ZHCSU20B November   1996  – January 2026 INA132

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 1特性
  3. 2应用
  4. 3说明
  5. 4引脚配置和功能
  6. 5规格
    1. 5.1 绝对最大额定值
    2. 5.2 ESD 等级
    3. 5.3 建议运行条件
    4. 5.4 热性能信息
    5. 5.5 电气特性 15V
    6. 5.6 电气特性 5V
    7. 5.7 典型特性
  7. 6应用和实施
    1. 6.1 应用信息
      1. 6.1.1 工作电压
      2. 6.1.2 失调电压调整
      3. 6.1.3 容性负载驱动能力
    2. 6.2 典型应用
  8. 7器件和文档支持
    1. 7.1 器件命名规则
    2. 7.2 接收文档更新通知
    3. 7.3 支持资源
    4. 7.4 商标
    5. 7.5 静电放电警告
    6. 7.6 术语表
  9. 8修订历史记录
  10. 9机械、封装和可订购信息

5.5 电气特性 15V

除非另有说明，否则测试条件为： TA = 25°C、VS = ±15V、RL = 10kΩ、VREF = 0V、VCM = VS /2 且 G = 1，以及所有芯片产地来源 (CSO)。
参数 测试条件 最小值 典型值 最大值 单位
输入
VOS 偏移电压(1) RTO INA132 ±75 ±250 µV
INA132A ±75 ±500
失调电压漂移(1) RTO，TA = –40°C 至 +85°C INA132 ±1 ±5 µV/°C
INA132A ±1 ±10(4)
长期稳定性(1) ±0.3 µV/mo
PSRR 电源抑制比(1) RTO，VS = ±1.35V 至 ±18V ±5 ±30 µV/V
VCM 共模电压 VO = 0V (V–) 2(V+) – 2 V
CMRR 共模抑制 VCM = –15V 至 +28V，RS = 0Ω INA132 76 90 dB
INA132A 70 90 dB
差分输入阻抗(2) 80 kΩ
共模输入阻抗(2) 80 kΩ
噪声
eN 电压噪声(3) RTO，fB = 0.1Hz 至 10Hz 1.6 µVPP 
RTO，f = 1kHz 75 nV/√Hz
增益
增益 1 V/V
GE 增益误差 VO = -14V 至 +13.5V INA132 ±0.01 ±0.075 %
INA132A ±0.01 ±0.1
增益误差漂移(4) TA = -40°C 至 +85°C  ±1 ±10 ppm/°C
增益非线性 VO = -14V 至 +13.5V   INA132 ±0.0001 ±0.001 FSR 百分比
INA132A ±0.0001 ±0.002
输出
正极输出电压摆幅 RL = 100kΩ  (V+) – 1 (V+) – 0.8 V
RL = 10kΩ (V+) – 1.5 (V+) – 0.8
负极输出电压摆幅 RL = 100kΩ  (V–) + 0.5 (V–) + 0.15 V
RL = 10kΩ (V–) + 1 (V–) + 0.25
CL 负载电容 稳态工作模式 10000 pF
ISC 短路电流 持续达 VS/2 CSO：SHE +6/-15 mA
CSO：TID +26/-22
频率响应
BW 微小信号带宽，–3dB 300 kHz
SR 压摆率 CSO：SHE 0.1 V/µs
CSO：TID 0.25
tS 趋稳时间 VO = 10V 阶跃 0.1% 85 µs
0.01% 88
过载恢复时间 50% 输入过驱 CSO：TID 2.35 µs
CSO：SHE 7
电源
IQ 静态电流 VIN = 0V ±175 ±230 µA
(1) 包括放大器的输入偏置和偏移电流带来的影响。
(2) 40kΩ 电阻器比率匹配，但绝对值为 ±20%。
(3) 包括放大器的输入电流噪声和电阻器网络热噪声带来的影响。
(4) 通过晶圆测试指定至 95% 置信水平。