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产品详细信息

参数

VGS (V) 20 VDS (V) 40 Power loss (W) 2.4 Ploss current (A) 35 ID, continuous drain current at Ta=25degC (A) 50 Operating temperature range (C) -55 to 150 Features Motor control Duty cycle (Typ) (%) 40 open-in-new 查找其它 电源块

特性

  • 半桥电源块
  • 高密度 5mm × 6mm SON 封装
  • 低 RDS(ON),可实现最小的传导损耗
    • 电流为 35A 时,PLoss 为 2.4W
  • DualCool™热增强型封装
  • 超低电感封装
  • 符合 RoHS 标准
  • 无卤素
  • 无铅引脚镀层

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描述

CSD88584Q5DC 40V 电源块是用于高电流电机控制应用的优化设计,这些 应用包括手持无线园艺和电动工具等。该器件利用 TI 获得专利的堆叠裸片技术,以最大限度地减小寄生电感,同时在节省空间的热增强型 DualCool™5mm × 6mm 封装中提供完整的半桥。利用外露的金属顶部,该电源块器件允许简单散热应用将热量从封装顶部吸收并将其从 PCB 带走,从而在许多电机控制应用所要求的较高电流下,实现出色的热 性能。


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技术文档

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类型 标题 下载最新的英文版本 发布
* 数据表 CSD88584Q5DC 40V 半桥 NexFET电源块 数据表 (Rev. C) 下载英文版本 (Rev.C) 2018年 4月 19日
技术文章 How to choose the right power MOSFET or power block package for your application 2019年 10月 29日
技术文章 Discrete FETs vs. power blocks - how to choose the right SOA for your design 2019年 6月 6日
技术文章 Understanding the benefits of “lead-free” power MOSFETs 2019年 2月 7日
应用手册 QFN and SON PCB Attachment 2018年 8月 24日
技术文章 How to Select a MOSFET – Motor Control 2018年 1月 24日

设计与开发

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硬件开发

评估板 下载
document-generic 用户指南
$79.00
说明
The BOOSTXL-DRV8304HEVM evaluation module  (EVM) is a 15A, 3-phase brushless DC drive stage based on the DRV8304H gate driver and A2 dual-package MOSFETs.  The EVM has individual DC bus and phase voltage sense as well as individual low-side current shunt amplifiers, making (...)
特性
  • 6 V to 38 V Operating Voltage Range
  • 15 A continuous / 20 A peak H-bridge output current
  • Three Integrated Current Shunt Amplifiers
  • Sensored or Sensorless BLDC Firmware Available
评估板 下载
document-generic 用户指南
$75.00
说明
DRV8306 评估模块 (EVM) 是一个可用于轻松评估 DRV8306 器件的应用板。DRV8306 器件是一款适用于三相电机驱动应用的栅极驱动器 IC。DRV8306 器件会提供三个高精度的休整和温度补偿半桥驱动器,每个驱动器能够驱动一个高侧和低侧 N 型 MOSFET。
特性
  • 6V 至 38V 工作电压范围
  • 集成 120° 换向
  • 三个集成式电流分流放大器
  • 逐周期电流限值
评估板 下载
document-generic 用户指南
$149.00
说明
DRV8343H-Q1EVM 评估模块是一个高度可配置的 6V 至 60V、20A 评估平台,用于评估三相无刷直流 (BLDC) 电机的控制与驱动性能,专为基于 DRV8343H-Q1 汽车智能栅极驱动器的 12V 至 24V 汽车系统而设计。该 EVM 具有板载反向电池保护、稳压 3.3V 电源 LDO、MSP430 微控制器和 CSD18540Q5B NexFET 功率 MOSFET。
特性
  • 6V 至 60V 工作电压范围
  • 支持高达 20A(连续电流)/25A(峰值电流)的 H 桥输出电流
  • 三个集成式电流分流放大器
  • 可提供含传感器或无传感器 BLDC 固件
  • 可提供独立模式固件
评估板 下载
document-generic 用户指南
$149.00
说明
DRV8343S-Q1EVM 评估模块是一个高度可配置的 6V 至 60V、20A 评估平台,用于评估三相无刷直流 (BLDC) 电机的控制与驱动性能,专为基于 DRV8343S-Q1 汽车智能栅极驱动器的 12V 至 24V 汽车系统而设计。该 EVM 具有板载反向电池保护、稳压 3.3V 电源 LDO、MSP430 微控制器和 CSD18540Q5B NexFET 功率 MOSFET。
特性
  • 6V 至 60V 工作电压范围
  • 支持高达 20A(连续电流)/25A(峰值电流)的 H 桥输出电流
  • 三个集成式电流分流放大器
  • 可提供含传感器或无传感器 BLDC 固件
  • 可提供独立模式固件

设计工具和仿真

仿真模型 下载
SLPM326A.ZIP (3 KB) - PSpice Model
计算工具 下载
降压转换器 NexFET™ 选择工具
FETPWRCALC — 此工具旨在帮助工程师选择用于同步降压参考设计的德州仪器 (TI) 分立功率 MOSFET 和电源块器件。用户可以输入其电源条件,按功率损耗、1k 相对定价、解决方案封装和其他相关参数对比各种分立和电源块解决方案,从而有效地简化设计的 FET 选择过程。
特性
  • 针对任意一组输入参数,改变其电源条件并观察 TI 最高效的解决方案
  • 从 TI 控制器预设列表中进行选择,或输入您的自定义 IC
  • 按照有效功率损耗对解决方案排序,并按照 1k 相对定价、器件封装和总 PCB 封装进行对比
  • 对比分立解决方案与电源块解决方案的功率损耗,高精度二阶寄生损耗也计算在内
  • 针对任意指定解决方案绘制负载电流通过时的功率损耗

参考设计

参考设计 下载
支持低功耗 Bluetooth® 5.0 的单微控制器 18V/600W BLDC 电机控制参考设计
TIDA-01516 — 此参考设计提供了 Bluetooth® 5.0 SimpleLink™ 选件,其具有更好的工业噪声抑制能力、更宽的范围以及更低的功耗,适用于各种工业应用,例如由 5 枚锂离子电池供电的电动工具。该功率级参考设计使用单个低功耗蓝牙 (BLE) MCU (...)
document-generic 原理图 document-generic 用户指南 document-generic 下载英文版本
参考设计 下载
效率大于 98% 的 18V/1kW、160A 峰值电流、高功率密度无刷电机驱动器参考设计
TIDA-00774 — TIDA-00774 是一款 1kW 驱动器,适用于由 5 芯锂离子电池供电(最高电压 21V)的电动工具中的三相无刷直流 (BLDC) 电机。本设计是一款 65mm x 60mm 的紧凑型驱动器,采用基于传感器的梯形控制。本设计采用 TI 的 MOSFET 电源块技术,将两个采用半桥配置的 FET 集成到一个 SON 5x6 封装中,从而实现极高的功率密度。本设计使用两个并联的电源块,可以提供连续(120A 峰值持续 3 秒,160A 峰值持续 1 秒)的 50ARMS 绕组电流。MOSFET 电源块的寄生电感极低,并且该设计采用了带有压摆率控制功能的电流控制型栅极驱动器,有助于实现高效的 MOSFET 并联并降低开关峰值。电流检测通过监控 MOSFET VDS 实现。本电路板可提供逐周期过流和短路保护。
document-generic 原理图 document-generic 用户指南 document-generic 下载英文版本

CAD/CAE 符号

封装 引脚 下载
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订购与质量

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