ESD501-Q1 用于射频和 ADAS 信号保护的汽车级低电容 ESD 二极管
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1 特性
符合 AEC-Q101 标准
- IEC 61000-4-2 ESD 保护：
- ±15kV 接触放电
- ±15kV 空气间隙放电
- ISO 10605（330pF，330Ω）ESD 保护：
- ±12kV 接触放电
- ±12kV 空气间隙放电
- IEC 61000-4-5 浪涌保护：
- 3A (8/20µs)
- I/O 电容：0.3pF（典型值）
- 超低漏电流：1nA（典型值）
- 业界通用 0402 封装
2 应用
- 汽车天线 ESD 保护
- 射频信号 ESD 保护
- 近场通信 (NFC)
- 采用同轴电缆供电的汽车串行器/解串器
- USB Type-C（可耐受短接至 Vbus）
3 说明
ESD501-Q1 是一款双向 ESD 保护二极管。ESD501-Q1 采用业界通用 0402 (DFN1006) 封装，并提供 15kV 的 IEC 61000-4-2 保护级别。根据 IEC 61000-4-5 标准，该器件可以钳制峰值脉冲电流高达 3A 的 8/20μs 浪涌。
低电容和低漏电流有助于确保在各种系统和应用中免受瞬态事件的影响。这种保护对于许多应用（例如更小的外形尺寸和更快的数据速率）来说至关重要，这些应用随着时间的推移越来越普遍。
图 3-1 功能方框图4 引脚配置和功能
图 4-1 DPY 封装，2 引脚 DFN1006（顶视图）| 引脚 | 类型(1) | 说明 | |
|---|---|---|---|
| 名称 | 编号 | ||
| IO | 1 | I/O | ESD 保护通道。如果用作 ESD I/O，则将引脚 2 接地 |
| IO | 2 | I/O | ESD 保护通道。如果用作 ESD I/O，则将引脚 1 接地 |
5 规格
5.1 绝对最大额定值
5.3 ESD 等级 - IEC 规格
| 参数 | 测试条件 | 值 | 单位 | |
|---|---|---|---|---|
| V(ESD) | 静电放电 | IEC 61000-4-2 接触放电，所有引脚 | ±15000 | V |
| IEC 61000-4-2 空气放电，所有引脚 | ±15000 | |||
5.4 ESD 等级 - ISO 规格
| 参数 | 测试条件 | 值 | 单位 | ||
|---|---|---|---|---|---|
| V(ESD) | ISO 10605 静电放电 | C = 150pF；R = 330Ω | 接触放电，所有引脚 | ±15000 | V |
| 空气间隙放电，所有引脚 | ±15000 | ||||
| C = 330pF；R = 330Ω | 接触放电，所有引脚 | ±12000 | |||
| 空气间隙放电，所有引脚 | ±12000 | ||||
5.5 建议运行条件
| 最小值 | 标称值 | 最大值 | 单位 | ||
|---|---|---|---|---|---|
| VIN | 输入电压 | -12 | 12 | V | |
| TA | 自然通风条件下的工作温度范围 | -55 | 150 | °C | |
5.6 热性能信息
| 热指标(1) | ESD501-Q1 | 单位 | |
|---|---|---|---|
| DPY (DFN1006) | |||
| 2 引脚 | |||
| RθJA | 结至环境热阻 | 284.4 | °C/W |
| RθJC(top) | 结至外壳（顶部）热阻 | 153.9 | °C/W |
| RθJB | 结至电路板热阻 | 100.5 | °C/W |
| ΨJT | 结至顶部特征参数 | 9.4 | °C/W |
| ΨJB | 结至电路板特征参数 | 99.9 | °C/W |
| RθJC(bot) | 结至外壳（底部）热阻 | 不适用 | °C/W |
5.7 电气特性
| 参数 | 测试条件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
| VRWM | 反向关断电压 | IIO < 10nA | -12 | 12 | V | |
| ILEAK | VRWM 下的漏电流 | VIO = ±12V，I/O 至 GND | 1 | 10 | nA | |
| VBR | 击穿电压，I/O 至 GND (1) | IIO = ±1mA | 13.2 | 15 | 18 | V |
| VCLAMP | 浪涌钳位电压，tp = 8/20µs (2) | IPP = 3A，I/O 至 GND | 23 | V | ||
| IPP = 3A，GND 至 I/O | 23 | V | ||||
| TLP 钳位电压，tp = 100ns(3) | IPP = ±4A (100ns TLP)，I/O 至 GND | 19.4 | V | |||
| IPP = ±16A (100ns TLP)，I/O 至 GND | 27 | V | ||||
| RDYN | 动态电阻 (4) | I/O 至 GND | 0.6 | Ω | ||
| GND 至 I/O | 0.6 | |||||
| CLINE | 输入电容，IO 至 GND | VIO = 0V，f = 1MHz | 0.3 | 0.5 | pF | |
5.8 典型特性
图 5-1 偏置电压与电容间的关系
图 5-3 正 TLP 曲线
图 5-5 +8kV 钳位 IEC 波形
图 5-7 8/20μs 浪涌响应
图 5-2 直流 I-V 曲线
图 5-4 负 TLP 曲线
图 5-6 -8kV 钳位 IEC 波形6 器件和文档支持
6.1 接收文档更新通知
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6.2 支持资源
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6.3 商标
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Other TMs
6.4 静电放电警告
 |
静电放电 (ESD) 会损坏这个集成电路。德州仪器 (TI) 建议通过适当的预防措施处理所有集成电路。如果不遵守正确的处理和安装程序，可能会损坏集成电路。 |
| ESD 的损坏小至导致微小的性能降级，大至整个器件故障。精密的集成电路可能更容易受到损坏，这是因为非常细微的参数更改都可能会导致器件与其发布的规格不相符。 |
6.5 术语表
-
TI 术语表
本术语表列出并解释了术语、首字母缩略词和定义。
7 修订历史记录
| 日期 | 修订版本 | 注释 |
|---|---|---|
| November 2024 | * | 初始发行版 |
8 机械、封装和可订购信息
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