ZHDU099 April   2026

 

  1.   1
  2.   说明
  3.   资源
  4.   特性
  5.   应用
  6.   6
  7. 1系统说明
    1. 1.1 主要系统规格
  8. 2系统概述
    1. 2.1 方框图
    2. 2.2 设计注意事项
      1. 2.2.1 微控制器单元
      2. 2.2.2 GaN 功率级
      3. 2.2.3 电感器
      4. 2.2.4 散热
    3. 2.3 重点产品
      1. 2.3.1 TMS320F28P550SG9
      2. 2.3.2 LMG3100R017
  9. 3硬件、软件、测试要求和测试结果
    1. 3.1 硬件要求
    2. 3.2 软件
      1. 3.2.1 在 Code Composer Studio 中打开工程
      2. 3.2.2 Digital Power SDK 架构
      3. 3.2.3 中断和实验结构
      4. 3.2.4 实验结构和详细信息
      5. 3.2.5 ADC 负载
      6. 3.2.6 构建、加载和调试固件
      7. 3.2.7 保护方案
      8. 3.2.8 PWM 开关方案
    3. 3.3 测试设置
    4. 3.4 测试结果
  10. 4设计和文档支持
    1. 4.1 设计文件
      1. 4.1.1 原理图
      2. 4.1.2 物料清单
      3. 4.1.3 PCB 布局图
      4. 4.1.4 Altium 工程
      5. 4.1.5 Gerber 文件
    2. 4.2 文档支持
    3.     商标
  11. 5关于作者

2.3.2 LMG3100R017

LMG3100 器件是一款配有集成驱动器的 100V、97A 氮化镓 (GaN) FET。该器件包含一个由高频 GaN FET 驱动器驱动的 100V GaN FET。