ZHDA036 January   2026 LMX2594

 

  1.   1
  2.   摘要
  3.   商标
  4. 1简介
  5. 2VCO 基本理论和关键因素
    1. 2.1 VCO
    2. 2.2 VCO 频率范围
    3. 2.3 相位噪声
  6. 3CMOS LC VCO 设计
    1. 3.1 PLL 结构
    2. 3.2 LC VCO 的结构和运行
    3. 3.3 每个电路和块操作
      1. 3.3.1 调谐变容器偏置电路
      2. 3.3.2 7 位 MIM 电容器组
    4. 3.4 仿真
    5. 3.5 实现方案和测量结果
      1. 3.5.1 布局
      2. 3.5.2 制造和测量结果
  7. 4总结
  8. 5参考资料

3.3.2 7 位 MIM 电容器组

图 3-3 显示了二进制加权 7 位 MIM 电容器的结构。7 位 MIM 电容器阵列占用的面积比低位 MIM 电容器阵列更大，但每位所需的频率范围很窄，从而导致较低的 KVCO 值。因此，在相位噪声是关键因素的 VCO 中，较低的 KVCO 值也可以改善相位噪声。

二进制加权 7 位 MIM 电容器阵列图 3-4 二进制加权 7 位 MIM 电容器阵列