ZHCSWO0C February   1984  – December 2024 TLC556 , TLC556M

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 1 特性
  3. 2 应用
  4. 3 说明
  5. 4 引脚配置和功能
  6. 5 规格
    1. 5.1 绝对最大额定值
    2. 5.2 ESD 等级
    3. 5.3 建议运行条件
    4. 5.4 热性能信息
    5. 5.5 电气特性：TLC556C 的 VDD = 2V，TLC556I 的 VDD = 3V
    6. 5.6 电气特性：VDD = 5V
    7. 5.7 电气特性：VDD = 15V
    8. 5.8 开关特性
    9. 5.9 典型特性
  7. 6 详细说明
    1. 6.1 概述
    2. 6.2 功能方框图（每个计时器）
    3. 6.3 特性说明
      1. 6.3.1 单稳态工作模式
      2. 6.3.2 非稳态工作模式
    4. 6.4 器件功能模式
  8. 7 应用和实施
    1. 7.1 应用信息
      1. 7.1.1 专为提高 ESD 性能而设计
    2. 7.2 典型应用
      1. 7.2.1 脉宽调制
        1. 7.2.1.1 设计要求
        2. 7.2.1.2 详细设计过程
        3. 7.2.1.3 应用曲线
      2. 7.2.2 脉冲位置调制
        1. 7.2.2.1 设计要求
        2. 7.2.2.2 详细设计过程
        3. 7.2.2.3 应用曲线
  9. 8 器件和文档支持
    1. 8.1 接收文档更新通知
    2. 8.2 支持资源
    3. 8.3 商标
    4. 8.4 静电放电警告
    5. 8.5 术语表
  10. 9 修订历史记录
  11. 10机械、封装和可订购信息

5.4 热性能信息

热指标(1) TLC556 单位
D
(SOIC)		 FK
(LCCC)		 J
(CDIP)		 N
(PDIP)
14 引脚 20 引脚 14 引脚 14 引脚
RθJA 结至环境热阻 94.1 63.8 80.6 75.8 °C/W
RθJC(top) 结至外壳（顶部）热阻 54.3 39.1 33.5 54.1 °C/W
RθJB 结至电路板热阻 52.2 38.5 68.2 50.0 °C/W
ψJT 结至顶部特征参数 14.1 33.3 26.9 31.8 °C/W
ψJB 结至电路板特征参数 51.6 38.3 63.2 49.4 °C/W
R θJC(bot) 结至外壳（底部）热阻 不适用 4.7 15.2 不适用 °C/W
(1) 有关新旧热指标的信息，请参阅半导体和 IC 封装热指标 应用报告。