2月 25日
      技术文章 Gallium nitride: supporting applications from watts to kilowatts 2018年 12月 19日
      技术文章 20 million reasons to use GaN 2018年 11月 8日
      应用手册 Overcurrent protection in high density GaN power designs 2018年 10月 19日
      更多文献资料 Product-level Reliability of GaN Devices 2016年 4月 26日
      白皮书 Application-Relevant Qualification of Emerging Semiconductor Power Devices, GaN 2016年 3月 31日

      设计与开发

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      评估板

      LMG34XX-BB-EVM — 适用于 LMG341x 系列的 LMG34xx GaN 系统级评估主板

      LMG34XX-BB-EVM 是一款易于使用的分线板,可将 LMG3410-HB-EVM 等任何 LMG341x 半桥板配置为同步降压转换器。通过提供功率级、偏置电源和逻辑电路,该 EVM 可用于快速测量 GaN 器件的开关速度。该 EVM 能够在提供充分的热管理(强制通风、低频运行等)的同时提供高达 8A 的输出电流,以确保不超出最大工作温度。该 EVM 不适合用于瞬态测量,因为该板是开环板。

      仅需要单脉冲宽度调制输入,即可在板上生成互补脉冲宽度调制信号和相应的死区时间。提供了探测点,从而可使用具有短接地弹簧的示波器探针测量关键逻辑和功率级波形。

      现货
      数量限制: 3
      子卡

      LMG3410EVM-018 — LMG3410R050 600V 50mΩ GaN 半桥子卡

      LMG3410EVM-018 将两个具有集成式驱动器和保护功能的 LMG3410R050 600-V GaN FET 配置到了一个半桥中。此 EVM 随附所有必要的辅助外围电路,旨在与大型系统配合使用。
      现货
      数量限制: 4
      仿真模型

      LMG3410R050 Unencrypted PSpice Model (Rev. A)

      SNOM689A.ZIP (44 KB) - PSpice Model
      仿真工具

      PSPICE-FOR-TI — PSPICE® for TI design and simulation tool

      PSpice® for TI 可提供帮助评估模拟电路功能的设计和仿真环境。此功能齐全的设计和仿真套件使用 Cadence® 的模拟分析引擎。PSpice for TI 可免费使用,包括业内超大的模型库之一,涵盖我们的模拟和电源产品系列以及精选的模拟行为模型。

      借助 PSpice for TI 的设计和仿真环境及其内置的模型库,您可对复杂的混合信号设计进行仿真。创建完整的终端设备设计和原型解决方案,然后再进行布局和制造,可缩短产品上市时间并降低开发成本。 

      在 PSpice for TI 设计和仿真工具中,您可以搜索 TI (...)
      参考设计

      TIDA-010210 — 6.6kW 三相三级 ANPC 逆变器/PFC 双向功率级参考设计

      此参考设计提供了用于实现基于碳化硅/氮化镓 (SiC/GaN) 的三级三相 ANPC 逆变器功率级设计模板。使用快速开关型功率器件可实现 100kHz 的更高开关频率,不仅降低了滤波器磁性元件的尺寸,还提高了功率级的功率密度。多级拓扑允许在高达 1000V 的较高直流总线电压下使用额定电压为 600V 的功率设备。较低的开关电压应力可降低开关损耗,从而使峰值效率达到 98.5%。该设计采用模块化结构,可配置为与具有相同滤波器级的 SiC 或 GaN 功率器件一起使用。
      参考设计

      PMP40690 — 采用 C2000™ MCU 和 GaN 的 4kW 交错式 CCM 图腾柱无桥 PFC 参考设计

      此参考设计是一款 4kW 交错式 CCM 图腾柱 (TTPL) 无桥 PFC 参考设计,采用了 64 引脚 C2000™ 微控制器、LM3410 氮化镓器件和 TMCS1100 霍尔传感器。它基于使用 C2000™ MCU 的 TIDM-02008 双向交互式 CCM TTPL 无桥 PFC 参考设计,并将整个 PCB 的尺寸降至 145mm x 105mm x 35mm。氮化镓 (GaN) 器件用于功率级,可实现 98.73% 的峰值效率。该设计包含切相、自适应死区时间和输入电容补偿等高级功能,可提高负载范围内的 PF (...)
      封装 引脚 下载
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      • MSL 等级/回流焊峰值温度
      • MTBF/FIT 估算
      • 材料成分
      • 认证摘要
      • 持续可靠性监测

      推荐产品的参数、评估模块或参考设计可能与此 TI 产品相关

      支持与培训

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