LMG3410EVM-018 LMG3410R050 600V 50mΩ GaN 半桥子卡 angled board image

LMG3410EVM-018

LMG3410R050 600V 50mΩ GaN 半桥子卡

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LMG3410EVM-018 的特性

  • 输入电压高达 600V
  • 用于评估 LMG3410R050 性能的简单开环设计
  • 用于 PWM 信号的单个板载 PWM 输入(死区时间为 50ns)
  • 用于使用示波器探针(具有短接地弹簧探针)进行逻辑和功率级测量的便利探测点

LMG3410EVM-018 的说明

LMG3410EVM-018 将两个具有集成式驱动器和保护功能的 LMG3410R050 600-V GaN FET 配置到了一个半桥中。此 EVM 随附所有必要的辅助外围电路,旨在与大型系统配合使用。

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