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产品详细信息

参数

Number of channels (#) 1 Power switch MOSFET, GaNFET Peak output current (A) 7 Input VCC (Min) (V) 4.75 Input VCC (Max) (V) 5.25 Features low-side, ultra-fast Operating temperature range (C) -40 to 125 Rise time (ns) 0.4 Fall time (ns) 0.4 Prop delay (ns) 2.5 Input threshold TTL Channel input logic Inverting, Non-inverting Input negative voltage (V) 0 Rating Catalog open-in-new 查找其它 低端驱动

封装|引脚|尺寸

DSBGA (YFF) 6 0 mm² 1.295 x .895 open-in-new 查找其它 低端驱动

特性

  • 用于 GaN 和硅质 FET 的低侧、超快栅极驱动器
  • 1ns 最小输入脉冲宽度
  • 工作频率高达 60MHz
  • 传播延迟:典型值 2.5ns,最大值 4.5ns
  • 典型上升和下降时间 400ps
  • 7A 峰值拉电流和 5A 峰值灌电流
  • 5V 电源电压
  • UVLO 和过热保护
  • 0.8mm × 1.2mm WCSP 封装

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描述

LMG1020 器件是一款单通道低侧驱动器,专为在高速 应用 (包括 LiDAR、飞行时间、面部识别和任何涉及低侧驱动器的功率转换器)中驱动 GaN FET 和逻辑电平 MOSFET 而设计。LMG1020 设计简约,可实现 2.5 纳秒的极快传播延迟和 1 纳秒的最小脉冲宽度。通过分别在栅极与 OUTH 和 OUTL 之间连接外部电阻器,可针对上拉和下拉沿来独立调节驱动强度。

该驱动器 提供 过载或故障情况下的欠压锁定 (UVLO) 和过热保护 (OTP)。

LMG1020 的 0.8mm × 1.2mm WCSP 封装可最大限度地降低栅极回路电感并最大限度地提高高频功率密度 要求。

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技术文档

设计与开发

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硬件开发

评估板 下载
document-generic 用户指南
$149.00
说明
LMG1020EVM-006 是一种具有集成电阻负载(不包括激光器)的小型易用功率级。它采用可进行缓冲(并进一步缩短)或直接传输到该功率级的短脉冲输入。
特性
  • 展示驱动器的 1ns 脉冲 >50A 的功能
  • 极短的传播延迟:典型值 2.5ns,最大值 4.5ns
  • 典型上升和下降时间 210ps
  • 施密特触发型 CMOS 输入,可增强稳定性
  • 先进的布局,具有 >500pH 的电感

设计工具和仿真

仿真模型 下载
SNOM618C.ZIP (1575 KB) - PSpice Model
仿真模型 下载
SNOM619A.TSC (66 KB) - TINA-TI Reference Design
仿真模型 下载
SNOM620A.ZIP (43 KB) - TINA-TI Spice Model

参考设计

参考设计 下载
适用于激光雷达的纳秒级激光驱动器参考设计
TIDA-01573 — 此激光雷达 (LiDAR) 参考设计展示了适用于窄脉冲应用的 LMG1020 和 LMG1025-Q1 低侧栅极驱动器。这些器件能够驱动 FET 产生功率大于 100W、脉宽小于 1.5ns 的激光脉冲。
document-generic 原理图 document-generic 用户指南 document-generic 下载英文版本

CAD/CAE 符号

封装 引脚 下载
DSBGA (YFF) 6 了解详情

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