Data Sheet
TLx84x 电流模式 PWM 控制器
本资源的原文使用英文撰写。 为方便起见，TI 提供了译文；由于翻译过程中可能使用了自动化工具，TI 不保证译文的准确性。 为确认准确性，请务必访问 ti.com 参考最新的英文版本（控制文档）。
1 特性
- 针对离线和 DC-DC 转换器进行了优化
- 低启动电流 (< 1mA)
- 自动前馈补偿
- 逐脉冲电流限制
- 增强型负载响应特性
- 带有迟滞的欠压锁定
- 双脉冲抑制
- 高电流图腾柱输出
- 内部调整的带隙参考
- 500kHz 工作频率
- 具有低输出电阻的误差放大器
- 设计为可与 UC2842 和 UC3842 系列互换
2 应用
- 任意极性的开关稳压器
- 变压器耦合直流/直流转换器
3 说明
TL284x 和 TL384x 系列控制集成电路提供了实现离线式或直流/直流固定频率电流模式控制方案所需的特性，并使用了最少的外部元件。一些内部实现的电路包括欠压锁定 (UVLO)，其启动电流小于 1mA，以及针对误差放大器输入端的精度进行修整的精密基准。其他内部电路包括用于确保锁存操作的逻辑、还提供电流限制控制的脉宽调制 (PWM) 比较器以及设计用于拉取或灌入高峰值电流的图腾柱输出级。当处于关闭状态时，适合用于驱动 N 沟道 MOSFET 的输出级为低电平。
封装信息
| 器件型号 | 封装(1) | 封装尺寸(2) |
|---|---|---|
| TLx84x | D（SOIC，8） | 4.90mm × 6.00mm |
| D（SOIC，14） | 8.65mm × 6.00mm | |
| P（PDIP，8） | 9.81mm × 9.43mm |
(1) 如需了解所有可用封装，请参阅数据表末尾的可订购产品附录。
(2) 封装尺寸（长 × 宽）为标称值，并包括引脚（如适用）。
D 封装14 引脚 SOIC顶视图
D 或 P 封装8 引脚 SOIC 或 PDIP顶视图4 Pin Configuration and Functions
Figure 4-1 D Package14-Pin SOICTop ViewFigure 4-2 D or P Package8-Pin SOIC or PDIPTop ViewTable 4-1 Pin Functions
| PIN | TYPE(1) | DESCRIPTION | ||
|---|---|---|---|---|
| NAME | D | D or P | ||
| COMP | 1 | 1 | I/O | Error amplifier compensation pin |
| GND | 9 | 5 | — | Device power supply ground terminal |
| ISENSE | 5 | 3 | I | Current sense comparator input |
| NC | 2, 4, 6, 13 | — | — | Do not connect |
| OUTPUT | 10 | 6 | O | PWM Output |
| POWER GROUND | 8 | — | — | Output PWM ground terminal |
| REF | 14 | 8 | O | Oscillator voltage reference |
| RT/CT | 7 | 4 | I/O | Oscillator RC input |
| VC | 11 | — | — | Output PWM positive voltage supply |
| VCC | 12 | 7 | — | Device positive voltage supply |
| VFB | 3 | 2 | I | Error amplifier input |
(1) I = Input; O = Output; I/O = Input or Output
5 Specifications
5.1 Absolute Maximum Ratings
over operating free-air temperature range
(unless otherwise noted)(1)
| MIN | MAX | UNIT | |||
|---|---|---|---|---|---|
| VCC | Supply Voltage(2) | Self limiting | — | ||
| VI | Analog input voltage range, VFB and ISENSE | –0.3 | 6.3 | V | |
| VO | Output Voltage | 35 | V | ||
| VI | Input Voltage, VC and D Package only | 35 | V | ||
| ICC | Supply current | 30 | mA | ||
| IO | Output current | ±1 | A | ||
| error amplifier output sink current | 10 | mA | |||
| TJ | Virtual junction temperature | 150 | °C | ||
| Output energy (capacitive load) | 5 | µJ | |||
| Tstg | Storage temperature | –65 | 150 | °C | |
(1) Operation outside the Absolute Maximum Ratings may cause permanent device
damage. Absolute Maximum Ratings do not imply functional operation of
the device at these or any other conditions beyond those listed under
Recommended Operating Conditions. If used outside the Recommended
Operating Conditions but within the Absolute Maximum Ratings, the
device may not be fully functional, and this may affect device reliability,
functionality, performance, and shorten the device lifetime.
(2) All voltages are with respect to the device GND pin.
5.2 ESD Ratings
| VALUE | UNIT | |||
|---|---|---|---|---|
| V(ESD) | Electrostatic discharge | Human body model (HBM), per ANSI/ESDA/JEDEC JS-001, all pins(1) | ±3000 | V |
| Charged device model (CDM), per JEDEC specification JESD22-C101, all pins(2) | ±2000 | |||
(1) JEDEC document JEP155 states that 500-V HBM allows safe manufacturing with a standard ESD control process.
(2) JEDEC document JEP157 states that 250-V CDM allows safe manufacturing with a standard ESD control process.
