ZHCSID6B June 2018 – December 2025 LMK05318
PRODUCTION DATA
| 参数 | 测试条件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
| 电源特性 | ||||||
| IDD_DIG | 内核电流消耗 (VDD_DIG) |
18 | mA | |||
| IDD_IN | 内核电流消耗 (VDD_IN) |
38 | mA | |||
| IDD_PLL1 | 内核电流消耗 (VDD_PLL1) |
启用 DPLL 和 APLL1 | 110 | mA | ||
| IDD_XO | 内核电流消耗 (VDD_XO) |
20 | mA | |||
| IDD_PLL2 | 内核电流消耗 (VDD_PLL2) |
禁用 APLL2 | 20 | mA | ||
| 启用 APLL2 | 120 | mA | ||||
| IDDO_x | 每个通道的输出电流消耗(3) (VDDO_x) |
启用输出多路复用器和分频器,不包括驱动器 分频器值 = 2 至 6 |
50 | mA | ||
| 启用输出多路复用器和分频器,不包括驱动器 分频器值 > 6 |
70 | mA | ||||
| AC-LVDS | 11 | mA | ||||
| AC-CML | 14 | mA | ||||
| AC-LVPECL | 16 | mA | ||||
| HCSL、50Ω 负载至 GND | 25 | mA | ||||
| 1.8V LVCMOS (x2)、100MHz | 6 | mA | ||||
| IDDPDN | 总电流消耗(所有 VDD 和 VDDO 引脚,3.3V) | 器件断电(PDN 引脚保持低电平) | 56 | mA | ||
| XO 输入特性 (XO) | ||||||
| fIN | 输入频率范围 | 10 | 100 | MHz | ||
| VIN-SE | 单端输入电压摆幅 | LVCMOS 输入,直流耦合至 XO_P | 1 | 2.6 | Vpp | |
| VIN-DIFF | 差分输入电压摆幅(11) | 差分输入 | 0.4 | 2 | Vpp | |
| VID | 差分输入电压摆幅(11) | 差分输入 | 0.2 | 1 | |V| | |
| dV/dt | 输入压摆率(13) | 0.2 | 0.5 | V/ns | ||
| IDC | 输入占空比 | 40 | 60 | % | ||
| IIN | 输入泄漏 | 禁用 50Ω 和 100Ω 内部端接 | -350 | 350 | µA | |
| 基准输入特性(PRIREF、SECREF) | ||||||
| fIN | 输入频率范围 | 差分输入(4) | 5 | 800 | MHz | |
| fIN | 输入频率范围 | LVCMOS 输入 | 2 | 250 | MHz | |
| VIN-SE | 单端输入电压摆幅 | LVCMOS 输入,直流耦合至 xREF_P | 1 | Vpp | ||
| VIN-DIFF | 差分输入电压摆幅(11) | 差分输入 | 0.4 | 2 | Vpp | |
| VID | 差分输入电压摆幅(11) | 差分输入 | 0.2 | 1 | V | |
| dV/dt | 输入压摆率(13) | 0.2 | 0.5 | V/ns | ||
| IIN | 输入泄漏 | 禁用 50Ω 和 100Ω 内部端接 | -350 | 350 | µA | |
| VCO 特性 | ||||||
| fVCO1 | VCO1 频率范围 | 2499.875 | 2500 | 2500.125 | MHz | |
| fVCO2 | VCO2 频率范围 | 5500 | 6250 | MHz | ||
| APLL 特性 | ||||||
| fPD1 | APLL1 相位检测器频率 | 1 | 50 | MHz | ||
| fPD2 | APLL2 相位检测器频率 | 10 | 150 | MHz | ||
| AC-LVDS 输出特性 (OUTx) | ||||||
| fOUT | 输出频率(5) | 800 | MHz | |||
| VOD | 输出电压摆幅 (VOH - VOL) | fOUT ≥ 25MHz;在 156.25MHz 时的典型值 | 250 | 350 | 450 | mV |
| VOUT-DIFF | 差分输入电压摆幅,峰峰值 | 2×VOD | Vpp | |||
| VOS | 输出共模 | 100 | 430 | mV | ||
| tSK | 输出到输出偏斜 | 相同的后分频器、输出分频值和输出类型 | 100 | ps | ||
| tR/tF | 输出上升/下降时间(12) | 20% 至 80%,< 300MHz | 225 | 350 | ps | |
| 中心点附近 ±100mV,≥ 300 MHz | 85 | 250 | ps | |||
| PNFLOOR | 输出相位噪底 | fOUT = 156.25MHz;fOFFSET > 10MHz | -160 | dBc/Hz | ||
| ODC | 输出占空比(9) | 45 | 55 | % | ||
| AC-CML 输出特性 (OUTx) | ||||||
| fOUT | 输出频率(5) | 800 | MHz | |||
| VOD | 输出电压摆幅 (VOH - VOL) | fOUT = 156.25MHz 时的典型值 | 400 | 600 | 800 | mV |
| VOUT-DIFF | 差分输入电压摆幅,峰峰值 | 2×VOD | Vpp | |||
| VOS | 输出共模 | 150 | 550 | mV | ||
| tSK | 输出到输出偏斜 | 相同的后分频器、输出分频值和输出类型 | 100 | ps | ||
| tR/tF | 输出上升/下降时间(12) | 20% 至 80%,< 300MHz | 225 | 300 | ps | |
| 中心点附近 ±100mV,≥ 300 MHz | 50 | 150 | ps | |||
| PNFLOOR | 输出相位噪底 | fOUT = 156.25MHz;fOFFSET > 10MHz | -160 | dBc/Hz | ||
| ODC | 输出占空比(9) | 45 | 55 | % | ||
| AC-LVPECL 输出特性 (OUTx) | ||||||
| fOUT | 输出频率(5) | 800 | MHz | |||
| VOD | 输出电压摆幅 (VOH - VOL) | fOUT = 156.25MHz 时的典型值 | 500 | 800 | 1000 | mV |
| VOUT-DIFF | 差分输入电压摆幅,峰峰值 | 2×VOD | Vpp | |||
| VOS | 输出共模 | 300 | 700 | mV | ||
| tSK | 输出到输出偏斜 | 相同的后分频器、输出分频值和输出类型 | 100 | ps | ||
| tR/tF | 输出上升/下降时间(12) | 20% 至 80%,< 300MHz | 200 | 300 | ps | |
| 中心点附近 ±100mV,≥ 300 MHz | 35 | 100 | ps | |||
| PNFLOOR | 输出相位噪底 | fOUT = 156.25MHz;fOFFSET > 10MHz | -162 | dBc/Hz | ||
| ODC | 输出占空比(9) | 45 | 55 | % | ||
| HCSL 输出特性 (OUTx) | ||||||
| fOUT | 输出频率(5) | 400 | MHz | |||
| VOH | 输出高电压 | 600 | 880 | mV | ||
| VOL | 输出低电压 | -150 | 150 | mV | ||
| tSK | 输出到输出偏斜 | 相同的后分频器、输出分频值和输出类型 | 100 | ps | ||
| dV/dt | 输出压摆率(12) | 中心点附近 ±150mV | 1 | 4 | V/ns | |
| PNFLOOR | 输出相位噪底 (fOFFSET > 10MHz) | 100MHz | -160 | dBc/Hz | ||
| ODC | 输出占空比(9) | 45 | 55 | % | ||
| 1.8V LVCMOS 输出特性 (OUT[4:7]) | ||||||
| VOH | 输出高电压 | IOH = 1mA | 1.2 | V | ||
| VOL | 输出低电压 | IOL = 1mA | 0.4 | V | ||
| IOH | 输出高电平电流 | -23 | mA | |||
| IOL | 输出低电平电流 | 20 | mA | |||
| tR/tF | 输出上升/下降时间 | 20% 至 80% | 250 | ps | ||
| tSK | 输出到输出偏斜 | 相同的后分频器、输出分频值和输出类型 | 100 | ps | ||
| tSK | 输出到输出偏斜 | 相同的后分频器、输出分频值、LVCMOS-to-DIFF | 1.5 | ns | ||
| PNFLOOR | 输出相位噪底 | fOUT = 66.66MHz;fOFFSET > 10MHz | -160 | dBc/Hz | ||
| ODC | 输出占空比(9) | 45 | 55 | % | ||
| ROUT | 输出阻抗 | 50 | Ω | |||
| fOUT | 输出频率 | 1E-6 | 200 | MHz | ||
| 3 电平逻辑输入特性(HW_SW_CTRL、GPIO1、REFSEL、STATUS[1:0]) | ||||||
| VIH | 输入高电压 | 1.4 | V | |||
| VIM | 输入中电压 | 输入悬空,使用内部偏置且 PDN 拉至低电平 | 0.7 | 0.9 | V | |
| VIL | 输入低电压 | 0.4 | V | |||
| IIH | 输入高电流 | VIH = VDD | -40 | 40 | µA | |
| IIL | 输入低电流 | VIL = GND | -40 | 40 | µA | |
| 2 电平逻辑输入特性(PDN、GPIO[2:0]、SDI、SCK、SCS) | ||||||
| VIH | 输入高电压 | 1.2 | V | |||
| VIL | 输入低电压 | 0.6 | V | |||
| IIH | 输入高电流 | VIH = VDD | -40 | 40 | µA | |
| IIL | 输入低电流 | VIL = GND | -40 | 40 | µA | |
| SR | 输入压摆率 | 0.5 | V/ns | |||
| 逻辑输出特性(STATUS[1:0]、SDO) | ||||||
| VOH | 输出高电压 | IOH = 1mA | 1.2 | V | ||
| VOL | 输出低电压 | IOL = 1mA | 0.6 | V | ||
| tR/tF | 输出上升/下降时间 | 20% 至 80%,LVCMOS 模式,1kΩ 至 GND | 500 | ps | ||
| SPI 时序要求(SDI、SCK、SCS、SDO) | ||||||
| fSCK | SPI 时钟频率 | 20 | MHz | |||
| SPI 时钟速率;NVM 写入 | 5 | MHz | ||||
| t1 | SCS 至 SCK 设置时间 | 10 | ns | |||
| t2 | SDI 至 SCK 设置时间 | 10 | ns | |||
| t3 | SDI 至 SCK 保持时间 | 10 | ns | |||
| t4 | SCK 高电平时间 | 25 | ns | |||
| t5 | SCK 低电平时间 | 25 | ns | |||
| t6 | SCK 至 SDO 有效读回数据 | 20 | ns | |||
| t7 | SCS 脉冲宽度 | 20 | ns | |||
| t8 | SDI 至 SCK 保持时间 | 10 | ns | |||
| 与 I2C 兼容的接口特性(SDA、SCL) | ||||||
| VIH | 输入高电压 | 1.2 | V | |||
| VIL | 输入低电压 | 0.5 | V | |||
| IIH | 输入泄漏 | -15 | 15 | µA | ||
| VOL | 输出低电压 | IOL = 3mA | 0.3 | V | ||
| fSCL | I2C 时钟速率 | 标准 | 100 | kHz | ||
| 快速模式 | 400 | |||||
| tSU(START) | 启动条件设置时间 | 在 SDA 为低电平之前 SCL 为高电平 | 0.6 | µs | ||
| tH(START) | START 条件保持时间 | 在 SDA 为低电平之后 SCL 为低电平 | 0.6 | µs | ||
| tW(SCLH) | SCL 脉冲宽度高电平 | 0.6 | µs | |||
| tW(SCLL) | SCL 脉冲宽度低电平 | 1.3 | µs | |||
| tSU(SDA) | SDA 设置时间 | 100 | ns | |||
| tH(SDA) | SDA 保持时间 | 在 SCL 为低电平之后 SDA 有效 | 0 | 0.9 | µs | |
| tR(IN) | SDA/SCL 输入上升时间 | 300 | ns | |||
| tF(IN) | SDA/SCL 输入下降时间 | 300 | ns | |||
| tF(OUT) | SDA 输出下降时间 | CBUS ≤ 400pF | 300 | ns | ||
| tSU(STOP) | 停止条件建立时间 | 0.6 | µs | |||
| tBUS | STOP 和 START 之间的总线空闲时间 | 1.3 | µs | |||
| 电源噪声抑制 (PSNR)/串扰杂散 | ||||||
| PSNR | 电源噪声引起的杂散 (VN = 50mVpp)(6)(7) | VDD = 3.3V,VDDO_x = 3.3V,156.25MHz,AC-DIFF 输出 | -83 | dBc | ||
| VDD = 3.3V,VDDO_x = 3.3V,156.25MHz,HCSL 输出 | -78 | dBc | ||||
| PSNR | 电源噪声引起的杂散 (VN = 25mVpp)(6)(7) | VDD = 3.3V,VDDO_x = 1.8V,156.25MHz,AC-DIFF 输出 | -63 | dBc | ||
| VDD = 3.3V,VDDO_x = 1.8V,156.25MHz,HCSL 输出 | -58 | dBc | ||||
| VDD = 3.3V,VDDO_x = 1.8V,156.25MHz,LVCMOS 输出 | -45 | dBc | ||||
| SPURXTALK | 输出到输出串扰(相邻通道)引起的杂散电平(7) | fOUTx = 156.25MHz,fOUTy = 155.52MHz,AC-LVPECL | -75 | dBc | ||
| SPUR | 12kHz 至 40MHz 频带范围内的最高杂散水平(不包括输出串扰和整数边界杂散)(7) | fVCO1 = 2500MHz,fVCO2 = 6065.28MHz,fOUTx = 156.25MHz,fOUTy = 155.52MHz,AC-LVPECL | -80 | dBc | ||
| PLL 时钟输出性能特征 | ||||||
| RJ | RMS 相位抖动(12kHz 至 20MHz),包括杂散(14) | 来自 APLL1 的 312.5MHz AC-DIFF 输出,fXO = 48.0048MHz,fPD1 = fXO/2,fVCO1 = 2.5GHz | 50 | 100 | fs RMS | |
| RJ | RMS 相位抖动(12kHz 至 20MHz),包括杂散(14) | 来自 APLL1 的 156.25MHz AC-DIFF 输出,fXO = 48.0048MHz,fPD1 = fXO/2,fVCO1 = 2.5GHz | 60 | 100 | fs RMS | |
| RJ | RMS 相位抖动(12kHz 至 20MHz),包括杂散(14) | 来自 APLL2 的 153.6MHz AC-DIFF 输出,fXO = 48.0048MHz,fPD1 = fXO/2,fVCO1 = 2.5GHz,fPD2 = fVCO1/18,fVCO2 = 5.5296GHz | 125 | 250 | fs RMS | |
| RJ | RMS 相位抖动(12kHz 至 20MHz),包括杂散(14) | 来自 APLL2 的 155.52MHz AC-DIFF 输出,fXO = 48.0048MHz,fPD1 = fXO/2,fVCO1 = 2.5GHz,fPD2 = fVCO1/18,fVCO2 = 5.59872GHz | 125 | 250 | fs RMS | |
| BW | DPLL 带宽范围(8) | 已编程的带宽设置 | 0.01 | 4000 | Hz | |
| JPK | DPLL 闭环抖动峰值(10) | fREF = 25MHz,fOUT = 10MHz,DPLL 带宽 = 0.1Hz 或 10Hz | 0.1 | dB | ||
| JTOL | 抖动容差 | 抖动调制 = 10Hz,25.78125Gbps | 6455 | UI p-p | ||
| tHITLESS | 两个误差为 0ppm 的基准输入之间的相位中断 | 在同一频率下两个时钟输入之间的单个切换事件中有效 | ±50 | ps | ||
| fHITLESS | 无中断切换期间的频率瞬态 | 在同一频率下两个时钟输入之间的单个切换事件中有效 | ±10 | ppb | ||