LM74610-DQEVM 的特性
- 最大反向电压：-45V
- 快速响应动态电流反向：<10μs
- 最高输入电压为 MOSFET 的漏源极电压：40V
- 最大负载电流为漏电流 (Id)：75A
- 零 Iq 和低反向漏电流
- 符合汽车 ISO7637 和 CISPR25 要求
LM74610-DQEVM 的说明
LM74610-DQEVM 评估模块展示了二极管 OR-ing 配置中用于取代肖特基二极管和 P 通道 MOSFET 的反极性保护解决方案。在此反极性保护解决方案中，两个 LM74610 智能二极管控制器用于驱动两个 40V (VDS) 外部 N 通道 MOSFET。LM74610-DQEVM 与两个单独的电压轨或电源串联时，可模拟理想二极管 OR-ing 的属性。此 OR-ing 控制器可使 MOSFET 替换电源分配网络中的二极管整流器，从而降低功率损耗和压降。在任何输入中感应到负电压时，LM74610 拉下 MOSFET 栅极并将连接的负载与电源隔离。输出电压继续跟随更高的正电压。两种输入端的 TVS 电压钳位二极管负责保护 LM74610-DQEVM 的安全以便进行 ISO7637 瞬态脉冲测试。