ZHCSUO9A February   2024  – July 2025 DRV8262-Q1

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 1 特性
  3. 2 应用
  4. 3 说明
  5. 4 引脚配置和功能
  6. 5 规格
    1. 5.1 绝对最大额定值
    2. 5.2 ESD 等级
    3. 5.3 建议运行条件
    4. 5.4 热性能信息
      1. 5.4.1 瞬态热阻抗和电流能力
    5. 5.5 电气特性
    6. 5.6 典型特性
  7. 6 详细说明
    1. 6.1  概述
    2. 6.2  功能方框图
    3. 6.3  特性说明
      1. 6.3.1 展频
    4. 6.4  器件运行模式
      1. 6.4.1 双路 H 桥模式 (MODE1 = 0)
      2. 6.4.2 单路 H 桥模式 (MODE1 = 1)
    5. 6.5  电流检测和调节
      1. 6.5.1 电流检测和反馈
      2. 6.5.2 电流调节
        1. 6.5.2.1 混合衰减
        2. 6.5.2.2 智能调优动态衰减
      3. 6.5.3 使用外部电阻器进行电流检测
    6. 6.6  电荷泵
    7. 6.7  线性稳压器
    8. 6.8  VCC 电压电源
    9. 6.9  逻辑电平、三电平和四电平引脚图
    10. 6.10 保护电路
      1. 6.10.1 VM 欠压锁定 (UVLO)
      2. 6.10.2 VCP 欠压锁定 (CPUV)
      3. 6.10.3 逻辑电源上电复位 (POR)
      4. 6.10.4 过流保护 (OCP)
      5. 6.10.5 热关断 (OTSD)
      6. 6.10.6 nFAULT 输出
      7. 6.10.7 故障条件汇总
    11. 6.11 器件功能模式
      1. 6.11.1 睡眠模式
      2. 6.11.2 工作模式
      3. 6.11.3 nSLEEP 复位脉冲
      4. 6.11.4 功能模式汇总
  8. 7 应用和实施
    1. 7.1 应用信息
      1. 7.1.1 驱动有刷直流电机
        1. 7.1.1.1 有刷直流电机驱动器典型应用
        2. 7.1.1.2 功率损耗计算 - 双路 H 桥
        3. 7.1.1.3 功率损耗计算 - 单路 H 桥
        4. 7.1.1.4 结温估算
        5. 7.1.1.5 应用性能曲线图
      2. 7.1.2 驱动步进电机
        1. 7.1.2.1 步进驱动器典型应用
        2. 7.1.2.2 功率损耗计算
        3. 7.1.2.3 结温估算
      3. 7.1.3 驱动热电冷却器 (TEC)
    2. 7.2 电源相关建议
      1. 7.2.1 大容量电容
      2. 7.2.2 电源
    3. 7.3 布局
      1. 7.3.1 布局指南
      2. 7.3.2 布局示例
  9. 8 封装散热注意事项
    1. 8.1 DDW 封装
      1. 8.1.1 热性能
        1. 8.1.1.1 稳态热性能
        2. 8.1.1.2 瞬态热性能
    2. 8.2 PCB 材料推荐
  10. 9 器件和文档支持
    1. 9.1 文档支持
      1. 9.1.1 相关文档
    2. 9.2 接收文档更新通知
    3. 9.3 支持资源
    4. 9.4 商标
    5. 9.5 静电放电警告
    6. 9.6 术语表
  11. 10修订历史记录
  12. 11机械、封装和可订购信息
    1. 11.1 卷带封装信息

7.3.1 布局指南

  • 使用推荐电容为 0.01µF 且额定电压为 VM 的低 ESR 陶瓷旁路电容器将 VM 引脚旁路至 PGND 引脚。此类电容器尽可能靠近 VM 引脚放置，并通过较宽的布线或接地平面与器件 PGND 引脚连接。
  • 应使用额定电压为 VM 的大容量电容器将 VM 引脚旁路至 PGND。该组件可以是电解电容器。
  • 必须在 CPL 和 CPH 引脚之间放置一个低 ESR 陶瓷电容器。建议使用一个电容值为 0.1µF、额定电压为 VM 的电容器。将此组件尽可能靠近引脚放置。
  • 必须在 VM 和 VCP 引脚之间放置一个低 ESR 陶瓷电容器。建议使用一个电容值为 1µF、额定电压为 16V 的电容器。将此组件尽可能靠近引脚放置。
  • 使用低 ESR 陶瓷电容器将 DVDD 引脚旁路至接地。建议使用一个电容值为 1µF、额定电压为 6.3V 的电容器。将此旁路电容器尽可能靠近引脚放置。
  • 使用低 ESR 陶瓷电容器将 VCC 引脚旁路至接地。建议使用一个电容值为 0.1µF、额定电压为 6.3V 的电容器。将此旁路电容器尽可能靠近引脚放置。

  • 通常，必须避免电源引脚和去耦电容器之间的电感。

  • DDW 封装的散热焊盘必须连接至系统地。

    • TI 建议整个系统/电路板使用一个大的不间断单一接地平面。接地平面可在 PCB 底层制成。
    • 为了尽可能减小阻抗和电感，在通过通孔连接至底层接地平面之前，接地引脚的布线尽可能短且宽。
    • 建议使用多个通孔来降低阻抗。
    • 尽量清理器件周围的空间（尤其是在 PCB 底层），从而改善散热。
    • 连接至散热焊盘的单个或多个内部接地平面也有助于散热并降低热阻。