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  • DRV5032 超低功耗数字开关霍尔效应传感器

    • ZHCSGW2H April   2017  – December 2024 DRV5032

      PRODUCTION DATA  

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  • DRV5032 超低功耗数字开关霍尔效应传感器
  1.   1
  2. 1 特性
  3. 2 应用
  4. 3 说明
  5. 4 器件比较
  6. 5 引脚配置和功能
  7. 6 规格
    1. 6.1 绝对最大额定值
    2. 6.2 ESD 等级
    3. 6.3 建议运行条件
    4. 6.4 热性能信息
    5. 6.5 电气特性
    6. 6.6 磁特性
    7. 6.7 典型特性
  8. 7 详细说明
    1. 7.1 概述
    2. 7.2 功能方框图
    3. 7.3 特性说明
      1. 7.3.1 磁通量方向
      2. 7.3.2 器件版本比较
        1. 7.3.2.1 磁性阈值
        2. 7.3.2.2 磁响应
        3. 7.3.2.3 输出类型
        4. 7.3.2.4 采样率
      3. 7.3.3 霍尔元件位置
    4. 7.4 器件功能模式
  9. 8 应用和实现
    1. 8.1 应用信息
      1. 8.1.1 输出类型权衡
    2. 8.2 典型应用
      1. 8.2.1 通用磁感应
        1. 8.2.1.1 设计要求
        2. 8.2.1.2 详细设计过程
        3. 8.2.1.3 应用曲线
      2. 8.2.2 三位置开关
        1. 8.2.2.1 设计要求
        2. 8.2.2.2 详细设计过程
        3. 8.2.2.3 应用曲线
    3. 8.3 最佳设计实践
    4. 8.4 电源相关建议
    5. 8.5 布局
      1. 8.5.1 布局指南
      2. 8.5.2 布局示例
  10. 9 器件和文档支持
    1. 9.1 文档支持
      1. 9.1.1 相关文档
    2. 9.2 接收文档更新通知
    3. 9.3 支持资源
    4. 9.4 商标
    5. 9.5 静电放电警告
    6. 9.6 术语表
  11. 10修订历史记录
  12. 11机械、封装和可订购信息
  13. 重要声明
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Data Sheet

DRV5032 超低功耗数字开关霍尔效应传感器

本资源的原文使用英文撰写。 为方便起见，TI 提供了译文；由于翻译过程中可能使用了自动化工具，TI 不保证译文的准确性。 为确认准确性，请务必访问 ti.com 参考最新的英文版本（控制文档）。

下载最新的英语版本

1 特性

  • 业界出色的超低功耗
    • 5Hz 版本：0.54µA
    • 20Hz 版本：1.3µA
    • 80Hz 版本：5.2µA
  • 工作 VCC 范围：1.65V 至 5.5V
  • 工作温度范围：-40°C 至 +85°C
  • 磁性阈值选项（最大 BOP）：
    • DG 版本：3.4mT
    • DU 版本：3.9mT
    • FA、FB、FC、FD 版本：4.8mT
    • AJ 版本：9.5mT
    • ZE 版本：63mT
  • 全极和单极选项
  • 开漏和推挽输出选项
  • SOT-23、X2SON 和 TO-92 封装选项

2 应用

  • 电池关键型位置感应
  • 电表篡改检测
  • 手机、笔记本电脑或平板电脑外壳感应
  • 电子锁、烟雾探测器、电器
  • 医疗设备、物联网系统
  • 阀门或电磁阀位置检测
  • 非接触式诊断或激活

3 说明

DRV5032 器件是一款超低功耗数字开关霍尔效应传感器，专为最紧凑型和电池敏感型系统而设计。该器件提供了多种磁性阈值、采样率、输出驱动器和封装以适配各种应用。

当施加的磁通密度超过 BOP 阈值时，器件会输出低电压。输出会保持低电压，直到磁通密度下降到 BRP 以下，随后输出将驱动高电压或变成高阻抗，具体取决于器件版本。通过集成内部振荡器，该器件对磁场进行采样，并以 80Hz、20Hz 或 5Hz 的速率更新输出，以实现超低电流消耗。可提供全极和单极磁响应。

此器件在 1.65V 至 5.5V 的 VCC 范围内工作，并采用标准的 SOT-23、TO-92 和小型 X2SON 封装。

封装信息
器件型号 封装(1) 封装尺寸(2)
DRV5032 DBZ（SOT-23，3） 2.92mm × 2.37mm
DMR（X2SON，4） 1.4mm × 1.1mm
LPG（TO-92，3） 4mm × 1.52mm
(1) 如需了解所有可用封装，请参阅数据表末尾的可订购产品附录。
(2) 封装尺寸（长 × 宽）为标称值，并包括引脚（如适用）。
DRV5032 典型电路原理图典型电路原理图
DRV5032 5Hz 版本的电流消耗5Hz 版本的电流消耗

4 器件比较

表 4-1 器件比较
版本 最大
阈值		 磁
响应		 输出
类型		 采样
率		 可用
封装
DRV5032DG 3.4mT 单极 推挽 80Hz X2SON
DRV5032DU 3.9mT 单极 推挽 20Hz SOT-23、X2SON、TO-92
DRV5032FA 4.8mT 全极 推挽 20Hz SOT-23、X2SON、TO-92
DRV5032FB 全极 推挽 5Hz SOT-23、X2SON、TO-92
DRV5032FC 全极 漏极开路 20Hz SOT-23、TO-92
DRV5032FD 单极 推挽 20Hz X2SON、TO-92
DRV5032AJ 9.5mT 全极 漏极开路 20Hz SOT-23、X2SON、TO-92
DRV5032ZE 63mT 全极 漏极开路 20Hz SOT-23、TO-92

5 引脚配置和功能

DRV5032 FA、FB、FC、AJ、ZE 版本 DBZ 封装3 引脚 SOT-23顶视图图 5-1 FA、FB、FC、AJ、ZE 版本 DBZ 封装3 引脚 SOT-23顶视图
DRV5032 FA、FB、AJ 版本 DMR 封装4 引脚 X2SON顶视图图 5-3 FA、FB、AJ 版本 DMR 封装4 引脚 X2SON顶视图
DRV5032 FA、FB、FC、AJ、ZE 版本 LPG 封装3 引脚 TO-92顶视图图 5-5 FA、FB、FC、AJ、ZE 版本 LPG 封装3 引脚 TO-92顶视图
DRV5032 DU 版本 DBZ 封装3 引脚 SOT-23顶视图图 5-2 DU 版本 DBZ 封装3 引脚 SOT-23顶视图
DRV5032 DU、DG、FD 版本 DMR 封装4 引脚 X2SON顶视图图 5-4 DU、DG、FD 版本 DMR 封装4 引脚 X2SON顶视图
DRV5032 DU、FD 版本 LPG 封装3 引脚 TO-92顶视图图 5-6 DU、FD 版本 LPG 封装3 引脚 TO-92顶视图
表 5-1 引脚功能
引脚 I/O 说明
名称 SOT-23
（FA、FB、FC、AJ、ZE）		 SOT-23
(DU)		 TO-92
（FA、FB、FC、AJ、ZE）		 TO-92
（DU、FD）		 X2SON
（FA、FB、AJ）		 X2SON
（DU、DG、FD）
GND 3 3 2 2 2 2 — 接地基准
OUT 2 — 3 — 4 — O 响应南北磁极的全极输出
OUT1 — — — — — 4 O 对靠近封装顶部的北极磁极作出响应的单极输出
OUT2 — 2 — 3 — 3 O 对靠近封装顶部的南极磁极作出响应的单极输出
NC — — — — 3 — — 无连接。此引脚未连接到器件。将此引脚悬空或接地。将此引脚焊接到电路板上以获得机械支持。
VCC 1 1 1 1 1 1 — 1.65V 至 5.5V 电源。TI 建议将此引脚连接到一个电容值至少为 0.1µF 的接地陶瓷电容器。
散热焊盘 — — — — PAD PAD — 无连接。将此引脚悬空或接地。将此引脚焊接到电路板上以获得机械支持。

6 规格

6.1 绝对最大额定值

在自然通风条件下的工作温度范围内测得（除非另有说明）(1)
最小值 最大值 单位
电源电压 VCC -0.3 5.5 V
电源电压压摆率 VCC 无限 V / µs
输出电压 OUT、OUT1、OUT2 -0.3 VCC + 0.3 V
输出电流 OUT、OUT1、OUT2 -5 5 mA
磁通密度，BMAX 无限 T
结温，TJ 105 °C
贮存温度，Tstg -65 150 °C
(1) 应力超出绝对最大额定值 下所列的值可能会对器件造成永久损坏。这些列出的值仅仅是应力等级，这并不表示器件在这些条件下以及在建议运行条件 以外的任何其他条件下能够正常运行。长时间处于绝对最大额定条件下可能会影响器件的可靠性。

6.2 ESD 等级

值 单位
V(ESD) 静电放电 人体放电模型 (HBM)，符合 ANSI/ESDA/JEDEC JS-001 标准(1) ±6000 V
充电器件模型 (CDM)，符合 JEDEC 规范 JESD22-C101(2) ±750
(1) JEDEC 文档 JEP155 指出：500V HBM 时能够在标准 ESD 控制流程下安全生产。
(2) JEDEC 文档 JEP157 指出：250V CDM 时能够在标准 ESD 控制流程下安全生产。

6.3 建议运行条件

在自然通风条件下的工作温度范围内测得（除非另有说明）
最小值 最大值 单位
VCC 电源电压 1.65 5.5 V
VO 输出电压 0 5.5 V
IO 输出电流 -5 5 mA
TA 工作环境温度 -40 85 °C

6.4 热性能信息

热指标(1) DRV5032 单位
DBZ (SOT-23) DMR (X2SON) LPG (TO-92)
3 引脚 4 引脚 3 引脚
RθJA 结至环境热阻 356 159 183.1 °C/W
RθJC(top) 结至外壳（顶部）热阻 128 77 74.2 °C/W
RθJB 结至电路板热阻 94 102 158.8 °C/W
ΨJT 结至顶部特征参数 11.4 0.9 15.2 °C/W
ΨJB 结至电路板特征参数 92 100 158.8 °C/W
(1) 有关新旧热指标的更多信息，请参阅半导体和 IC 封装热指标 应用手册。

6.5 电气特性

对于 VCC = 1.65V 至 5.5V，在自然通风条件下的工作温度范围内测得（除非另有说明）
参数 测试条件 最小值 典型值 最大值 单位
推挽式输出驱动器
VOH 高电平输出电压 IOUT = -1mA VCC – 0.35 VCC – 0.1 V
VOL 低电平输出电压 IOUT = 1mA 0.1 0.3 V
开漏输出
IOZ 高阻抗输出漏电流 VCC = 5.5V，OUT = 5.5V 5 100 nA
VOL 低电平输出电压 IOUT = 1mA 0.1 0.3 V
DG 版本
fS 磁采样频率 40 80 120 Hz
tS 磁采样周期 8 12.5 25 ms
ICC(AVG) 平均电流消耗 VCC = 1.8V 5.2 µA
VCC = 3V 5.7 7.9
VCC = 5V 6
DU、FA、FC、FD、AJ、ZE 版本
fS 磁采样频率 13.3 20 37 Hz
tS 磁采样周期 27 50 75 ms
ICC(AVG) 平均电流消耗 VCC = 1.8V 1.3 µA
VCC = 3V 1.6 3.5
VCC = 5V 2.3
FB 版本
fS 磁采样频率 3.5 5 8.5 Hz
tS 磁采样周期 117 200 286 ms
ICC(AVG) 平均电流消耗 VCC = 1.8V 0.54 µA
VCC = 3V 0.69 1.8
VCC = 5V 1.06
所有版本
ICC(PK) 峰值电流消耗 2 2.7 mA
tON 上电时间(请参阅图 8-7) 55 100 µs
tACTIVE 工作时间段(请参阅图 8-7) 40 µs

6.6 磁特性

对于 VCC = 1.65V 至 5.5V，在自然通风条件下的工作温度范围内测得（除非另有说明）(1)
参数 测试条件 最小值 典型值 最大值 单位
DG 版本
BOP 磁性阈值工作点 OUT1 引脚（北）(2)
TA = 25°C		 -3.32 -2.5 -1.72 mT
OUT1 引脚（北）(2)
 -3.40 -2.5 -1.56
OUT2 引脚（南）
TA = 25°C		 1.72 2.5 3.32
OUT2 引脚（南）
 1.56 2.5 3.40
BRP 磁性阈值释放点 OUT1 引脚（北）(2)
TA = 25°C		 -2.62 -1.8 -1.17 mT
OUT1 引脚（北）(2)
 -2.73 -1.8 -0.9
OUT2 引脚（南）
TA = 25°C		 1.17 1.8 2.62
OUT2 引脚（南）
 0.9 1.8 2.73
BHYS 磁迟滞：|BOP – BRP| 每个输出
TA = 25°C		 0.21 0.7 1.19 mT
每个输出
 0.13 0.7 1.27
DU 版本
BOP 磁性阈值工作点 OUT1 引脚（北）(2) -3.9 -2.5 -1.2 mT
OUT2 引脚（南） 1.2 2.5 3.9
BRP 磁性阈值释放点 OUT1 引脚（北）(2) -3.5 -1.8 -0.9 mT
OUT2 引脚（南） 0.9 1.8 3.5
BHYS 磁迟滞：|BOP – BRP| 每个输出 0.1 0.7 1.9 mT
FA、FB、FC 版本
BOP 磁性阈值工作点 ±1.5 ±3 ±4.8 mT
BRP 磁性阈值释放点 ±0.5 ±1.5 ±3 mT
BHYS 磁迟滞：|BOP – BRP| 0.8 1.5 3 mT
FD 版本
BOP 磁性阈值工作点 OUT1 引脚（北）(2) -4.8 -3 -1.5 mT
OUT2 引脚（南） 1.5 3 4.8
BRP 磁性阈值释放点 OUT1 引脚（北）(2) -3 -1.5 -0.5 mT
OUT2 引脚（南） 0.5 1.5 3
BHYS 磁迟滞：|BOP – BRP| 每个输出 0.8 1.5 3 mT
AJ 版本
BOP 磁性阈值工作点 ±4 ±7 ±9.5 mT
BRP 磁性阈值释放点 ±3 ±5.6 ±7.5 mT
BHYS 磁迟滞：|BOP – BRP| 0.5 1.4 3 mT
ZE 版本
BOP 磁性阈值工作点 ±33 ±47 ±63 mT
BRP 磁性阈值释放点 ±30 ±43 ±58 mT
BHYS 磁迟滞：|BOP – BRP| 1.2 4 8.5 mT
(1) 有关磁性阈值的图形描述，请参阅磁响应 部分。
(2) 仅限 X2SON 封装。

 
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