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  • TPS793 采用 NanoStar™ Wafer Chip Scale 封装和 SOT23 封装的低噪声、高 PSRR、射频、200mA 的低压降线性稳压器

    • ZHCSMT2N July   2001  – January 2025 TPS793

      PRODUCTION DATA  

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  • TPS793 采用 NanoStar™ Wafer Chip Scale 封装和 SOT23 封装的低噪声、高 PSRR、射频、200mA 的低压降线性稳压器
  1.   1
  2. 1 特性
  3. 2 应用
  4. 3 说明
  5. 4 引脚配置和功能
  6. 5 规格
    1. 5.1 绝对最大额定值
    2. 5.2 ESD 等级
    3. 5.3 建议运行条件
    4. 5.4 热性能信息
    5. 5.5 电气特性
    6. 5.6 典型特性
  7. 6 详细说明
    1. 6.1 概述
    2. 6.2 功能方框图
    3. 6.3 特性说明
      1. 6.3.1 欠压锁定 (UVLO)
      2. 6.3.2 关断
      3. 6.3.3 有源放电(新芯片)
      4. 6.3.4 折返电流限制
      5. 6.3.5 热保护
      6. 6.3.6 反向电流
    4. 6.4 器件功能模式
      1. 6.4.1 正常运行
      2. 6.4.2 压降运行
      3. 6.4.3 禁用
  8. 7 应用和实施
    1. 7.1 应用信息
      1. 7.1.1 可调节运行
      2. 7.1.2 退出压降
    2. 7.2 典型应用
      1. 7.2.1 设计要求
      2. 7.2.2 详细设计过程
        1. 7.2.2.1 电容器推荐
        2. 7.2.2.2 输入和输出电容器要求
        3. 7.2.2.3 降噪和前馈电容器要求
      3. 7.2.3 应用曲线
    3. 7.3 最佳设计实践
    4. 7.4 电源相关建议
    5. 7.5 布局
      1. 7.5.1 布局指南
        1. 7.5.1.1 对于改进 PSRR 和噪声性能的电路板布局布线建议
        2. 7.5.1.2 功率耗散
      2. 7.5.2 布局示例
  9. 8 器件和文档支持
    1. 8.1 器件支持
      1. 8.1.1 开发支持
        1. 8.1.1.1 评估模块
        2. 8.1.1.2 Spice 模型
      2. 8.1.2 器件命名规则
    2. 8.2 文档支持
      1. 8.2.1 相关文档
    3. 8.3 接收文档更新通知
    4. 8.4 支持资源
    5. 8.5 商标
    6. 8.6 静电放电警告
    7. 8.7 术语表
  10. 9 修订历史记录
  11. 10机械、封装和可订购信息
  12. 重要声明
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Data Sheet

TPS793 采用 NanoStar™ Wafer Chip Scale 封装和 SOT23 封装的低噪声、高 PSRR、射频、200mA 的低压降线性稳压器

本资源的原文使用英文撰写。 为方便起见,TI 提供了译文;由于翻译过程中可能使用了自动化工具,TI 不保证译文的准确性。 为确认准确性,请务必访问 ti.com 参考最新的英文版本(控制文档)。

下载最新的英语版本

1 特性

  • 具有使能功能的低压降稳压器
  • 提供固定电压版本:
    • 1.8V 至 4.75V(旧芯片)
    • 1.8V 至 3.3V(新芯片)
  • 可调输出电压范围:1.22V 至 5.5V
  • 低噪声:
    • 55μVRMS(旧芯片)
    • 69μVRMS(新芯片)
  • 快速启动时间:
    • 50μs(旧芯片)
    • 500μs(新芯片)
  • 超低压降电压:112mV(典型值)
  • 有关更新的器件产品组合,请参阅 TPS7A20

2 应用

  • 电视应用
  • 楼宇自动化
  • 智能手机和平板电脑
  • 联网外设和打印机
  • 家庭影院和娱乐应用

3 说明

TPS793 是一款低压降 (LDO) 稳压器,具有高电源抑制比 (PSRR),并提供出色的线路和负载瞬态响应。该器件在输出端使用小型 2.2µF 陶瓷电容器实现稳定工作。TPS793 提供低压降电压,例如 200mA 时为 112mV(典型值)。凭借低输出噪声和出色的 PSRR,此器件适用于功耗敏感型模拟负载。TPS793 提供灵活的后置稳压选项,具有可调节功能。

封装信息
器件型号 封装(1) 封装尺寸(2)
TPS793 DBV(SOT-23,6) 2.9mm × 2.8mm
DBV(SOT-23,5) 2.9mm × 2.8mm
YZQ(DSBGA,5)(3) 1.35mm × 1mm
(1) 如需更多信息,请参阅机械、封装和可订购信息。
(2) 封装尺寸(长 × 宽)为标称值,并包括引脚(如适用)。
(3) 仅旧芯片。

 

 

TPS793 典型应用电路典型应用电路

4 引脚配置和功能

TPS793 DBV 封装,5 引脚 SOT-23 固定电压版本(顶视图)图 4-1 DBV 封装,5 引脚 SOT-23 固定电压版本(顶视图)
TPS793 YZQ 封装,5 引脚 DSBGA(顶视图)(仅限旧芯片)图 4-3 YZQ 封装,5 引脚 DSBGA
(顶视图)(仅限旧芯片)
TPS793 DBV 封装,6 引脚 SOT-23 可调节电压版本(顶视图)图 4-2 DBV 封装,6 引脚 SOT-23 可调节电压版本(顶视图)
表 4-1 引脚功能
引脚 I/O 说明
名称 DBV YZQ
EN 3 A3 I 使能引脚。驱动使能引脚 (EN) 为高电平打开稳压器。将这个引脚驱动为低电平来将稳压器置于关断模式。如未使用,EN 可被连接至 IN。
FB 5 — I 反馈引脚。该端子是可调器件的反馈输入引脚。采用 DBV 封装的固定电压版本没有此引脚。
GND 2 A1 — 稳压器接地。
IN 1 C3 I 器件的输入。
NR/NC 4 B2 — 降噪引脚(仅限旧芯片)。将一个外部电容器连接到这个引脚来过滤由内部带隙生成的噪声。此配置仅针对旧芯片和 YZQ 封装改进了电源抑制并降低了输出噪声。

无连接引脚(仅限新芯片)。这个引脚不是内部连接。连接至 GND 以提高热性能或保持悬空。要降低固定器件的噪声性能,不妨查看 TPS7A20。

OUT 6 C1 O 稳压器的输出。

5 规格

5.1 绝对最大额定值

在自然通风条件下的工作温度范围内测得(除非另有说明)(1)
最小值 最大值 单位
电压 VIN、VEN、VOUT(旧芯片) -0.3 6 V
VIN、VEN(新芯片) -0.3 6.5 V
VOUT(新芯片) -0.3 VIN + 0.3 (2)
电流 输出,IOUT 受内部限制
温度 工作结温,TJ -40 150 °C
贮存温度,Tstg -65 150 °C
(1) 应力超出绝对最大额定值 下面列出的值可能会对器件造成永久损坏。这些列出的值仅仅是应力等级,这并不表示器件在这些条件下以及在建议运行条件 以外的任何其他条件下能够正常运行。长时间处于绝对最大额定条件下可能会影响器件的可靠性。
(2) 绝对最大额定值为 VIN + 0.3V 或 6.5V(以较小者为准)。

5.2 ESD 等级

值 单位
V(ESD) 静电放电 人体放电模型 (HBM),符合 ANSI/ESDA/JEDEC JS-001 标准,所有引脚(1) ±2000 V
充电器件模型 (CDM),符合 JEDEC 规范 JESD22-C101,V 所有引脚(2) ±500
(1) JEDEC 文档 JEP155 指出:500V HBM 时能够在标准 ESD 控制流程下安全生产。
(2) JEDEC 文档 JEP157 指出:250V CDM 时能够在标准 ESD 控制流程下安全生产。

5.3 建议运行条件

在自然通风条件下的工作温度范围内测得(除非另有说明)
最小值 标称值 最大值 单位
VIN 输入电压  2.7 5.5 V
VEN 使能电压 0 5.5 V
VOUT 输出电压 VFB 5 V
IOUT 输出电流 0 200 mA
TJ 工作结温 -40 125 °C
CIN 输入电容器(旧芯片) 0.1 1 µF
输入电容器(新芯片) 1
COUT 输出电容器 2.2(1)(2) 10 µF
CNR 降噪电容器(3) 0 10 nF
CFF 前馈电容器(旧芯片) 15 pF
前馈电容器(新芯片)(4) 0 10 100 nF
R2 下部反馈电阻器(旧芯片) 30.1 kΩ
FEN 启用切换频率(新芯片) 10 kHz
(1) 如果未使用 CFF 或 VOUT(nom) < 1.8V,则建议的最小 COUT = 4.7µF。
(2) 仅新芯片的最小有效电容为 0.47µF。
(3) 仅旧芯片。新芯片没有降噪引脚。有关更多信息,请参阅引脚功能表。 
(4) 前馈电容器是可选的,不是确保稳定性所必需的。

 

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