产品详细信息

Bus voltage (Max) (V) 300 Power switch MOSFET, GaNFET Input VCC (Min) (V) 6 Input VCC (Max) (V) 18 Peak output current (A) 3 Rise time (ns) 0.5 Operating temperature range (C) -40 to 125 Undervoltage lockout (Typ) 4 Rating Catalog Number of channels (#) 2 Fall time (ns) 0.5 Prop delay (ns) 10 Iq (uA) 300 Input threshold TTL Channel input logic TTL/PWM Features Resistor-controllable deadtime, Internal LDO, Bootstrap supply voltage clamp Driver configuration Half Bridge
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  • 工作频率高达 50MHz
  • 10ns 典型传播延迟
  • 3.4ns 高侧至低侧匹配
  • 4ns 最小脉宽
  • 两个控制输入选项
    • 具有可调死区时间的单个 PWM 输入
    • 独立输入模式
  • 1.5A 峰值拉电流和 3A 峰值灌电流
  • 外部自举二极管可实现灵活性
  • 内部 LDO 可实现对电压轨的适应能力
  • 高 300V/ns CMTI
  • HO 到 LO 的电容小于 1pF
  • UVLO 和过热保护
  • 低电感 WQFN 封装
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  • 高 300V/ns CMTI
  • HO 到 LO 的电容小于 1pF
  • UVLO 和过热保护
  • 低电感 WQFN 封装

LMG1210 是一款 200V 半桥 MOSFET 和氮化镓场效应晶体管 (GaN FET) 驱动器,专为要求超高频率、高效率的 应用 而开发, 具有 可调节死区时间功能、极短的传播延迟以及 3.4ns 高侧/低侧匹配,以优化系统效率。此部件还 具备 一个内部 LDO,可确保 5V 的栅极驱动器电压(而与电源电压无关)。

为了在各种应用中获得 最佳性能,LMG1210 允许设计人员选择最佳的自举二极管对高侧自举电容器充电。当低侧不导通时,内部开关会关闭自举二极管,以有效防止高侧自举过度充电,并将反向恢复电荷降至最低。GaN FET 上额外的寄生电容被最小化至小于 1pF,以减少额外的开关损耗。

该 LMG1210 具有 两种控制输入模式:独立输入模式 (IIM) 和 PWM 模式。在 IIM 中,每个输出都由专用输入独立控制。在 PWM 模式下,两个补偿输出信号由单个输入产生,用户可将每个沿的死区时间从 0ns 调节为 20ns。LMG1210 可在 –40°C 至 125°C 的宽温度范围内运行,并采用低电感 WQFN 封装。

LMG1210 是一款 200V 半桥 MOSFET 和氮化镓场效应晶体管 (GaN FET) 驱动器,专为要求超高频率、高效率的 应用 而开发, 具有 可调节死区时间功能、极短的传播延迟以及 3.4ns 高侧/低侧匹配,以优化系统效率。此部件还 具备 一个内部 LDO,可确保 5V 的栅极驱动器电压(而与电源电压无关)。

为了在各种应用中获得 最佳性能,LMG1210 允许设计人员选择最佳的自举二极管对高侧自举电容器充电。当低侧不导通时,内部开关会关闭自举二极管,以有效防止高侧自举过度充电,并将反向恢复电荷降至最低。GaN FET 上额外的寄生电容被最小化至小于 1pF,以减少额外的开关损耗。

该 LMG1210 具有 两种控制输入模式:独立输入模式 (IIM) 和 PWM 模式。在 IIM 中,每个输出都由专用输入独立控制。在 PWM 模式下,两个补偿输出信号由单个输入产生,用户可将每个沿的死区时间从 0ns 调节为 20ns。LMG1210 可在 –40°C 至 125°C 的宽温度范围内运行,并采用低电感 WQFN 封装。

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设计和开发

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评估板

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用户指南: PDF
TI.com 無法提供
仿真模型

LMG1210 PSpice Transient Model (Rev. C)

SNOM615C.ZIP (22427 KB) - PSpice Model
仿真模型

LMG1210 TINA-TI Reference Design (Rev. C)

SNOM617C.TSC (610 KB) - TINA-TI Reference Design
仿真模型

LMG1210 Unencrypted PSPICE Transient Model

SNOM677.ZIP (7 KB) - PSpice Model
CAD/CAE 符号

LMG1210 Altium Deisgn Files

SNOR026.ZIP (3265 KB)
模拟工具

PSPICE-FOR-TI — 适用于 TI 设计和模拟工具的 PSpice®

PSpice® for TI 可提供帮助评估模拟电路功能的设计和仿真环境。此功能齐全的设计和仿真套件使用 Cadence® 的模拟分析引擎。PSpice for TI 可免费使用,包括业内超大的模型库之一,涵盖我们的模拟和电源产品系列以及精选的模拟行为模型。

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参考设计

PMP21440 — 对比:0.8V/8W GaN 与硅质电源参考设计

该参考设计为客户提供有关电源设计中 GaN 与 SI 使用情况的对比研究。该特定的设计使用 TPS40400 控制器来驱动 CSD87381(对于硅电源)和采用 EPC2111 的 LMG1210(对于 GaN 电源),以提供 0.8V 的电压和 10A 的电流。该设计将硅功率级与 GaN 功率级进行比较,以说明在使用 GaN 进行设计时的设计折衷和必要的优化。
测试报告: PDF
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TIDA-01634 — 适用于高速直流/直流转换器的数兆赫兹 GaN 功率级参考设计

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设计指南: PDF
原理图: PDF
封装 引脚数 下载
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  • 引脚镀层/焊球材料
  • MSL 等级/回流焊峰值温度
  • MTBF/时基故障估算
  • 材料成分
  • 认证摘要
  • 持续可靠性监测

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