ZHCSL90A August   2020  – May 2026 TPS25980

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 1 特性
  3. 2 应用
  4. 3 说明
  5. 4 器件比较表
  6. 5 引脚配置和功能
  7. 6 规格
    1. 6.1 绝对最大额定值
    2. 6.2 ESD 等级
    3. 6.3 建议运行条件
    4. 6.4 热性能信息
    5. 6.5 电气特性
    6. 6.6 时序要求
    7. 6.7 开关特性
    8. 6.8 典型特性
  8. 7 详细说明
    1. 7.1 概述
    2. 7.2 功能方框图
    3. 7.3 特性说明
      1. 7.3.1 欠压保护（UVLO 和 UVP）
      2. 7.3.2 过压保护 (OVP)
      3. 7.3.3 浪涌电流、过流和短路保护
        1. 7.3.3.1 压摆率和浪涌电流控制 (dVdt)
        2. 7.3.3.2 断路器
        3. 7.3.3.3 短路保护
      4. 7.3.4 过热保护 (OTP)
      5. 7.3.5 模拟负载电流监测器 (IMON)
      6. 7.3.6 电源正常 (PG)
      7. 7.3.7 负载检测/握手 (LDSTRT)
    4. 7.4 故障响应
    5. 7.5 器件功能模式
  9. 8 应用和实施
    1. 8.1 应用信息
    2. 8.2 典型应用：医疗应用中的患者监护系统
      1. 8.2.1 设计要求
      2. 8.2.2 详细设计过程
        1. 8.2.2.1 器件选择
        2. 8.2.2.2 设置限流阈值：RILIM 选型
        3. 8.2.2.3 设置欠压锁定设定点
        4. 8.2.2.4 选择电流监测电阻器：RIMON
        5. 8.2.2.5 设置输出电压斜坡时间 (TdVdt)
          1. 8.2.2.5.1 情况 1：在不含负载的条件下启动：仅输出电容 COUT 消耗电流
          2. 8.2.2.5.2 情况 2：在含有负载的条件下启动：输出电容 COUT 和负载消耗电流
        6. 8.2.2.6 设置负载握手 (LDSTRT) 延迟
        7. 8.2.2.7 设置瞬态过流消隐时间间隔 (tITIMER)
        8. 8.2.2.8 设置自动重试延迟和重试次数
      3. 8.2.3 应用曲线
    3. 8.3 系统示例
      1. 8.3.1 光学模块电源轨路径保护
        1. 8.3.1.1 设计要求
        2. 8.3.1.2 器件选择
        3. 8.3.1.3 外部元件设置
        4. 8.3.1.4 压降
        5. 8.3.1.5 应用曲线
      2. 8.3.2 针对 12V 电压轨应用的输入保护：PCIe 卡、存储接口和直流风扇
    4. 8.4 电源相关建议
      1. 8.4.1 瞬态保护
      2. 8.4.2 输出短路测量
    5. 8.5 布局
      1. 8.5.1 布局指南
      2. 8.5.2 布局示例
  10. 9 器件和文档支持
    1. 9.1 文档支持
    2. 9.2 接收文档更新通知
    3. 9.3 支持资源
    4. 9.4 商标
    5. 9.5 静电放电警告
    6. 9.6 术语表
  11. 10修订历史记录
  12. 11机械、封装和可订购信息

6.7 开关特性

输出上升压摆率在整个工作电压范围内在内部控制并保持恒定，可确保导通时序不受负载条件影响。可通过在 dVdt 引脚与接地之间添加电容来调节上升压摆率。随着 CdVdt 增加，上升压摆率 (SR) 会变慢。有关更多详细信息，请参阅压摆率和浪涌电流控制 (dVdt) 部分。但是，关断延迟和下降时间取决于负载电容 (COUT) 和负载电阻 (RL) 的 RC 时间常数。开关特性仅对电源在稳态条件下可用且负载电压在器件启用之前完全放电的上电序列有效。典型值是在 TJ = 25°C 下得出的，除非另有说明。RL = 3.6Ω，COUT = 1mF 
参数 VIN
 CdVdt = 开路 CdVdt = 3300pF CdVdt = 6800pF 单位
SRON 输出上升压摆率 2.7V 6.26 1.39 0.68 V/ms
12V 7.35 1.4 0.68
24V 7.4 1.4 0.68
tD,ON 导通延迟 2.7V 1.3 1.49 1.7 ms
12V 1.24 2.1 3.01
24V 1.2 2.91 4.74
tR 上升时间 2.7V 0.67 1.63 3.35 ms
12V 1.35 6.99 14.41
24V 2.66 13.77 28.41
tON 导通时间 2.7V 1.97 3.12 5.05 ms
12V 2.59 9.09 17.42
24V 3.86 16.68 33.15
tD,OFF 关断延迟 2.7V 151 152 152 µs
12V 212 212 212
24V 262 262 262