ZHCSOA0 November   2022 OPA4H199-SEP

PRODUCTION DATA  

  1. 特性
  2. 应用
  3. 说明
  4. Revision History
  5. Pin Configuration and Functions
  6. Specifications
    1. 6.1 Absolute Maximum Ratings
    2. 6.2 ESD Ratings
    3. 6.3 Recommended Operating Conditions
    4. 6.4 Thermal Information for Quad Channel
    5. 6.5 Electrical Characteristics
    6. 6.6 Typical Characteristics
  7. Detailed Description
    1. 7.1 Overview
    2. 7.2 Functional Block Diagram
    3. 7.3 Feature Description
      1. 7.3.1 Input Protection Circuitry
      2. 7.3.2 EMI Rejection
      3. 7.3.3 Thermal Protection
      4. 7.3.4 Capacitive Load and Stability
      5. 7.3.5 Common-Mode Voltage Range
      6. 7.3.6 Phase Reversal Protection
      7. 7.3.7 Electrical Overstress
      8. 7.3.8 Overload Recovery
      9. 7.3.9 Typical Specifications and Distributions
    4. 7.4 Device Functional Modes
  8. Application and Implementation
    1. 8.1 Application Information
    2. 8.2 Typical Applications
      1. 8.2.1 Low-Side Current Measurement
        1. 8.2.1.1 Design Requirements
        2. 8.2.1.2 Detailed Design Procedure
        3. 8.2.1.3 Application Curve
    3. 8.3 Power Supply Recommendations
    4. 8.4 Layout
      1. 8.4.1 Layout Guidelines
      2. 8.4.2 Layout Example
  9. Device and Documentation Support
    1. 9.1 Device Support
      1. 9.1.1 Development Support
        1. 9.1.1.1 TINA-TI (Free Software Download)
    2. 9.2 Documentation Support
      1. 9.2.1 Related Documentation
    3. 9.3 接收文档更新通知
    4. 9.4 支持资源
    5. 9.5 Trademarks
    6. 9.6 Electrostatic Discharge Caution
    7. 9.7 术语表
  10. 10Mechanical, Packaging, and Orderable Information

封装选项

机械数据 (封装 | 引脚)
散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)
订购信息

特性

  • 耐辐射
    • 单粒子闩锁 (SEL) 在 125°C 下的抗扰度可达 43MeV-cm2/mg
    • 在高达 30krad (Si) 的条件下无 ELDRS
    • 每个晶圆批次的 RLAT 总电离剂量 (TID) 高达 30krad (Si)
  • 支持国防、航天和医疗应用
    • 单受控基线
    • 制造、组装和测试一体化基地
    • 金线
    • NiPdAu 铅涂层
    • 支持军用(–55°C 至 125°C)温度范围
    • 延长了产品生命周期
    • 延长了产品变更通知
    • 产品可追溯性
    • 采用增强型模塑化合物实现低释气
  • 低失调电压:±125µV
  • 低噪声:1 kHz 时为 10.8nV/√Hz
  • 高共模抑制:130dB
  • 低偏置电流:±10pA
  • 轨至轨输入和输出
  • 宽带宽:4.5MHz GBW
  • 高压摆率:21V/µs
  • 高容性负载驱动:1nF
  • 支持多路复用器/比较器的输入
  • 低静态电流:每个放大器 560µA
  • 宽电源电压:±1.35V 至 ±20V,2.7V 至 40V
  • 强大的 EMIRR 性能:输入引脚和电源引脚上采用 EMI/RFI 滤波器