LMG1025-Q1

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适用于窄脉冲应用、具有 5V UVLO 的汽车类 7A/5A 单通道低侧栅极驱动器

产品详情

Number of channels 1 Power switch GaNFET, MOSFET Peak output current (A) 7 Input supply voltage (min) (V) 4.75 Input supply voltage (max) (V) 5.25 Features 1.25-ns Pulse Width Operating temperature range (°C) -40 to 125 Rise time (ns) 0.65 Fall time (ns) 0.85 Propagation delay time (µs) 0.0029 Input threshold CMOS, TTL Channel input logic TTL Input negative voltage (V) 0 Rating Automotive Undervoltage lockout (typ) (V) 4.19 Driver configuration Dual inputs
Number of channels 1 Power switch GaNFET, MOSFET Peak output current (A) 7 Input supply voltage (min) (V) 4.75 Input supply voltage (max) (V) 5.25 Features 1.25-ns Pulse Width Operating temperature range (°C) -40 to 125 Rise time (ns) 0.65 Fall time (ns) 0.85 Propagation delay time (µs) 0.0029 Input threshold CMOS, TTL Channel input logic TTL Input negative voltage (V) 0 Rating Automotive Undervoltage lockout (typ) (V) 4.19 Driver configuration Dual inputs
WSON (DEE) 6 4 mm² 2 x 2
  • AEC-Q100 grade 1 qualified
  • 1.25-ns typical minimum input pulse width
  • 2.6-ns typical rising propagation delay
  • 2.9-ns typical falling propagation delay
  • 300-ps typical pulse distortion
  • Independent 7-A pull-up and 5-A pull-down current
  • 650-ps typical rise time (220-pF load)
  • 850-ps typical fall time (220-pF load)
  • 2-mm x 2-mm QFN package
  • Inverting and non-inverting inputs
  • UVLO and over-temperature protection
  • Single 5-V supply voltage
  • AEC-Q100 grade 1 qualified
  • 1.25-ns typical minimum input pulse width
  • 2.6-ns typical rising propagation delay
  • 2.9-ns typical falling propagation delay
  • 300-ps typical pulse distortion
  • Independent 7-A pull-up and 5-A pull-down current
  • 650-ps typical rise time (220-pF load)
  • 850-ps typical fall time (220-pF load)
  • 2-mm x 2-mm QFN package
  • Inverting and non-inverting inputs
  • UVLO and over-temperature protection
  • Single 5-V supply voltage

The LMG1025-Q1 is a single channel low-side enhancement-mode GaN FET and logic-level MOSFET driver for high switching frequency automotive applications. Narrow pulse width capability, fast switching specification, and small pulse distortion combine to significantly enhance LiDAR, ToF, and Power Converter performance. 1.25-ns output pulse width enables more powerful, eye-safe diode pulses. This, combined with 300-ns distortion, leads to longer-range, precise LiDAR/ToF systems. 2.9-ns propagation delay significantly improves the control loop response time and thus overall performance of the power converters. Split output allows the drive strength and timing to be independently adjusted through external resistors between OUTH, OUTL, and the FET gate.

The driver features undervoltage lockout (UVLO) and over-temperature protection (OTP) to ensure the device is not damaged in overload or fault conditions. LMG1025-Q1 is available in a compact, leadless, AEC-Q100 automotive qualified package to meet the size and gate loop inductance requirements of high switching frequency automotive applications.

The LMG1025-Q1 is a single channel low-side enhancement-mode GaN FET and logic-level MOSFET driver for high switching frequency automotive applications. Narrow pulse width capability, fast switching specification, and small pulse distortion combine to significantly enhance LiDAR, ToF, and Power Converter performance. 1.25-ns output pulse width enables more powerful, eye-safe diode pulses. This, combined with 300-ns distortion, leads to longer-range, precise LiDAR/ToF systems. 2.9-ns propagation delay significantly improves the control loop response time and thus overall performance of the power converters. Split output allows the drive strength and timing to be independently adjusted through external resistors between OUTH, OUTL, and the FET gate.

The driver features undervoltage lockout (UVLO) and over-temperature protection (OTP) to ensure the device is not damaged in overload or fault conditions. LMG1025-Q1 is available in a compact, leadless, AEC-Q100 automotive qualified package to meet the size and gate loop inductance requirements of high switching frequency automotive applications.

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* 数据表 LMG1025-Q1 Automotive Low Side GaN and MOSFET Driver For High Frequency and Narrow Pulse Applications 数据表 (Rev. B) PDF | HTML 2020年 1月 16日
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功能安全信息 LMG1025-Q1 FIT, FMD, and Pin FMA PDF | HTML 2022年 6月 24日
证书 LMG1025-Q1EVM EU Declaration of Conformity (DoC) (Rev. A) 2020年 9月 16日
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应用简报 了解峰值源电流和灌电流 (Rev. A) 英语版 (Rev.A) 2020年 4月 29日
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设计和开发

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评估板

LMG1020EVM-006 — LMG1020 GaN 低侧驱动器 + GaN FET 激光雷达评估模块

LMG1020EVM-006 是一种具有集成电阻负载(不包括激光器)的小型易用功率级。它采用可进行缓冲(并进一步缩短)或直接传输到该功率级的短脉冲输入。
用户指南: PDF
TI.com 上无现货
评估板

LMG1025-Q1EVM — LMG1025-Q1 GaN 低侧驱动器和 GaN FET 激光雷达评估模块

The LMG1025-Q1EVM is a small, easy-to-use power stage with integrated resistive load (laser not included). It takes a short-pulse input that can either be buffered (and shortened further), or passed directly to the power stage.
用户指南: PDF
TI.com 上无现货
仿真模型

LMG1020 PSpice Transient Model (Rev. C)

SNOM618C.ZIP (1575 KB) - PSpice Model
仿真模型

LMG1020 TINA-TI Transient Spice Model (Rev. A)

SNOM620A.ZIP (43 KB) - TINA-TI Spice Model
计算工具

SLURB15 LMG1025-Q1 Schematic Review Template

支持的产品和硬件

支持的产品和硬件

产品
低侧驱动器
LMG1025-Q1 适用于窄脉冲应用、具有 5V UVLO 的汽车类 7A/5A 单通道低侧栅极驱动器
模拟工具

PSPICE-FOR-TI — 适用于 TI 设计和模拟工具的 PSpice®

PSpice® for TI 可提供帮助评估模拟电路功能的设计和仿真环境。此功能齐全的设计和仿真套件使用 Cadence® 的模拟分析引擎。PSpice for TI 可免费使用,包括业内超大的模型库之一,涵盖我们的模拟和电源产品系列以及精选的模拟行为模型。

借助 PSpice for TI 的设计和仿真环境及其内置的模型库,您可对复杂的混合信号设计进行仿真。创建完整的终端设备设计和原型解决方案,然后再进行布局和制造,可缩短产品上市时间并降低开发成本。

在 PSpice for TI 设计和仿真工具中,您可以搜索 TI (...)
参考设计

TIDA-01573 — 适用于激光雷达的纳秒级激光驱动器参考设计

此激光雷达 (LiDAR) 参考设计展示了适用于窄脉冲应用的 LMG1020 和 LMG1025-Q1 低侧栅极驱动器。这些器件能够驱动 FET 产生功率大于 100W、脉宽小于 1.5ns 的激光脉冲。
设计指南: PDF
原理图: PDF
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订购和质量

包含信息:
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  • MTBF/时基故障估算
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  • 制造厂地点
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推荐产品可能包含与 TI 此产品相关的参数、评估模块或参考设计。

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