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  • CDC6Cx 低功耗 LVCMOS 输出 BAW 振荡器

    • ZHCSQL3B December   2024  – May 2025 CDC6C

      PRODUCTION DATA  

  • CONTENTS
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  • CDC6Cx 低功耗 LVCMOS 输出 BAW 振荡器
  1.   1
  2. 1 特性
  3. 2 应用
  4. 3 说明
  5. 4 器件比较
  6. 5 引脚配置和功能
  7. 6 规格
    1. 6.1 绝对最大额定值
    2. 6.2 ESD 等级
    3. 6.3 环境合规性
    4. 6.4 建议运行条件
    5. 6.5 热性能信息
    6. 6.6 电气特性
    7. 6.7 时序图
    8. 6.8 典型特性
  8. 7 参数测量信息
    1. 7.1 器件输出配置
  9. 8 详细说明
    1. 8.1 概述
    2. 8.2 功能方框图
    3. 8.3 特性说明
      1. 8.3.1 体声波 (BAW)
      2. 8.3.2 器件块级描述
      3. 8.3.3 功能引脚
      4. 8.3.4 时钟输出连接和端接
      5. 8.3.5 温度稳定性
      6. 8.3.6 机械稳健性
    4. 8.4 器件功能模式
  10. 9 应用和实施
    1. 9.1 应用信息
      1. 9.1.1 使用单个 CDC6Cx 振荡器驱动多个负载
      2. 9.1.2 CDC6Cx CISPR25 辐射发射性能
    2. 9.2 典型应用
      1. 9.2.1 设计要求
      2. 9.2.2 详细设计过程
      3. 9.2.3 应用曲线
    3. 9.3 电源相关建议
    4. 9.4 布局
      1. 9.4.1 布局指南
        1. 9.4.1.1 提供热可靠性
        2. 9.4.1.2 建议的回流焊曲线
      2. 9.4.2 布局示例
  11. 10器件和文档支持
    1. 10.1 文档支持
      1. 10.1.1 相关文档
    2. 10.2 接收文档更新通知
    3. 10.3 支持资源
    4. 10.4 商标
    5. 10.5 静电放电警告
    6. 10.6 术语表
  12. 11修订历史记录
  13. 12机械、封装和可订购信息
    1. 12.1 卷带包装信息
    2. 12.2 可订购器件型号（解码器）
  14. 重要声明
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Data Sheet

CDC6Cx 低功耗 LVCMOS 输出 BAW 振荡器

本资源的原文使用英文撰写。 为方便起见，TI 提供了译文；由于翻译过程中可能使用了自动化工具，TI 不保证译文的准确性。 为确认准确性，请务必访问 ti.com 参考最新的英文版本（控制文档）。

下载最新的英语版本

1 特性

  • LVCMOS 输出振荡器，支持 250kHz 至 200MHz 的频率范围。
  • ±50 ppm 总频率稳定性，包含所有影响因素及 10 年老化影响
  • 电源电压支持范围：1.8V 至 3.3V ±10%。
  • 极低功耗：25MHz 时典型值 4.57mA，最大值 7.4mA
  • 待机电流典型值 2.7µA，适合电池供电应用。
  • 低抖动：Fout ≥ 10MHz 时 RMS 抖动 < 1ps
  • 超小型行业标准封装：1.60mm × 1.2mm (DLY)、2.00mm × 1.60mm (DLX)、2.50mm × 2.00mm (DLF)、3.20mm × 2.5mm (DLE)
  • 工作温度范围：-40°C 至 +105°C
  • 集成 LDO，具有强大的抗电源噪声能力
  • 启动时间 < 3ms
    • 如需其他启动时间选项，请联系德州仪器 (TI)。
  • 提供降低 EMI 的慢速上升和下降时间选项
标准频率 (MHz)：2.048, 4, 5.12, 8, 10, 12, 12.288, 16, 19.2, 20, 23.5008, 24, 24.576, 25, 26,26.2144, 27, 28.125, 29.9925, 30, 32.768, 33。33, 33.333, 38.4, 40, 48, 49.152, 50, 66.666, 76.8, 100, 125, 156.25 等
  • 如需其他频率和样片，请联系德州仪器 (TI) 代表。

2 应用

  • 晶体振荡器替代方案

  • 数据中心、服务器、存储设备
  • 以太网、SAS、SATA、USB、WIFI
  • 无线通信
  • 专业音频/视频
  • 工厂自动化和控制
  • 个人电子产品、可穿戴设备和物联网
  • FPGA、MCU、处理器和 ASIC 时钟

3 说明

德州仪器 (TI) 的高精度体声波 (BAW) 微谐振器技术集成于封装中，可实现低抖动时钟电路。与其他硅基制造工艺一样，BAW 完全由 TI 工厂设计和制造。

CDC6Cx 器件是一个低抖动、低功耗的固定频率振荡器，采用 BAW 作为谐振器源。工厂根据特定频率和功能引脚配置进行编程。借助频率控制逻辑和输出频率分频器，CDC6Cx 可在指定范围内生成任意频率，提供可满足所有频率需求的单个器件系列。

该器件的高性能时钟、机械稳定性、低功耗和小型封装选项专为工业、通信、数据和企业网络及个人电子产品终端设备中的基准时钟和核心时钟而设计。

封装信息
器件型号输出类型封装(1)封装尺寸(2)
CDC6CxLVCMOS

VSON (DLE-4)

3.20mm × 2.50mm
VSON (DLF-4)(3)2.50mm × 2.00mm

VSON (DLX-4)

2.00mm × 1.60mm
VSON (DLY-4)(3)1.60mm × 1.20mm
(1) 有关更多信息，请参阅节 12。
(2) 封装尺寸（长 × 宽）为标称值，并包括引脚（如适用）。
(3) 预览，请联系 TI 了解这些封装选项。
CDC6C CDC6Cx 简化方框图CDC6Cx 简化方框图

4 器件比较

使用 CDC6C OPN 解码器了解 CDC6Cx 可订购选项的器件命名规则。CDC6C OPN 解码器提供了有关如何解码频率和封装信息的简要概述，并提供了 CDC6Cx 可订购器件型号 (OPN) 列表以及相关的配置、封装信息和器件顶部标识。

CDC6C 器件型号指南：CDC6Cx图 4-1 器件型号指南：CDC6Cx

注意：如需预订特定器件，请联系 TI 代表。电子邮件：ti_osc_customer_requirement@list.ti.com

5 引脚配置和功能

CDC6C CDC6Cx 4 引脚 VSON（顶视图）图 5-1 CDC6Cx 4 引脚 VSON（顶视图）
图例
输入电源
接地输出
表 5-1 CDC6Cx 引脚功能
引脚类型(1)说明
名称编号
OE/ST/NC1I/NC输出使能 (OE) 或待机 (ST) 引脚或无连接 (NC)。有关更多详细信息，请参阅表 8-1。
GND2G器件接地
CLK3OLVCMOS 输出时钟
VDD4P器件电源
(1) I = 输入，O = 输出，I/O = 输入或输出，G = 地，P = 电源，NC = 无连接（可保持悬空）。

6 规格

6.1 绝对最大额定值

在自然通风条件下的工作温度范围内测得（除非另有说明）(1)
最小值 最大值 单位
VDD 器件电源电压(2) -0.3 3.63 V
EN 逻辑输入电压 -0.3 3.63 V
CLK 时钟输出电压 -0.3 3.63 V
TJ 结温 130 ℃
TSTG 贮存温度 150 ℃
(1) 超出“绝对最大额定值”运行可能会对器件造成永久损坏。绝对最大额定值并不表示器件在这些条件下或在建议运行条件以外的任何其他条件下能够正常运行。如果超出“建议运行条件”但在“绝对最大额定值”范围内使用，器件可能不会完全正常运行，这可能影响器件的可靠性、功能和性能并缩短器件寿命。
(2) 适用于所有建议工作电压为 1.8V ±10%、2.5V ±10% 和 3.3V ±10% 的器件

6.2 ESD 等级

值 单位
V(ESD) 静电放电 人体放电模型 (HBM)，符合 AEC Q100-002 HBM ESD 分类等级 2 ±2000 V
V(ESD) 静电放电 充电器件模型 (CDM)，符合 AEC Q100-011 CDM ESD 分类等级 C4A ±750 V

6.3 环境合规性

值 单位
抗机械振动 MIL-STD-883F，方法 2026，条件 C 10 g
抗机械振动 MIL-STD-883F，方法 2007，条件 A 20 g
抗机械冲击 MIL-STD-883F，方法 2002，条件 A 1500 g
湿敏等级 (MSL) MSL1

6.4 建议运行条件

在自然通风条件下的工作温度范围内测得（除非另有说明）
最小值 标称值 最大值 单位
VDD 器件电源电压(1) 1.62 1.8、2.5、3.3 3.63 V
TA 环境温度 -40 105 °C
TJ 结温 130 °C
tRAMP VDD 上电斜坡时间(2) 0.1 100 ms
(1) 适用于所有建议工作电压为 1.8V ±10%、2.5V ±10% 和 3.3V ±10% 的器件
(2) VDD 上电斜坡时间指电源电压超过标称 VDD 的 95% 所需的最短时间。假定电源斜升是单调的。

6.5 热性能信息

热指标(1) CDC6C 单位
DLE DLF DLX DLY
4 4 4 4
RθJA 结至环境热阻 151.8 151.7 180.3 189.1 °C/W
RθJC(top) 结至外壳（顶部）热阻 89.5 99.3 116.2 137.3 °C/W
RθJB 结至电路板热阻 72.2 64.4 85.5 85 °C/W
ΨJT 结至顶部特征参数 11.1 9.2 8.5 6.2 °C/W
ΨJB 结至电路板特征参数 71.2 63.5 83.7 83.2 °C/W
(1) 有关新旧热指标的更多信息，请参阅半导体和 IC 封装热指标应用手册。

6.6 电气特性

在建议运行条件下测得（VDD = 1.8V ± 10%，2.5V ± 10%，3.3V ± 10%；除非另有说明，否则典型值为 25°C 下的值）
参数 测试条件 最小值 典型值 最大值 单位
电流消耗特性
IDD 器件电流消耗（不包括负载电流） -40℃ 至 85℃，Fout = 20MHz，Vdd = 1.8V ± 10% 4.22 6.7 mA
-40℃ 至 85℃，Fout = 20MHz，Vdd = 3.3V ± 10% 4.41 6.7 mA
-40℃ 至 105℃，Fout = 20MHz，Vdd = 1.8V ± 10% 4.22 7.3 mA
-40℃ 至 105℃，Fout = 20MHz，Vdd = 3.3V ± 10% 4.41 7.3 mA
IDD 器件电流消耗（不包括负载电流） -40℃ 至 85℃，Fout = 25MHz，Vdd = 1.8V ± 10% 4.32 6.8 mA
-40℃ 至 85℃，Fout = 25MHz，Vdd = 3.3V ± 10% 4.57 6.9 mA
-40℃ 至 105℃，Fout = 25MHz，Vdd = 1.8V ± 10% 4.32 7.4 mA
-40℃ 至 105℃，Fout = 25MHz，Vdd = 3.3V ± 10% 4.57 7.5 mA
IDD 器件电流消耗（不包括负载电流） -40℃ 至 85℃，Fout = 50MHz，Vdd = 1.8V ± 10% 4.84 7.1 mA
-40℃ 至 85℃，Fout = 50MHz，Vdd = 3.3V ± 10% 5.33 7.2 mA
-40℃ 至 105℃，Fout = 50MHz，Vdd = 1.8V ± 10% 4.84 7.6 mA
-40℃ 至 105℃，Fout = 50MHz，Vdd = 3.3V ± 10% 5.33 7.8 mA
IDD 器件电流消耗（不包括负载电流） -40℃ 至 85℃，Fout = 100MHz，Vdd = 1.8V ± 10% 5.86 7.6 mA
-40℃ 至 85℃，Fout = 100MHz，Vdd = 3.3V ± 10% 6.77 9.0 mA
-40℃ 至 105℃，Fout = 100MHz，Vdd = 1.8V ± 10% 5.86 8.2 mA
-40℃ 至 105℃，Fout = 100MHz，Vdd = 3.3V ± 10% 6.77 9.0 mA
IDD 器件电流消耗（不包括负载电流） -40℃ 至 85℃，Fout = 150MHz，Vdd = 1.8V ± 10% 7.14 9.5 mA
-40℃ 至 85℃，Fout = 150MHz，Vdd = 3.3V ± 10% 8.72 11.0 mA
-40℃ 至 105℃，Fout = 150MHz，Vdd = 1.8V ± 10% 7.14 9.5 mA
-40℃ 至 105℃，Fout = 150MHz，Vdd = 3.3V ± 10% 8.72 11.0 mA
IDD_stdby 器件待机电流 -40℃ 至 85℃，ST = 接地，Vdd=1.8V ± 10% 1.5 µA
-40℃ 至 85℃，ST = 接地，Vdd=2.5V ± 10% 2 µA
-40℃ 至 85℃，ST = 接地，Vdd=3.3V ± 10% 2.7 µA
-40℃ 至 105℃，ST = 接地，Vdd=1.8V ± 10% 1.5 µA
-40℃ 至 105℃，ST = 接地，Vdd=2.5V ± 10% 2 µA
-40℃ 至 105℃，ST = 接地，Vdd=3.3V ± 10% 2.7 µA
IDD-OD 输出禁用时的器件电流 -40℃ 至 85℃，Fout = 25MHz，Vdd = 1.8V ± 10% 3.75 6.4 mA
-40℃ 至 85℃，Fout = 25MHz，Vdd = 3.3V ± 10% 3.76 6.5 mA
-40℃ 至 105℃，Fout = 25MHz，Vdd = 1.8V ± 10% 3.75 7 mA
-40℃ 至 105℃，Fout = 25MHz，Vdd = 3.3V ± 10% 3.76 7.1 mA
输出特性
Fout 输出频率 0.25 200 MHz
VOL 输出低电压 IOL = 3.6mA、VDD = 1.8V 0.36 V
IOL = 5.0mA、VDD = 2.5V 0.5 V
IOL = 6.6mA、VDD = 3.3V 0.66 V
VOH 输出高电压 IOH = 3.6mA、VDD = 1.8V VDD × 0.88 V
IOH = 5.0mA、VDD = 2.5V VDD × 0.85 V
IOH = 6.6mA、VDD = 3.3V VDD × 0.85 V
tR/tF 输出上升/下降时间 VOH-VOL 的 20% 至 80%，CL = 2pF，正常模式，Fout = 25MHz 0.28 0.65 ns
tR/tF 输出上升/下降时间 VOH-VOL 的 20% 至 80%，CL = 2pF，慢速模式 1，Fout = 25MHz 0.42 0.75 ns
tR/tF 输出上升/下降时间 VOH-VOL 的 20% 至 80%，CL = 5pF，正常模式，Fout = 25MHz 0.33 0.8 ns
tR/tF 输出上升/下降时间 VOH-VOL 的 20% 至 80%，CL = 5pF，慢速模式 2，Fout = 25MHz 1.11 2.0 ns
tR/tF 输出上升/下降时间 VOH-VOL 的 20% 至 80%，CL = 10pF，正常模式，Fout = 25MHz 0.44 1.7 ns
tR/tF 输出上升/下降时间 VOH-VOL 的 20% 至 80%，CL = 10pF，慢速模式 3，Fout = 25MHz 1.85 3.1 ns
tR/tF 输出上升/下降时间 VOH-VOL 的 20% 至 80%，CL = 15pF，正常模式，Fout = 25MHz 0.87 2.2 ns
tR/tF 输出上升/下降时间 VOH-VOL 的 20% 至 80%，CL = 15pF，慢速模式 4，Fout = 25MHz 2.7 4.0 ns
ODC 输出占空比 45 50 55 %
PN-Floor 输出相位噪底 (fOFFSET > 10MHz) Fout = 50MHz -155 dBc/Hz
CL 最大容性负载 Fout < 50MHz 30 pF
CL Fout > 50MHz 15 pF
Rout-high 输出阻抗 37.5 50 62.5 Ω
功能引脚特性 (OE/ST)
VIL 输入低电压 0.6 V
VIH 输入高电压 1.3 V
IIL 输入低电流 EN = GND -40 µA
IIH 输入高电流 EN = VDD 40 µA
CIN 输入电容(1) 2 pF
频率容差
FT 总频率稳定性 包括：焊接漂移、初始容差、-40℃ 到 105℃ 温度范围内的变化、电源电压范围内的变化以及 25℃ 条件下的 10 年老化。 ±50 ppm
FT 总频率稳定性 包括：焊接漂移、初始容差、-40℃ 到 105℃ 温度范围内的变化、电源电压范围内的变化以及 25℃ 条件下的 1 年老化。 ±45 ppm
FT 总频率稳定性 包括：焊接漂移、初始容差、-40℃ 到 85℃ 温度范围内的变化、电源电压范围内的变化以及 25℃ 条件下的 10 年老化。 ±50 ppm
FT 总频率稳定性 包括：焊接漂移、初始容差、-40℃ 到 85℃ 温度范围内的变化、电源电压范围内的变化以及 25℃ 条件下的 1 年老化。 ±45 ppm
PSRR 特性
PSRR 输出频率为 50MHz，VDD = 2.5V/3.3V，无电源去耦电容时，50mV 电源纹波引起的杂散 50kHz 处的正弦波 -80 dBc
100kHz 处的正弦波 -75 dBc
500kHz 处的正弦波 -63 dBc
1MHz 处的正弦波 -59 dBc
上电特性
tSTART_UP 启动时间 从 0.95 × VDD 到输出启用并达到规格的时间。OE/ST = 高电平；将电源电压斜坡时间设为 200µs 进行测试 1.5 3 ms
tRESUME 芯片恢复时间 从 ST = VIH 到输出启用并达到规格的时间。 3 ms
tST-DIS 芯片禁用时间 从 ST = VIL 到芯片处于待机模式的时间 (Fout > 100MHz) 250 ns
tOE-EN 输出使能时间 从 OE = VIH 到输出启用并达到规格的时间 (Fout > 100MHz) 250 ns
tOE-DIS 输出禁用时间 从 OE = VIL 到输出禁用的时间 (Fout > 100MHz) 250 ns
时钟输出抖动
RJ 随机相位抖动 10MHz ≤ Fout < 25MHz，集成 BW：12kHz - 5MHz，最高温度 = 105°C 400 1000 fs
RJ 随机相位抖动 25MHz ≤ Fout ≤ 200MHz，集成 BW：12kHz - 20MHz，最高温度 = 105°C 400 1000 fs
SPN100k 1kHz 偏移时的点相位噪声 Fout = 100MHz -86 dBc/Hz
SPN100k 10kHz 偏移时的点相位噪声 Fout = 100MHz -120 dBc/Hz
SPN100k 100kHz 偏移时的点相位噪声 Fout = 100MHz -138 dBc/Hz
SPN1M 1MHz 偏移时的点相位噪声 Fout = 100MHz -143 dBc/Hz
RJITT,RMS RMS 周期抖动 Fout ≥ 25MHz  3 ps
RJITT,PK 峰峰值周期抖动 Fout ≥ 25MHz 26 ps
(1) 由设计验证。未表征

 
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