ZHCSYZ0 September   2025 TMF0064

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 1 特性
  3. 2 应用
  4. 3 说明
  5. 4 引脚配置和功能
  6. 5 规格
    1. 5.1 绝对最大额定值
    2. 5.2 ESD 等级
    3. 5.3 建议运行条件
    4. 5.4 热性能信息
    5. 5.5 电气特性
    6. 5.6 时序要求
    7. 5.7 功能测试
    8. 5.8 典型特性
  7. 6 详细说明
    1. 6.1 概述
    2. 6.2 功能方框图
    3. 6.3 特性说明
      1. 6.3.1 64768 位 FRAM
      2. 6.3.2 FRAM 状态存储器
      3. 6.3.3 地址寄存器和传输状态
      4. 6.3.4 将数据写入 FRAM
      5. 6.3.5 TMF0064 器件 ID
      6. 6.3.6 总线端接
    4. 6.4 器件功能模式
      1. 6.4.1 功能测试的测试程序
        1. 6.4.1.1 多目标配置
    5. 6.5 编程
      1. 6.5.1 串行通信
      2. 6.5.2 初始化
      3. 6.5.3 ROM 命令
        1. 6.5.3.1 读取 ROM 命令 [33h]
        2. 6.5.3.2 匹配 ROM 命令 [55h]
        3. 6.5.3.3 跳过 ROM 命令 [CCh]
        4. 6.5.3.4 搜索 ROM 命令 [F0h]
        5. 6.5.3.5 恢复命令 [A5h]
        6. 6.5.3.6 超速跳过 ROM 命令 [3Ch]
        7. 6.5.3.7 超速匹配 ROM 命令 [69h]
      4. 6.5.4 存储器功能命令
        1. 6.5.4.1 写入暂存区命令 [0Fh]
        2. 6.5.4.2 读取暂存区命令 [AAh]
        3. 6.5.4.3 复制暂存区 [55h]
        4. 6.5.4.4 读取存储器 [F0h]
        5. 6.5.4.5 扩展读取存储器 [A5h]
        6. 6.5.4.6 存储器命令流程图
      5. 6.5.5 SDQ 信令
        1. 6.5.5.1 复位和存在脉冲
        2. 6.5.5.2 写入读取时隙
      6. 6.5.6 空闲
      7. 6.5.7 CRC 生成
  8. 7 应用和实施
    1. 7.1 应用信息
    2. 7.2 典型应用
      1. 7.2.1 设计要求
      2. 7.2.2 详细设计过程
      3. 7.2.3 应用曲线
    3. 7.3 电源相关建议
    4. 7.4 布局
      1. 7.4.1 布局指南
      2. 7.4.2 布局示例
  9. 8 器件和文档支持
    1. 8.1 接收文档更新通知
    2. 8.2 支持资源
    3. 8.3 商标
    4. 8.4 静电放电警告
    5. 8.5 术语表
  10. 9 修订历史记录
  11. 10机械、封装和可订购信息
    1. 10.1 封装信息
    2. 10.2 卷带包装信息

3 说明

TMF0064 是一款 64Kb 串行非易失性存储器 (NVM) 器件，包含唯一的出厂编程 48 位识别号和 8 位系列代码。该存储器基于 FRAM，与备选 NVM 技术相比，耐写次数更高（106 个 R/W 周期）。

该器件通过 SDQ™ 单线接口进行通信，并支持 15.4kbps 和 90kbps 两种速度。SDQ 引脚用作器件的通信和电源引脚。存储器分为 253 个内存页，每页 256 位。数据首先被写入一个 32 字节的草稿行。在复制到 FRAM 存储器之前验证数据。

该器件在 3.3V ±5% 和 5V ±5% 两个电源电压范围内工作，额定工作范围为 –10°C 至 85°C。其工作范围涵盖了大多数应用，可实现峰值设计，以实现低成本开发。

封装信息
器件型号封装(1)封装尺寸(2)本体尺寸（标称值）
TMF0064VSON (DRP)3mm x 3mm3mm x 3mm
TO-92 (LP)5.2mm x 3.68mm4.83mm x 4.83mm
(1) 有关更多信息，请参阅机械、封装和可订购信息。
(2) 封装尺寸（长 × 宽）为标称值，并包括引脚（如适用）。
TMF0064 方框图方框图