ZHCSJ98J NOVEMBER   2006  – January 2019 TS3USB221

PRODUCTION DATA.  

  1. 1 特性
  2. 2 应用
  3. 3 说明
    1.     Device Images
      1.      框图
      2.      每个 FET 开关 (SW) 的简化原理图)
  4. 4 修订历史记录
  5. 5 Pin Configuration and Functions
    1.     Pin Functions
  6. 6 Specifications
    1. 6.1  Absolute Maximum Ratings
    2. 6.2  ESD Ratings
    3. 6.3  Recommended Operating Conditions
    4. 6.4  Thermal Information
    5. 6.5  Electrical Characteristics
    6. 6.6  Dynamic Electrical Characteristics, VCC = 3.3 V ± 10%
    7. 6.7  Dynamic Electrical Characteristics, VCC = 2.5 V ± 10%
    8. 6.8  Switching Characteristics, VCC = 3.3 V ± 10%
    9. 6.9  Switching Characteristics, VCC = 2.5 V ± 10%
    10. 6.10 Typical Characteristics
  7. 7 Parameter Measurement Information
  8. 8 Detailed Description
    1. 8.1 Overview
    2. 8.2 Functional Block Diagram
    3. 8.3 Feature Description
      1. 8.3.1 Low Power Mode
    4. 8.4 Device Functional Modes
  9. 9 Application and Implementation
    1. 9.1 Application Information
    2. 9.2 Typical Application
      1. 9.2.1 Design Requirements
      2. 9.2.2 Detailed Design Procedure
      3. 9.2.3 Application Curves
  10. 10Power Supply Recommendations
  11. 11Layout
    1. 11.1 Layout Guidelines
    2. 11.2 Layout Example
  12. 12器件和文档支持
    1. 12.1 文档支持
      1. 12.1.1 相关文档
    2. 12.2 接收文档更新通知
    3. 12.3 社区资源
    4. 12.4 商标
    5. 12.5 静电放电警告
    6. 12.6 术语表
  13. 13机械、封装和可订购信息

1 特性

  • VCC 工作电压为 2.3 V 至 3.6 V
  • VI/O 支持高达 5.5V 的信号
  • 1.8V 兼容控制引脚输入
  • OE 禁用时采用低功耗模式 (1μA)
  • rON = 6Ω（最大值）
  • ΔrON = 0.2Ω（典型值）
  • Cio(on) = 6pF（最大值）
  • 低功耗（最大值为 30uA）
  • ESD > 2000V 人体放电模型 (HBM)
  • 高带宽：1.1GHz（典型值）