ZHCSU20B November   1996  – January 2026 INA132

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 1特性
  3. 2应用
  4. 3说明
  5. 4引脚配置和功能
  6. 5规格
    1. 5.1 绝对最大额定值
    2. 5.2 ESD 等级
    3. 5.3 建议运行条件
    4. 5.4 热性能信息
    5. 5.5 电气特性 15V
    6. 5.6 电气特性 5V
    7. 5.7 典型特性
  7. 6应用和实施
    1. 6.1 应用信息
      1. 6.1.1 工作电压
      2. 6.1.2 失调电压调整
      3. 6.1.3 容性负载驱动能力
    2. 6.2 典型应用
  8. 7器件和文档支持
    1. 7.1 器件命名规则
    2. 7.2 接收文档更新通知
    3. 7.3 支持资源
    4. 7.4 商标
    5. 7.5 静电放电警告
    6. 7.6 术语表
  9. 8修订历史记录
  10. 9机械、封装和可订购信息

5.6 电气特性 5V

除非另有说明，否则测试条件为：TA = 25°C，VS = +5V，RL = 10kΩ 接 VS/2，VREF = VS/2, VCM = VS/2, G = 1，以及所有芯片产地来源 (CSO)。
参数 测试条件 最小值 典型值 最大值 单位
输入
VOS 偏移电压(1) RTO INA132 ±150 ±500 µV
INA132A ±150 ±750
失调电压漂移(1) RTO，TA = –40°C 至 +85°C ±2 µV/°C
VCM 共模电压 VO = 0V (V–) 2(V+) – 2 V
CMRR 共模抑制 VCM = 0V 至 8V，RS = 0Ω INA132 76 90 dB
INA132A 70 90
输出
正极输出电压摆幅  RL = 100kΩ (V+) – 1 (V+) – 0.75 V
RL = 10kΩ (V+) – 1 (V+) – 0.8
负极输出电压摆幅 RL = 100kΩ  (V–) + 0.25 (V–) + 0.06 V
RL = 10kΩ (V–) + 0.25 (V–) + 0.12
电源
IQ 静态电流 VIN = 0V ±175 ±230 µA
(1) 包括放大器的输入偏置和偏移电流带来的影响。