Data Sheet
TPS793 采用 NanoStar™ Wafer Chip Scale 封装和 SOT23 封装的低噪声、高 PSRR、射频、200mA 的低压降线性稳压器
本资源的原文使用英文撰写。 为方便起见，TI 提供了译文；由于翻译过程中可能使用了自动化工具，TI 不保证译文的准确性。 为确认准确性，请务必访问 ti.com 参考最新的英文版本（控制文档）。
1 特性
- 具有使能功能的低压降稳压器
- 提供固定电压版本：
- 1.8V 至 4.75V（旧芯片）
- 1.8V 至 3.3V（新芯片）
- 可调输出电压范围：1.22V 至 5.5V
- 低噪声：
- 55μVRMS（旧芯片）
- 69μVRMS（新芯片）
- 快速启动时间：
- 50μs（旧芯片）
- 500μs（新芯片）
- 超低压降电压：112mV（典型值）
- 有关更新的器件产品组合，请参阅 TPS7A20
3 说明
TPS793 是一款低压降 (LDO) 稳压器，具有高电源抑制比 (PSRR)，并提供出色的线路和负载瞬态响应。该器件在输出端使用小型 2.2µF 陶瓷电容器实现稳定工作。TPS793 提供低压降电压，例如 200mA 时为 112mV（典型值）。凭借低输出噪声和出色的 PSRR，此器件适用于功耗敏感型模拟负载。TPS793 提供灵活的后置稳压选项，具有可调节功能。
封装信息
| 器件型号 | 封装(1) | 封装尺寸(2) | |
|---|---|---|---|
| TPS793 | DBV（SOT-23，6） | 2.9mm × 2.8mm | |
| DBV（SOT-23，5） | 2.9mm × 2.8mm | ||
| YZQ（DSBGA，5）(3) | 1.35mm × 1mm | ||
(1) 如需更多信息，请参阅机械、封装和可订购信息。
(2) 封装尺寸（长 × 宽）为标称值，并包括引脚（如适用）。
(3) 仅旧芯片。
典型应用电路4 引脚配置和功能
图 4-1 DBV 封装，5 引脚 SOT-23 固定电压版本（顶视图）
图 4-3 YZQ 封装，5 引脚 DSBGA（顶视图）（仅限旧芯片）
图 4-2 DBV 封装，6 引脚 SOT-23 可调节电压版本（顶视图）表 4-1 引脚功能
| 引脚 | I/O | 说明 | ||
|---|---|---|---|---|
| 名称 | DBV | YZQ | ||
| EN | 3 | A3 | I | 使能引脚。驱动使能引脚 (EN) 为高电平打开稳压器。将这个引脚驱动为低电平来将稳压器置于关断模式。如未使用，EN 可被连接至 IN。 |
| FB | 5 | — | I | 反馈引脚。该端子是可调器件的反馈输入引脚。采用 DBV 封装的固定电压版本没有此引脚。 |
| GND | 2 | A1 | — | 稳压器接地。 |
| IN | 1 | C3 | I | 器件的输入。 |
| NR/NC | 4 | B2 | — | 降噪引脚（仅限旧芯片）。将一个外部电容器连接到这个引脚来过滤由内部带隙生成的噪声。此配置仅针对旧芯片和 YZQ 封装改进了电源抑制并降低了输出噪声。 无连接引脚（仅限新芯片）。这个引脚不是内部连接。连接至 GND 以提高热性能或保持悬空。要降低固定器件的噪声性能，不妨查看 TPS7A20。 |
| OUT | 6 | C1 | O | 稳压器的输出。 |
5 规格
5.1 绝对最大额定值
在自然通风条件下的工作温度范围内测得（除非另有说明）(1)
| 最小值 | 最大值 | 单位 | ||
|---|---|---|---|---|
| 电压 | VIN、VEN、VOUT（旧芯片） | -0.3 | 6 | V |
| VIN、VEN（新芯片） | -0.3 | 6.5 | V | |
| VOUT（新芯片） | -0.3 | VIN + 0.3 (2) | ||
| 电流 | 输出，IOUT | 受内部限制 | ||
| 温度 | 工作结温，TJ | -40 | 150 | °C |
| 贮存温度，Tstg | -65 | 150 | °C | |
(1) 应力超出绝对最大额定值 下面列出的值可能会对器件造成永久损坏。这些列出的值仅仅是应力等级，这并不表示器件在这些条件下以及在建议运行条件 以外的任何其他条件下能够正常运行。长时间处于绝对最大额定条件下可能会影响器件的可靠性。
(2) 绝对最大额定值为 VIN + 0.3V 或 6.5V（以较小者为准）。
5.3 建议运行条件
在自然通风条件下的工作温度范围内测得（除非另有说明）
| 最小值 | 标称值 | 最大值 | 单位 | |||
|---|---|---|---|---|---|---|
| VIN | 输入电压 | 2.7 | 5.5 | V | ||
| VEN | 使能电压 | 0 | 5.5 | V | ||
| VOUT | 输出电压 | VFB | 5 | V | ||
| IOUT | 输出电流 | 0 | 200 | mA | ||
| TJ | 工作结温 | -40 | 125 | °C | ||
| CIN | 输入电容器（旧芯片） | 0.1 | 1 | µF | ||
| 输入电容器（新芯片） | 1 | |||||
| COUT | 输出电容器 | 2.2(1)(2) | 10 | µF | ||
| CNR | 降噪电容器(3) | 0 | 10 | nF | ||
| CFF | 前馈电容器（旧芯片） | 15 | pF | |||
| 前馈电容器（新芯片）(4) | 0 | 10 | 100 | nF | ||
| R2 | 下部反馈电阻器（旧芯片） | 30.1 | kΩ | |||
| FEN | 启用切换频率（新芯片） | 10 | kHz | |||
(1) 如果未使用 CFF 或 VOUT(nom) < 1.8V，则建议的最小 COUT = 4.7µF。
(2) 仅新芯片的最小有效电容为 0.47µF。
(3) 仅旧芯片。新芯片没有降噪引脚。有关更多信息，请参阅引脚功能表。
(4) 前馈电容器是可选的，不是确保稳定性所必需的。
