HTFLASHEVM 的特性
- 适合高温环境的 32 兆位闪存
- 兼容串行外设接口 (SPI)（模式 0 和 3）
- 3.3V 电源用于 IO，1.8 V 电源用于内核
- 2M x 16 位字存取
- 异步读取、写入和擦除操作
- 12MHz 的最高时钟频率
- 寿命：TBD 程序和擦除周期
- 数据保留：1000 小时
- ESD 保护：2kV HBM，500V CDM
- 8mm x 20mm 14 引脚陶瓷封装
HTFLASHEVM 的说明
HTFLASHEVM 用于在极端环境下验证 SM28VLT32。出厂后的 EVM 可经受温度最高 200°C 的测试，但以下情况例外。去耦电容器需要从标准温度范围更换为额定 200°C 通孔组件。此操作用于在只需要室温协议开发的系统上节省电路板成本。提供了备选 BOM 数据，用于针对烤箱内的测试获取合适的 200°C 电容器。此外，让整个板曝露于烤箱温度之前，应该移除已安装引脚的塑料隔离器。
EVM 提供 100-mil berg 型引脚，用于连接 SPI 控制引脚（CS#、SO、SI、SCK）、FLCLK、WP#、HOLD# 和电源。除此之外，布局还为振荡器提供了空间，用于容纳独立的 12MHz 或频率更低的振荡器。
请注意：此 EVM 依据 RoHS 豁免 7(a) 取得了 RoHS 豁免